154996

Номер патента: 1053159

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Зуев, Либовнер

МПК: G11C 5/04

Метки: магнитной, пленки, подложке, разнокоэрцитивных, светочувствительной, стеклянной, тонкой, участков, формирования

...пленки 1 . что стекло под ниэкокоэрцитиннымиНедостатком этого спбсоба являет,; участками ТИП не облучается. После ся необходимость выполнения сложных этого заготовку нагревают, наприк трам куиоукравляеиах технологических мер в конвейерной печи, до темпера-операций и применении дорогих мате-;р туры ниже температуры размягчениястекла и изотермически выдерживают,Наиболее близким техническим ре- . Режиьы Фототермической обработки шением к изобретению является спо-подложки: время экспозиции 5-60 мин,соб изготовления ферромагнитныхтемпература нагрева 300-700 С; время планок с цовьааекным значением коэр изотермической выдержки 10-60 мин,й силы основанный на напы- , . Затем на поверхности подложки наленки ТЯП на светочувствительную - пыляют...

Номер патента: 995153

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Васичев

МПК: H01J 37/14

Метки: линза, магнитная, электронная

...стеклотекстолита. На одном из торцовых поверхностей каждого из дисков 5 нанесен, например, методом фотолитографии или методом напыления через маску, спиральный проводник 6. Выполнение проводника 6 указанными методами позволяет достичь высокой степени идентичности их параметров на каждом из дисков 5. Диски 5 системы 3 возбуждения соединяются последовательно так, чтобы обеспечивалось необходимое число ампер-витков. Если на одном диске 5 спираль проводника сходящаяся, то на соседнем расходящаяся, но обязательно обе они правые или левые. Концы про. водников 6 соединяются между собой на краях двух соседних дисков 5, для чего в дисках имеются сквозные отверстия. Крайние диски имеют выводы для подключения к источнику питания. Между дисками...

Номер патента: 664131

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Август, Коперсако, Онищенко

МПК: G01R 33/12

Метки: записи, информационных, магнитной, пленки, подложке, разрушения, состояний, токов, цилиндрической

...на выходе преобразователя10 код-аналог. Это напряжение подается на один или несколько формирователей в качестве напряжения питания и на регистрирующий прибор 11. На остальные формирователи питание подается от источников постоянного напряжения. На второй вход регистрирующегоприбора подается напряжение с датчика 12 положения адресных обмоток,что позволяет при совместном перемещении адресных обмоток 4 и скольэящего контакта датчика 12 регистрироватьграфик напряжения питания формирователя по длине образца.Величина тока управления, вырабаты ваемого формирователем 2, является линейной функцией напряжения, подаваемого на него с выхода преобразователя 10 код-аналог, которое, в свою очередь, определяется значением кода счетчика 9.При...

Номер патента: 860342

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Другов, Эстрин

МПК: H04N 3/16

Метки: магнитная, отклоняющая, трубки, электронно-лучевой

...2 - разрез А-А нафиг. 1,Устройство содержит статор, состоящий из пакета 1 пластин с П-образными пазами 2, катушки 3 отклонения,цилиндрический стакан 4 со щелью 5,выполненный из немагнитного электропроводящего материала, плоский магнитный экран 6, П-образные экраны 7 иэнемагнитного электропроводящего материала.Система работает следующим образом.При подаче импульса напряжения накатушку 3 отклонения по ее обмоткепротекает ток, скорость нарастаниякоторого зависит от соотношения ин"860342 Формула изобретения ие.1 Составитель В.МавринРедактор С.Юско Техред 3, Фанта Корректор М Тираж 698 осударств лам иэобр 1 осква, Ж аказ 7575/32 ВНИИП по 11303Подписноео комитета СССй и открытийРаушская наб нн те д. 4/5 илизл ППП "Патентф, г. Ужгород, ул....

Номер патента: 1114246

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Зарипов, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: магнитных, пленок, полупроводниках, тонких

...адгезия ТМП с полупроводниковой подложкой.Конкретные значения или интервалы допустимых изменений параметров 10(Е,0, ), определяющих режимы ионнойимплантации, вытекают из необходимости выполнения следующих основныхусловий зарождения и роста ТМП задан.ной толщины и в заданной области 15внутри полупроводника: наличия достаточного количества ферромагнитныхатомов в заданной области формирования ТМП, наличия центров преципитации (выпадения в осадок) внедренной 20примеси в заданной области формирования ТИП; малая растворимость атомов материала ТМП в подложке,Всем этим условиям удовлетворяетбомбардировка полупроводников (например, Б или Се) ионами магнитныхэлементов, например железа, кобальта,никеля, для которых предел растворимости не...