Способ сушки пиломатериалов

Номер патента: 37528

Опубликовано: 30.06.1934

Автор: Чистяков

МПК: G08B 23/00

Метки: времени, истечении, прессах, сигнализации, сушильных, сушки

...сигнальное устройство, автоматически подающее сигнал об окончании сушки, что достигается замыканием цепи электрического звонка или сигнальной лампы.На чертеже фиг. 1 изображает поперечный разрез предлагаемого устройства; фиг 2 - 3 - соответственно боковой вид; фиг. 4 - принципиальную схему присоединения прибора к прессу; фиг, 5 - также поперечный разрез прибора, но с присоединением к нему счетчика оборотов, предназначаемого для контролирования производительности пресса. ектрического звонка сигнальной лампы. жет быть укреплен ротов 15 (фиг. 5), нный с диском 5 тва через посредство м необходимо отмеенени и сигнальногопоказания счетчика еделения истиннойнеобходимо раздес, получаемую от ужности диска 5 не колесика...

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Номер патента: 585431

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Заметин

МПК: G01N 21/00

Метки: перехода, сегнетоэлектрического, температуры

...температуры фанового перехода как в объеме образцатак и в тонком слое на его поверхности. Объясняется это тем, что приизмерении глубины модуляции прошедшегочерез образец потока излучения, в 6процессе модуляции участвует весьобъем находящегося на пути потокаизлучения вещества, т. . измеряетсятемпература, Фазового перехода объема.Прй измерении же глубины модуляции 1отраженного потока излучения в процессе модуляции участвует (взаимодействует со светом) лишь поверхностный слой, причем толщина слоя с 11(глубина проникновения потока электраглагнитного излучение в вещество)зависит от длины волны падающего потока излучения как д= + (см), гдесс - коэффициент поглощейия. Так каког.(оэ)может изгленяться от единиц довеличин порядка 10 см , то и...

Номер патента: 838279

Опубликовано: 15.06.1981

Авторы: Боровой, Владыкин, Караваева, Лебедев

МПК: F26B 25/22

Метки: влажности, впроцессе, дистанционного, кон-троля, пиломатериалов, сушки

...через дешифратор 6 контрольным манометром 7 и мембранным потенциометрическим датчиком 8, сигнал с которого подается на нормирующий преобразователь 9 и на измерительный многоканальный прибор 10, на один из каналов которого подключен компенсатор 11 начального веса тележки и пиломатериала. В начале сушки компенсатором 11 начального веса на одном из каналов измерительного прибора 10 устанавливают стрелку на начальную отметку шкалы. По мере высыхания пиломатериала вес штабеля умень. шается, усилие действующее на рельсы-консоли 1, жесткие центры 2 и эластичные силовые мембраны 3 гидравлических датчиков 4 тоже уменьшается, соответственно уменьшается давление жидкости в системе, соединенной трубопроводами 5. Это контролируется манометром 7,...

Номер патента: 1335820

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01

Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов

...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...