Способ записи информации в магнитооптический транспарант
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСНИХЕСПУБЛИК 1) 4 С 11 С 11 1 ь А).4в) )., , , ",;Е;Б 1 Д ОБРЕТЕН ЬСТВУ юл.2М. В. Ломоносн, В. Н. Филатездин и В. В.88.8)рпеегпд, ч. ва в,Ю.Н.КуЗюбин 2,4, р. 48 техника, Се 19 - 21, 1981 атериалы,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИК АВТОРСКОМУ СВИ(57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в устройствах с магнитооптической обработкой информации. Цель изобретения повышение надежности записи информации. Способ заключается в том, что в магниточувствительном слоес помощью постоянных магнитов 2 и 3 формируется единственная доменная стенка 7, которая передвигается по слою 1 с помощью поля катушки 4. В момент записи информации в токовые петли 5 и 6 подается импульс тока, препятствующий прорастанию стенки в область магниточувствительного слоя 1, ограниченную токовыми петлями. 2 ил.1451766 Формула изобретения Составитель А. АнуфриевРедактор Е. Копца Техред И. Верес Корректор Н. КорольЗаказ 7099 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ ГосударственнОго комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в оптических процессорах и системах оптической обработки информации.Целью изобретения является повышение надежности записи информации в магнитооптический транспарант.На фиг. 1 изображена схема реализации предлагаемого способа; на фиг. 2 фотография двух битов записанной информации.На фиг. 1 позициями обозначены доменосодержащий магниточувствительный слой 1, например пластина ортоферрита иттрия, постоянные магниты 2 и 3, катушка 4 индуктивности, токовые петли 5 и 6, единственная доменная стенка 7.В исходном состоянии в отсутствии токов в катушке 4 и в токовых петлях 5 и 6 постоянные магниты 2 и 3, создающие градиентное магнитное поле, формируют единственную доменную стенку 7 в пластине ортоферрита, которая разделяет две области с противоположными направлениями векторов намагниченности. Положение доменной стенки строго определено в том месте, где магнитное поле равно нулю.Если в катушку 4 подать ток, то созданное им внешнее магнитное поле будет увеличивать область с направлением вектора намагниченности вдоль поля и соответственно уменьшать область с направлением вектора намагниченности против по. ля, т, е. единственная доменная стенка будет двигаться во внешнем поле со скоростью, определяемой величиной поля, до 20 км/с. Например, в поле 50 Э доменная стенка в ортоферрите иттрия имеет скорость 4 км/с и остается постоянной в пределах 20 Э. Если в момент про.хождения доменной стенкой токовых петель 5 и 6 подать ток, например, в петлю 5, магнитное поле которой противоположно направлению внешнего магнитного поля, то доменная стенка с двух сторон обогнет охватываемую петлей 5 область и сомкнется за этой областью, образовав вновь единственную движущуюся стенку. 10 Таким образом, области, охватываемыетоковыми петлями 5 и 6, будут иметь противоположные направления векторов намагниченности, характеризующие два состояния, которые можно считать с помощью 15эффекта Фарадея. Способ записи информации в магнитооптический транспарант, заключающийся в воздействии на доменосодержащую магниточувствигельную пленку внешнем магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности записи информации в магнитооптический транспарант, в домено содержащей магнитной пленке формируютединственную доменную стенку путем воздействия на нее гнадиентным магнитным полем, затем изменяют положение единственной доменной стенки воздействием однородного магнитного йоля величиной больше коэрцитивности доменосодержащей магниточувствительной пленки, а воздействием локальным магнитным полем, направленным противоположно однородному магнитному полю, формируют локальную неперемагниченную область.
СмотретьЗаявка
3968455, 24.10.1985
МГУ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
ЧЕТКИН МИХАИЛ ВАСИЛЬЕВИЧ, ФИЛАТОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ, КУРБАТОВА ЮЛИЯ НИКОЛАЕВНА, ЗВЕЗДИН АНАТОЛИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ, ЗЮБИН ВЛАДИМИР ВИКТОРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: записи, информации, магнитооптический, транспарант
Опубликовано: 15.01.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1451766-sposob-zapisi-informacii-v-magnitoopticheskijj-transparant.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ записи информации в магнитооптический транспарант</a>
Способ визуализации доменных стенок в ионно имплантированном слое доменосодержащей пленки
Номер патента: 1198568
Опубликовано: 15.12.1985
МПК: G11C 11/14
Метки: визуализации, доменных, доменосодержащей, имплантированном, ионно, пленки, слое, стенок
...наб., д, 4/5Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.Цель изобретенйя - повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.Способ осуществляется следующим образом.На доменосодержащую пленку воздействуют...
