Усилитель мощности

СОЮЗ СОВЕТСКИХаОдеарнепаРЕСПУБЛИК 4 Н 03 Р 3/26 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ С 8 ИДТ А сится к радио- повысти соизнсторы ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЭОЬРЕТИНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГНКТ ССОф(57) Изобретеиитехнике. Цель ивенке КПД ус,дераацего упр Вуав1 ЗЗ6(088.8)свидетелъс03 Р 3/2МОЩНОСТИе отиоэобретенияилителя мощноавлякарюе тра 1 и 2, управляеиае транзисторы 3 и 4, источник 5 питания, базовые резисторы 6 и 7, диоды 8 и 9 и на. грузку 10. Цель достигается за счет. исключения одновременного протекания тока по обоим базовым резисторам 6 и 7 с помоарю введенных опорного диоде 13 и двух дополнительных транзисторов 11 и 12, в базах оторых включены соответственно дополнительные резисторы 14 и 15.15 0 5 20 5 30 35 40 45 50 3 1506Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано вустройствах широтно-импульсного,главным образом, реверсивного управления электродвигателями постоянноготока.Цель изобретения - повышение КПДза счет исключения одновременногопротекания тока по обоим базовым резисторам.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилите-Гя мощностиУсилитель мощности содержит управлякщив транзисторы 1 и 2, угравляемыетранзисторы 3 и 4, источник 5 питания, базовые резисторы 6 и 1, диоды 8 и 9, нагрузку 10, допслнительныегранзистары 11 и 12, опорный диод 1.3,,сапа;сиительные резисторы 14 и 15.Усилитель мощности работает слецуюцРч образам,При отпирании управляющего транзистора 1 (или 2) в цепи, состоящейиз дополнительного резистора 5 (или4), эмиттернога перехода дополнительного транзистора 12 (или 11),опорного диода 13, появляется ток,от;чрающий дополнительный транзистор12 (или 11). Вследствие этого в нагрузке 10 появляется так соответствующего знака, протекающий через открытый управляющий транзистор 1(или 2), диод 8 (или 9), причем падение напряжения на нем запирает уп"равляемый транзистор 3 (или 4),и через управляемый транзистор 4 (или 3),отпирание которого происходит благодаря ответвлению соответствующейчасти тока нагрузки в ега эмиттерный переход, далее через базовыйрезистор 7 (или 6), открытый дополнительный тракзистор 12 (или 11) иопоричй диод 3. При этом протекание тока по. другаму базовому резистору 6 (или 7), т.е. одновременноепротекание тока па обоим базовымрезисторам, приводящее к снижениюКПД известного усилителя мощности,исключается вследствие того, чтовключенный в ега цепь дополнительныйтранзистор 11 (или 12) заперт. Последнее обеспечивается активным запн 5134 раннем эмиттернага перехода дополнительного транзистора 1 (или 2), запирающим падением напряжения на опорном диоде 13 ат тока, протекающего па нему через открытый дополнительный транзистор 2 (или 11), которое па абсолютной величине превышает незначительное, снимаемое с каллекторнаго перехода открытого управляющего транзистора 4 (или 3) и существенна уменьшенное резистнвным делителем напряжения отпнрающее напряжение.Таким образом, за счет введения двух дополнительных транзисторов 11 и 12, в базе каждого иэ которых включен дополнительный резистор 14 и 15, а также опорного диода 13 повышается КПД усилителя мощности. Формула изобретения Усилитель мощности, содержащий два управлякзцих и два управляемых транзистора одной структуры и источник питания, включенный между объединенными эмиттерамн управляющих транзисторов и объединенными коллекторами управляемых транзисторов, база каждога управляющего транзистора является входом противофазнаго источника входного сигнала а коллекторфв подключен к соответствующему базовому резистору, к базе смежнога управляемого транзистора, через диод - к эмиттеру того же управляемого транзистора и к нагрузке, о т л ич а ю щ и й с я тем, чта, с целью повышения КПД эа счет исключения одновременного протекания тока, введеныопорный диод, два дополнительных резистора и два дополнительных транзистора другой структуры, эмиттерыкоторых объединены и через опорныйдиод соединены с коллекторами управляемых транзисторов, при этом коллектор каждого дополнительного транзистора соединен с другим выводом соответствующего базового резистора, а егс база через соответствующий допол 1 нительный резистор.- с коллектором противоположного управлякицего транзистора.