Инверсный выключатель
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1532982
Автор: Штатнова
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 19) (Н) 1 Р 1/1 ОСУДАРСТВЕНКЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР,1 ЗОБРЕ ТЕЛЬСТВУ И и-диоды 3 и диэлек который выполнен в ми размещены р 1рический эл-т,де пластинь 1 4 и выполненных на 8 8 даче запирающе диоды 3 индукт ,тью ры-диодов тельный контур, распространению ку 1. При подач на рп-диоды 3 дов 3 и емкость параллельный ко сигнала СВЧ мин инверсного вык о СССР1978.р. Электс. 41-46 ивность штырей с емкос образуют последовакоторый препятствуетСВЧ-сигнала по отрезе отпирающего смещения индуктивность р 1 п-диопластины 4 образуют нтур. При этом потери имальны. Подстройка лючателя осуществляется еров пластины 4, что нению резонансной часельст 1 15 ь ка. С 1979,к СВЧ-ратениясный выением р 1 прямоширокимимя штыряиводит к изме ты контуров,ИСАНИЕ И К АВТОРСКОМ(57) Изобретение относитсядиоэлектронике, Пель изобреупрощение подстройки. Инвеключатель содержит отрезокугольного волновода, междустенками которого между дв установлен в выборках,концах штырей. При пого смещения на рпный выключатель, содер рямоугольного волновод а широких стенках разм иодами и диэлектрическ между ними, о т л итем, что, с целью уп ащии в шеныкотором н штыри с д 2 О элементомщ и й с я ния подстро полнены выб диэлектриче 25 в ниде плас м чаю рошена концах штыреи выновле енный рки, в которых ус кий элемент, выло ины,Составитель Л.аров1. Петрова Техред М.Дидьтк Корректор М.Максимишинец -Реда Заказ 8105/56НИИПИ Госудаттственного13)35,Тираж 616 Подписное омитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР осква, Ж, Рауттская наб., д, 4/5 тдатеньский комбинат 11 атент , г.ужгород, ул. Гагарина,1 роиэводственно Иэбретение относит.я к СВЧ-радиоэлектронике и может быть использонатто, для устройств миллиметрового диапазона ттолнПель изобретения - уттрощение подстройки.На фиг,1 изображен инверсный выклточатетть; на фиг.2 - разрез А-А на стиг, 1,Инне срный выклточа тель содержит отрезок 1 прямоугольного волновода, между широкими стенками которого между двумя штырями 2 размещены реп-диодь 3 и диэлектрический элемент, которь" выполнен в виде пластины 4 и ус - т новлен в выборках, выполненных на к нцах штырей 2.Инверсный выключатель работает с едующим об ра зом .При подаче на ртп-диоды 3 запирающ го смещения индуктивность штырей 2 с емкостью рт.п-диодов 3 образуют нос едовательный контур, которытт преп тствует распространению СВЧ-сигнала по отрезку 1, 1 ри подаче на ртп-диоды 3 отпирающего смещения ттттдуктивность ртп-диодов 3 с емкостью пластины 4 образуют параллельный контур,при этом потери сигнала СВЧ минимальны,Подстройка инверсного выключателяосуществляется изменением размеровпластины 4, что приводит к изменениюрезонансной частоты контуров. Формула изобретения
СмотретьЗаявка
4252502, 27.05.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4355
ШТАТНОВА НИНА ВАСИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: H01P 1/15
Метки: выключатель, инверсный
Опубликовано: 30.12.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1532982-inversnyjj-vyklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Инверсный выключатель</a>
Способ определения полного сопротивления свч диода
Номер патента: 1084700
Опубликовано: 07.04.1984
МПК: G01R 27/04
Метки: диода, полного, свч, сопротивления
...и прошедшего черезнего СВЧ-сигнала при последовательном резонансе 23.Однако известный способ не позволяет производить измерения в широком диапазоне частот,,Цель изобретения - расширениедиапазона частотдля достижения поставленной цели 45согласно способу определения полного сопротивления СВЧ-диода, заключающемуся в подаче на исследуемый СВЧдиод, установленный ве стержневом,цержателе в линии передачи, напряже"ния обратного смещения и СВЧ-сигнала и измерении частотыо,последовательного резонанса исследуемого СВЧдиода и стержневого держателя и отношения Т падающего и прошедшегочерез него СВЧ-сигнала при последовательном резонансе, дополнительноизмеряют отношение Тг падающегои прошедшего через исследуемый СВЧдиод СВЧ-сигнала и...
