Устройство для измерения давления

Номер патента: 1615582

Авторы: Секоян, Шмин

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 51)5 6 01 1 9/12 4 Д. . ( ;,.: ИСА О ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Авторское свидетельство СССРйг 386294, кл. 6 011 9/12, 1973,Кравченко Г.Н., Яровчук А.В., Пак С.П,Структура элементов высокотемпературного пленочного тензорезистора, - ИИ Всесоюзная конференция "Методы и средстватензометрии и их применение в народномхозяйстве, " - Свердловск, 1983; с,30-31.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано дляизмерения высоких гидростатических давлений, Целью изобретения является повы 615582 А 1 шение чувствительности и р пазона измерения высоки ских давлений, В устройст электрический преобразов щий идентичные тонкопле зисторы 1 и 2, размещенные монокристаллического диэ кристаллографических осей лении которых линейные сж лектрика неодинаковы, П помещен в сосуд высокого д чен в потенциометрическую и Оу - напряжения на тензо ентированных по длине вд соответственно, то при из ния в сосуде 4 напряжения за изменения сопротивле сторов. По отношению напр ляется давление, 2 ил,асширение диах гидростатичеве использован атель, содержа- ночные тензорена поверхности лектрика вдоль Х и 2 в направимаемости диэ реобразователь авления и вклюсхему Если Ох резисторах, ориоль осей Х и Е менении давлеизменяются изнии тензорези яжений опреде4 1615582 Составитель А.3 осимоРедактор Е.Папп Техред Ы.Моргентал ректор Л.Пилипенко Заказ 3981 Тираж 467 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, )К, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 10 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано дляизмерения высоких гидростатичаских давлений.Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение диапазона измерения высоких давлений.На фиг. 1 изображена схема устройства;на фиг. 2 - размещение тензорезисторов напротивоположных сторонах монокристаллического диэлектрика.Устройство содержит два идентичныхтонкопленочных тензорезистора 1 и 2 фиг. 1),расположенных на одном и том же монокристаллическом элементе 3, например на 15кварцевом диске У-среза, помсщенном всосуд 4 высокого давления, заполненныйжидкостью 5, передающей давление. Тензорезистор 1 ориентирован по длине в направлении одной из кристаллографических 20осей диэлектрика, например в направленииоси Х кристаллического кварца, а тензорезистор 2 ориентирован по длине в направ. лении другой, неэквивалентной кристаллографической оси этого диэлектрика, например в направлении оси Е, Тензорезисторыподключены к источнику б постоянного токаи к компаратору 7 напряжений.Устройство работает следующим образом, 30Изменение давления в сосуде 4 вызывает изменение сопротивлений Ях и Кл тензо- .резисторов 1 и 2 и соответствующее изменение напряжений на них Ох и Ол, Напряжения Ох и Ог измеряются компаратором 7 и по ним определяется давление,Если в качестве монокристаллического элемента используется кварцевый диск У- среза, то давление находят по формулеР = Ао( -- 1),ОлОхгде Ао - постояннаяДля кварца постоянная равнаАо = = 199,283 ГПа 1,Ог -Охгде Оу и.Ох - линейные сжимаемости кварца в направлениях его кристаллографических осей 2 и Х соответственно.Формула изобретения Устройство для измерения давления, содержащее первый и второй тензорезисторы, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика, соединенные в потенциометрическую схему и подключенные к измерительному прибору, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазона измерения высоких давлений, первый тензорезистор ориентирован в направлении первой кристаллографической оси монокристаллического диэлектрика, а второй - в направлении второй оси, причем первая и вторая кристаллографические оси выбраны так, что линейные коэффициенты сжимаемости диэлектрика вдоль них различны при гидростатическом сжатии,

Смотреть

Заявка

4642841, 27.01.1989

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4126

СЕКОЯН СЕМАР СЕТОВИЧ, ШМИН ЮРИЙ ИСААКОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01L 9/12

Метки: давления

Опубликовано: 23.12.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1615582-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения давления</a>

Похожие патенты