157609

Номер патента: 648068

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Джон, Жан, Питер

МПК: B29H 17/37

Метки: каркас, наложения, покрышки, протектора, спгособ

...1 в виде формы 2 с кольцевойполостью, периметр которой соответствуетпериметру протектора в сжатом состоянии,и с расположенными по окружности параллельно ее продольной оси съемными стержнями 3, взаимодействующими с каркасом 4(фиг. 1, 2). 1 ОСпособ осуществляется следующим образомПредварительйо свулканизованный протектор 1 с заданным"рйсунком изготавливают,с контактирующей с каркасом 4 криво 15линейной поверхностью и длинои, большеипериметра коронной части каркаса, наносятна контактирующие поверхности связующийсостав и соединяют протектор 1 с каркасом 4при оказании давления на беговую поверхность протектора и сжатии последнего в 26продольном направлении на 0,5 - 10% отпервоначальной длины,Криволинейную поверхность протектора...

Номер патента: 1628101

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Гулякин, Никитин, Пушкарев, Шишкин, Шушкевич

МПК: H01F 41/04

Метки: демонтажа, каркасе, катушки, оправки, установки

...каркаса катушки.Выполнение требования 301н шопрнеобходимо для создания гарантированного зазора О, для свободной установки оправки в каркасе.физический смысл этого выражения заключается в том, что оно определяет минимальное значение перепада температур оправки и каркаса (при заданном 40 ,коэффициенте линейного расширения материала оправки), при котором при сборке оправки входит в каркас с зазоромВыполнение требования450 ц (фопр 0 к)необходимо для создания гарантированного зазора (величиной Р) при демон таке оправки из каркаса катушки после намотки проводника на каркас.Суть этого выражения заключается в том, что оно определяет минимальное значение температуры, на которую надоохладить оправку и каркас в сборе пос. ле намотки проводника на...

Номер патента: 222363

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Азербаев, Алешин, Антонов, Атавин, Васильев, Науменко, Петров, Трофимов, Хасанов, Шатова, Швецов, Шостаковский, Якубов

МПК: C07C 45/42, C07C 47/06

Метки: институтказахской, сср, ссср, химико-металлургический

...этиленгликоля с содержанием та берут подпиточного раствора (за елочи) 3481 кг. Таким образом, выпо этиленгликолк составляет 9,7",. Б. Полученный вишьловый эфирпрерывно подают в гидр олизер,поддерживают следующий средний222363 Скорость подачи эфира-сырцаСкорость подачи воды,содержащей 0,8 - 1/,уксусной кислоты, Скорость отбора гидролизатаКонцентрация эфира вгидролизате 110 - 140 кг/час 15 - 20 кг/час 580 - 100 кг/час 3 - 4 з/о Предмет изобретения 1,5 - 3,0 д/о40 Составитель А. Акимова Редактор Л, Г, Герасимова Техред Л. К, Малова Корректор Л, В. НаделневаЗаказ 3078/20 Тираж 530 Подписное ЦНИИП 11 Комитетпо делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр, Сапунова, 2 10В этих...

Номер патента: 320208

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Воронков, Турчанинов

МПК: H01G 9/042

Метки: институт, красноярскийполитехнический, ссср

...после чего оцц готовы к следующей операции образования наружного проводящего слоя.20 Известен способ образования оксидпой ЕЕЛСЕЕКИ и ПОЛУПРОВОДЕЕИКОВОГО СЛОЯ ДЕЗУОКИСЕЕ марганца в таких конденсаторах, при котором тацталовые аноды формуют в кислотном электролите, например в растворе ортофосфорпой кислоты, а затем на поверхности заформованных танталовых анодов образуют слой двуокиси марганца путем пиролиза азотнокислого марганца. Однако при пиролизе, вследствие одновременного воздействия паров воды и окислов азота, пленка частично разрушается, отчего ток утечки конденсаторов увеличивается. Для уменьшения тока утечки оксидпую пленку формуют при напряжениях, в 3 - 4 раза больше номинального напряжения конденсаторов, а также несколько...

Номер патента: 389450

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 23/227

Метки: lissrji, всрсоюзнаяд, им, институт, курнаковаан, лшавторызаявителиинститут, неорганической, общей, ссср, сссрbhbihottlka, химии, ъlt, электрохимии

...вакуумной установки, Коллектором фотоэлсктронов является положительный электрод вакуумной установки (анод). На электроды вакуумной установки подается соответствующая разность потенциалов, Работа выхода электрона из металла в вакуум при фотоэлектронной эмиссии отличается от работы выхода электрона из диэлектрика, что позволяет отделять частотные характеристики фотоэмиссионного тока с частиц металла от фотоэмиссионного тока с диэлектрика или полупроводника. 15 Экспериментальная спектральная (частотная или волновая) характеристика тока фотоэлектронной эмиссии с частиц металла, находящихся на поверхности или в приповерхностном слое исследуемого образца, 20 сравнивается с расчетной частотной (волновой) зависимостью фотоэмиссионного тока,...