156320

Номер патента: 1407341

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Малышева, Павельев

МПК: H01L 29/47

Метки: полупроводниковый, свч-диод

Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.

Номер патента: 1539889

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Каджардузов, Климахин, Масалов, Мырсин

МПК: H02H 7/06, H02H 7/125

Метки: бесщеточном, вращающегося, генераторе, диода, неисправного, обнаружения, переменного

...усилитель с автоматической регулировкой усиления, двухполупериодный выпрямитель, фильтр нижних цастот и формирователь сигналов, Индикатор 17 состояния содержит 1два триггера дешифратор, три светодиода и резистор, подключенный одним 20 25 30 35 40 45 50 55 выводом к клемме "Плюс" истоцника питания,Устройство работает следующим образом.При произвольном положении ротора 2 генератора 1 подается сигнал переменного тока на обмотку 4 возбуждения возбудителя, Этот сигнал трансФормируется в обмотку 20 якоря возбудителя, выпрямляется диодами выпрямителя 3, поступает на обмотку 21 возбуждения основного генератора инаводит ЭДС в обмотке 13 статора генератора. При этом внешний вид сигнала в обмотке 13 статора генератора наблюдается на экране...

Номер патента: 1178272

Опубликовано: 27.11.1996

Автор: Павельев

МПК: H01L 23/48

Метки: диод, полупроводниковый, свч

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.

Номер патента: 1658370

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Бородкин, Булгаков, Макаров, Натаров, Шубный

МПК: H03B 9/12

Метки: генератор, полупроводниковый

...системы 4 или 5 на расстояние Х 1 и Хг, в направлении вдоль проводников периодической системы 4 или 5 на расстояние У 1 и Уг соответственно, которые выбраны из соотношенийХ 1,г=тв Р 1,г /1 б; У 1,2=Ь Р 1,г /16, где Ь, Ь удовлетворяют соотношению2 К Нк(ть) - ьНк(ь), где К принимает значение а или п,Нь(т) - полином Эрмита, Р 1= ( б -Й 1+ Йг 2 .Полупроводниковый генератор работает следующим образом,При подаче на диоды 6 и 7 напряжений от источников 10 и 11 питания в резонаторе 1 одновременно возбуждаются основной ТЕМсся и дополнительный ТЕМ 1 оя типы колебаний. Расположение дополнительного диода 7 на расстоянии Ь от второго зеркала 2 обеспечивает его работу в пучности электрического поля колебания ТЕМ 1 оч и тем 5 самым создает условия...

Номер патента: 1264110

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Замарашкина, Маркусик, Скрипник

МПК: G01R 27/26

Метки: датчика, контура, расстройки, резонансного

...высокочастотного напряжения с коэффициентомделения В результате взаимодействия высокочавтотного поля резонансного датчика с контролируемым материалом, происходит расстройка относительно частоты возбуждающих колебаний высо- кочастотного генератора 2 регулируемой частоты. Сопротивление контура 5 уменьшается и становится комплексным за счет появления реактивной составляющей (2, Й,) фаза колебаний на выходе делителя напряжений в этом случае отстает или опережает фазу высокочастотного генератора 2 в зависимости от знака расстройки. контура 5 резонансного датчика. При подключении резисторов 4 и 8 к контуру 5 коммутатором б абсолютйое значение фазового сдвига делителя напряжения уменьшается, так как последовательное включение с контуром 5...