Резонансный формирователь вращающегося магнитного поля для доменной памяти
Номер патента: 1506480
Опубликовано: 07.09.1989
Авторы: Солощенко, Степанишин
МПК: G11C 11/14
Метки: вращающегося, доменной, магнитного, памяти, поля, резонансный, формирователь
...накопительными элементами в виде конденсаторов, тактовыеключи на транзисторах и разделительИзобретение относится к вычислительнои технике и может быть использовано в запоминающих устройствахна цилиндрических магнитных доменах(Пад)ные злементы в е диодов, о т и и- чающий с я ем, что, с целью упрощения резонансного формирователя вращающегося магнитного поля, оц содержит дополнительный ключ на транзисторе и разделительные трансформаторы, первичные обмотки которых подключены к коллекторам соответствулцих тактовых ключей и к положительной шине питания, крайние выводы вторичобмоток разделительных трансфорторов подключены к соответствующим катушкам ицдуктцвцости, конденсаторам и анодам четырех диодов, катоды которых подключены к коллектору...
Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти
Номер патента: 1527667
Опубликовано: 07.12.1989
МПК: G11C 11/14
Метки: возбуждения, вращающегося, доменной, магнитного, памяти, поля
...й(1 в), времени паузы междутоками разной полярности С 7 Й ), причем выполняется условия- Е 4. - Е, С = Ез- и- (сЕ вчастном случае 17 = С 8-0.Транзистор 62 работает в активномрежиме, который обеспечивается болееположительным напряжением на коллекторе (выход 32) по отношению к напряжению на базе транзистора.40В интервале времени й(1) транзистор 64 открыт, а высокое нанряжение питания Е я, поступает на выход 35(фиг.Зж). В интервале времени (г з)транзистор 64 закрыт и на выход 35 45через диод 65 поступает низкое напряжение питания Е (фиг.Зж). В интервале времени 1 З(16) линейный спад тока в катушке 57 (фиг,Зк) происходит,, через трансформатор 67. Благодаря под-, 0ключение вторичной обмотки трансформатора через диод 66 и источникунизкого...
Индикатор напряженности магнитного свч поля
Номер патента: 1000884
Опубликовано: 28.02.1983
Авторы: Лиогонький, Любченко, Навоша, Осика, Стригуцкий
МПК: G01N 27/72
Метки: индикатор, магнитного, напряженности, поля, свч
...7) и грямоуголь-ном (кривая 8) резонаторах от уровня микроволновой мощности,Гуматы уранила являются основнойурансодержащей частью каустобиолитных урановых руд, используемых для 1 вполучения ядерного горючего. Гуматыуранила являются также отходами производства при очистке радиоактивных стоков.Гуминовые кислоты характеризуются 1 уналичием синглетного спектра ЭПР-поглощения шириной ЬН 5 гс. При обработке их соединением уранила в них.появляется дополнительный сигнал,сдвинутый в сторону больших полей(Фиг. 1 и 3). Форма спектров ЭПР-по 26глощения гуматов уранила меняетсяв зависимости от уровня магнитногоСВЧ поля Нна образце (Фиг. 1 и 3),Поскольку в эксперименте используетИся навеска гумата уранила величинойне более 10 мг, интенсивность...
Индикатор напряженности магнитного сверхвысокочастотного поля в спектрометрах магнитного резонанса
Номер патента: 1509698
Опубликовано: 23.09.1989
Авторы: Баранов, Белькевич, Лиогонький, Любченко, Навоша, Папков, Прохоров, Стельмах, Стригуцкий
МПК: G01N 24/00
Метки: индикатор, магнитного, напряженности, поля, резонанса, сверхвысокочастотного, спектрометрах
...ЭПР данного образца наблюдается дополнительный сигнал боль1шей амплитуды по сравнению с исходным (фиг, 1). На фиг, 3 кривая 1 изображает зависимость отношения амплитуд исходного и дополнительного сигналов урансодержащего битума от напряженности магнитного СВЧ поля Н 1.Фофма спектра ЭПР данного образцаурансодержащего битума меняется в интервале значений напряженности магнитного СВЧ поля от 0,001 до 0,25 Гс, Дл 5сравнения приведена кривая 4, изображающая зависимость отношения амплитуд исходного и дополнительного сигналов,от напряженности магнитного СВЧполя Н для гумата уранила. Видно, чтодля него форма спектра ЭПР меняетсязначительно слабее, чем для урансодержащего битума. Кроме того, форма спектра ЭПР гумата уранила изменяется в,...
Предыдущий патент: Дешифратор с суммированием напряжений и токов
Следующий патент: Накопитель информации
Случайный патент: 338631