Электрооптический модулятор

Номер патента: 1089178

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: блоков, виннокислого, выращивания, калия, косого, кристаллов, среза

...требуемым образом 1.Пьезоэлектрические резонаторы из крис О таллов виннокислого калия, как правило, ориентированы относительно граней кристалла под различными углами, что необходимо для достижения малого температурного коэффициента частоты. Обычно для того, чтобы вырезать нужного среза кристаллические пластины для резонаторов предварительно вырезают соответственно ориентированный прямоугольный блок, который затем распиливается на пластины. При этом способе получается много отходов кристалла, поэто О му выгодно выращивать кристаллические блоки, ориентированные под нужными углами к граням кристалла.Цель изобретения - облегчение получения кристаллов и улучшения их качества.Указанная цель достигается способом выращивания косого среза из...

Номер патента: 1599801

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Абдулин, Лапаник, Минько, Муравский, Рачкевич, Ржеусский, Тагер, Яковенко

МПК: G01R 27/00

Метки: автоматической, жидких, кристаллов, регистрации, характеристик, электрооптических

...на измерительную ячейку 3, Учитывая свойства жидких кри"таллов,измерительную ячейку 3 можно представить в виде параллельно соединенных нелинейных емкостей С и сопротивления К, величина которых зависитот действующего значения напряженияна измерительной ячейке 3, 1(роме то 55го, в силу специфических свойств жид,ких кристаллов искажается синусоидальная форма напряжения на измерительной ячейке 3. Это напряжение 11, через переключатель 6 поступает на аналого-цифровой преобразователь 7, который преобразует это напряжение в цифровую Форму и подает его на ЭВМ 8. ЭВМ 8 считывает эти значения Ц (1) в течение одного периоца Т управляющего напряжения,После этого, продолжая задавать по синусоидальному закону управляющее напряжение 11(С), она...

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...

Номер патента: 326536

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Митрофанов

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, электрооптический

...оптической оси в кристаллах КДР, АДР и 1.1 КЬ Оз наиболее перспективно с точки зрения величины управляющих напряжений, Клиновидность подобным образом ориентированного кристалла приводит к тому, что накопленная за один проход кристалла разность фаз между поляризационными компонентами исходного светового колебания изменяется по сечению светового пучка, так как определяется разностью в показателях преломления для обыкновенного и необыкновенного лучей, а также разностью оптических длин хода луча в кристалле. Это приводит к тому, что статическая характеристика модулятора, представляющая собой зависимость прозрачности модулятора (в %) от величины приложенного напряжения (в в) или от сдвига фаз, между поляризованными компонентами (в...

Номер патента: 525042

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Бережной, Попов, Сидоренко

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, электрооптический

...2 п ЯМ)Э 2 Я 1 где ц - управляющее напряжение1 - толщина кристалла в направлениираспространения света;м - показатель преломления кристалла;оК - электрооптический коэффициент;Л - длина волны модулируемого излучения;- - коэффициент пропускания модуля-о тора.На фиг. 1 представлена принципиальная схема предлагаемого модулятора, на фиг.2- зависимость отической плотности почерненкя контрастной фотопленки от величины экспозиции; на фиг, 3 - зависимость изменения диаметра зоны с коэффициентом пропускания - , большим или равным 0,5 от3Зоизменения величины приложенного к модулятору напряжения,Интенсивность света, прошедшего от источника света 1 через оптическую систему см, фиг. 1), состоящую из поляризатора 2, электрооптического элемента 3...