Субстрат для выращивания растений

Номер патента: 1445854

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Левинский, Перельман, Прапор, Сапожников, Собко, Хайкин

МПК: B22F 3/04

Метки: давления, изостатическом, порошкового, прессовании, распределения, слоя, толщине

...толщиной порошкового слоя, определяют распределение давления по толщине порошкового слоя,П р и м е р, В качестве Фиксацион ных вставок используют эластичные капсулы из полиуретана, имеющие трубчатую Форму с внутренним диаметром 8 мм, наружным диаметром 13,5 мм и высотой 107-109 мм. 45Капсулы заполняют титановым порош" ком и виброуплотняют на электромагнитном вибраторе в течение 12-15 сПодготовленные фиксационные вставки подвергают прессованию на гидростате при давлении 20, 30, 40 и 50 МПа. Затем определяют плотность полученных прессовок.Результаты измерений приведены в табл.1.После этого заполненные аналогичным образом фиксационные вставки размещают в середине, пресс-форм для гидростатического прессования с внутренним диаметром 49, 75,...

Номер патента: 1073564

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Журба, Косыгин, Силантьев

МПК: G01B 9/02

Метки: слоев, толщины, эпитаксиальных

...двумя сферическими зеркалами, установленными в ходе лучей, отраженных от первого зеркального блока, и зеркальным умножителем, выполненным в виде двухплоских зеркал, одно из которых установлено неподвижно, а другое - на общем основании с подвижным зеркалом второго зеркального блока под тупым углом к нему.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит два параллельноустановленных источника 1 и 2 монохроматического и немонохроматического излучения и последовательно расположенный по ходу излучения от источников светоделитель 3, выполненный в виде плоского зеркала, расположенного под углом 45 к оптической оси устройства, зеркальный блок, выполненный в виде двух плоских зеркал 4 и 5, установленных на общем основании таким...

Номер патента: 1665223

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Егоренков, Либерман, Лобанов

МПК: G01B 7/06

Метки: высокоомного, полупроводниковой, слоя, структуре, толщины

...дЧ/г 11) напряжение выброса не зависит от амплитуды импульсов.Реально существующие толщины 1- слоя, которые необходимо измерять, лежат -в пределах 5-200 мкм, Условно разобьем этот диапазон на 3 поддиапазона от 5 до 30, от 30 до 100 и от 100 до 200 мкм.При осуществлении способа верхнее значение крутизны Яц нарастания импульсов установлено равным 10 В/с(для поддиапазона толщин 1-слоя - равным 5-30 мкм). При больших значениях скорости нарастания напряжения, например, равных 10 В/с, напряжение выброса составит величину 300 В. Для надежного измерения таких сигналов, например, с помощью широкополосных осциллографов требуется не более десятков вольт. Кроме того, и это главное, для малых толщин 1-слоя напряжение выброса необходимо...

Номер патента: 900149

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Бакашвили, Имерлишвили, Карсанидзе, Чхаидзе, Шварцман

МПК: G01M 13/04

Метки: слоя, смазочного, толщины, шарикоподшипниках

...нижнем диске, и механизм термостатирования и подачи масла в ванну. При этом в центре нижнего диска выполнено отверстие для слива масла.На чертеже изображена схема устройсства.На основании 1 смонтированы диски 2 5 и 3, которые с помощью валов 4 и 5 соединены с двигателями 6 и 7. Пружина 8 служит для создания нагрузки на шарики 9, расположенные между дисками 2 и 3 и сепаратором 10. На нижнем диске 2 установлена ванна 11 для масла. В диске 2 выполнено отверстие 12 для слива масла из ванны 11 в резервуар 13. Для подачи масла в ванну служат насос 14 и термостат 15. Для измерения толщины пленки масла служит устройство состоящее из источника света 16, ин терференционного фильтра 17, микроскопа 18 и телекамеры 19. Устройство работает следующим...

Номер патента: 935845

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Темный, Усиков

МПК: G01T 1/24

Метки: детектора, ионов, мертвого, слоя, спектрометрического, толщин

...конкретного иона, например ионов гелия (двух- зарядных, т.е. ОЬ-частиц) и сравнения этих амппитуд при нормальном и наклонном падении этих ионов не лицевую поверхность ППД 1 2 1.Этот способ позволяет измерять толщины а пределах 1-0,0 мкм с точ- Зф , ностью 7-14%, однако позволяет при его доступности определить толщину мертвого слоя только для с(,-частиц.Цель изобретения - расширение диапазона определяемых толщин мертво" го слоя в сторону их меньший значений (измерения толщины производят для множества конкретных ионов в.энергетических единицах).4Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определе" ния толщин мертвого слоя спектрометрического детектора ионов в энергетических единицах путем измерения амплитуд сигналов...