Устройство для измерения потерь преобразования смесительных свч диодов
Номер патента: 231632
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Васильев
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, потерь, преобразования, свч, смесительных
...1 б и модулятор 17.Так как в измерительном усилителе установлен квадратичный детектор, то можно счи тать, напряжения в различных точках схемыпропорциональными мощности.Источник сигнала импульсно модулируетсячастотойсов модуляторе 17. Мощность источника сигнала через ответвитель 2 подво дится к опорному б и испытуемому 8 диодам.К этим же диодам через ответвители 4 и 5 подводится мощность гетеродина 8. Преобразованные диодами сигналы усиливаются предварительными усилителями 9 и 10 соответ.20 ственно и поступают на входы синхронногопереключателя 11, который поочередно с частотой со, подает эти сигналы на вход главното усилителя 12.Усиленные сигналы поступают,на вход син хронного переключателя 14 и разделяютсятаким образом, что сигнал,...
Держатель свч диода
Номер патента: 450310
Опубликовано: 15.11.1974
Авторы: Барков, Безлюдова, Еренбург
МПК: H03F 3/04
...конденсатора, на которую, наприцер, цетодоц вжигания нанесены последовательно диэлектрический 2, проводящий 3 и резистивный Ф слои. Проводящий слоИ служит другой обкладкой блокиоовочного конденсатора. Резистив ный слой резистора цепи питания СВЧ диода контактирует с пластиной и проводящиц слоем. Резистор цепи питания СВЧ диода выполнен в виде кольца, охватывающего диод. К проводящецу слов припаян проводник 5 цепи питания СВЧ диода.При сборно в корпус б устрой450310 фи 3ства вставляют плату 7 с отрезком СВЧ линии 8, а затем СВЧ диод 9 в диэлвктричвскоИ обойме 10,которйИ одним из торцов своего корпуса при жимается к СВЧ линии 8, В пазы корпуса 6 вставляют пластину 1 двр жатвля, предварительно изогнутую по радйусу, так, что...
Способ определения долговечности свч-диодов
Номер патента: 616596
Опубликовано: 25.07.1978
Авторы: Егоров, Лезжов, Масимов
МПК: G01R 31/26
Метки: долговечности, свч-диодов
...по результатам ступенчатых.испытаний, равное рассеиваемой мощности той,ступени, на которой зафиксирован первый отказ- основание натуральногологарифма.Сущность предлагаемого способа состоит в том,что длительность испытаний в Форсированном режиме по отношению к длительности испытаний в нормальном режиме 1 и уменьшается в р, раз. Данная величина назы" вается коэффициентом Форсирования. Между величинами Р,Ф,Р, Р, иследующие математические соотно- шенияь РуР 1 н Р РДля установленной рассеиваемой электрической мощности 1 по конк.ретному типу СВЧ-диодов, определив Ь и п,р, а также проведя испытание в течение времени Т,р в данном режиме при температуре корпуса диодов 25110 С, спомощью выражений (1) и (2) оценивают долговечность 1...
Полупроводниковый свч диод
Номер патента: 1178272
Опубликовано: 27.11.1996
Автор: Павельев
МПК: H01L 23/48
Метки: диод, полупроводниковый, свч
Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.
Предыдущий патент: Устройство для присоединения штенгеля колбы электровакуумного прибора к вакуумной системе
Следующий патент: Диэлектрический волновод
Случайный патент: Быстросъемочная оправка