Детектор

Номер патента: 572899

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Белик, Грищенко, Якимович

МПК: H03K 3/281

Метки: мультивибратор

...базовый резистор подключен к его эмиттеру и общей точке базовых резисторов основных транзисторов, коллектор одного из основных транзисторов через тгорвыц резистор и конденсатор соединен с базой дополнительного транзистора и коллектор другого основного транзистора соединен с одним выводом второго резистора, другой вывод второго резистора подк;почсц и точке сосдицсцця конденсатора и первого резистора.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема мульгивибратора.Мультивибратор содержит основные 1 и 2 и дополнительный 3 транзисторы, Базы транзисторов 1 и 2 через конденсаторы 4 и 5 соедиРедактор Т. Врчикова Корректор Л. Орлова Заказ 2460118 Изд. Ьо 855 Тираж 1080 Подписное 1.1 ПО Государственного комитета Совета...

Номер патента: 765793

Опубликовано: 23.09.1980

Автор: Тиц

МПК: G05F 3/04

Метки: переменного, стабилизатор

...7 соединенс резистором 8, конденсатором 9 и базой регулирующего транзистора б, арезистор 8 и конденсатор 9 подключенык коллектору регулирующего транзистора 6.Стабилизатор ограничивает входноесинусоидальное напряжение на заданномуровне следующим образом. От клемм 13 40переменный ток поступает в нагрузку 4последовательно через выпрямительныймост 5, регулирующий транзистор б ирезистор 10. Падение напряжения нарезисторе 10, пропорциональное токунагрузки, через резистор 11 поступает на базу транзистора 7, который управляет регулирующим транзистором б.Пока напряжение на входе меньше уровня стабилизации, определяемого напря Ожением открывания управляющего транзистора 7 и сопротивлением резистора 10, регулирующий транзистор б открыт, и...

Номер патента: 1437990

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Папе, Хромушин

МПК: H03K 17/60

Метки: двухпозиционный, переключатель

...есть управляющий сигнал,С второй пары выхоцов преобразователя 13 импульс поступает на базу блокирующего транзистора 8 второго канала через резистор 18 этого канала.при этом транзистор 8 находится в открытом состоянии и блокирует990 35 50 з 1437вход выходного транзистора 2 второгоканала,В момент, когда управляющий сигнал снимается, транзисторы 32 и 335закрываются, со среднего вывода первичной обмотки 27 высокочастотноготрансформатора отключается напряжение. В этот момент на вторичных обмотках 28 и 29 напряжение должно10упасть до нуля, но это не происходит,так как после отключения импульсногонапряжения с первичной обмотки 27,сердечник высокочастотного трансформатора за счет накоплений магнитнойэнергии продолжает перемагничиватьсяс...

Номер патента: 1053265

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Нежинский, Поляков, Пресняков

МПК: H03D 1/18

Метки: амплитудный, детектор

...источник 9 питания,фильтрующий конденсатор 10,Амплитудный детектор работает следующим образом.Ток компенсирующего транзистора 2, а следовательно, и напряжение на его эмиттерном переходе Ц задается сопробэтивлением резистора 4, при этом необходимо выполнять условие, чтобы ток покоя компенсирующего транзистора 2 бьш равен току покоя детектирующего транзистора 5, сопротимение резистора 1 ограничива ет ток базы детектируюшего транзистора 5, обеспечивает развязку входа амплитудного детектора от обшей шины и создает на базе детектируюшего транзистора 5 потенциал, равный напряжению И.компенсирующего транзистора 2, При равенствеэ 2 токов компенсирующего и детектируюшего транзисторов 2 и 5, напряжение 0 комэг пенсирующего транзистора 2 равно...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...