Устройство передачи дискретных сигналов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 19) О 1 1015 19/О 594 Н ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 18 ехнический ин А.Мелконя Искусство схеир, 1983, с,50,свидетельство СССР Н 03 К 19/08, 198 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54) УСТРОЙСТВО ПЕРЕДАЧИ ДИСКРЕТНЫХСИГНАЛОВ(57) Изобретение относится к импульсной технике, и может быть использовано в устройствах цифровой автоматикии вычислительной техники. Цель изобретения - повышение быстродействияи увеличение выходного уровня логической единицы. Устройство содержитп-р-п-транзистор 1, резисторы 3,9,10,12, ТТЛ-элемент 5, р-и-р-транзистор8. Для достижения поставленной целив устройство введен конденсатор 6 ииспользован элемент И-НЕ в ТТЛ-элементе.ил.Изобретение относится к импугьсНой технике и может быть использовано в устройствах цифровой автоматики и вычислительной техники.Целью изобретения является повышение быстродействия и увеличение вы - ходно:;-о урвня погической единицы.На чертеже представлена принци. -пиальная схема устроиства передачидискретных сигналов.Устройство передачи дискретньгхсигналов содержит и-р-и-транзистор 1,.эмиттер которого соединен .: выходом2 устройства, а база через первый резистоо 3 подключена к входу 5 устройства и первому входу ТТЛ-элемента 5И-НЕ, второй вход которого соедин нс коллектором и-р-и-транзисторабаза которого через конденсатор б сзединена с общей шиной , база и эмиттер р-и - р-транзистора 8 соответст -венно через второй и третий резисторы 9, 1 О соединены с шиной 11 питания, коллектор подключен к выходу 2устройства, а база через четвертыйрезистор 12 соединена с выходом 1 Т . -элемента 5,Устройство передачи дискретныхсигналов работает следующим образсьДопустим 1 ча Бхоп ц пОдан уровень логического Ои (Б О). Посколь-.ку ТТЛ-элемент 5 инвгртирует логи-ес -кий сигнал, то на егз выходе присутствует высокий уровень (П - +5 В благодаря резисторам 9,2), Пзэтомур-п-р-транзистор 8 заперт. 3 это вре-.мя заперт также п - р - и-транзистортак как на его базе присутствует низкий уровень потенциала, Следовательно на выходе 2 устройства, т,е. Нанагрузке, - низкий уровень .потенниала (П х О), В этсм случае при ксрот-.Оком замыкании (к.э.) выходя 2 на общую шину(к.з, между сигнальной иэкрЯнной жилами нагрузочного кабсл 5:или витой пары) нет опасности прсбсяр-и-р-транзистора 8,Допустим на вход А подан "ровеньлогической1, Поскольку на входеп-р-п.-транзистора 1 имеется интегрирующая цепочка на резисторе 3 и ко: -денсаторе б. то положительный перепад сигнала на входе 4 достигает базы и р "и транзистора 1 с Определен .ОЙзадержкой. За это время ТТЛ-элеменг5 успевает сработать, В результатена выходе ТТЛ-элемента получаетсь 1 о; гнизкий уровень потенциала (П " 0) .Поэтому р-г.-р-транзистор 8 открывается, Ня выхсдс 2 схемы получаетсявысокий урсвень потенциала (П ), которь:й поддерживает запертое состояниеп-р-и-транзистора 1.В этом состоянии если произойдетк.з. выхода на общую шину , п-р-итранзистор 1 откроется и на втором 1 О входе ТТЛ-элемента окажется низкийпотенциал, Следовательно, ТТЛ-элемент 5 переключится, на его выходепотенциал повысится и р-и-р-транзистор 8 закроет я. Тем самьп 5 предотвра щается пробой р-и-р-транзистора 8 оттока к,з. За время срабатывания цепиОбзатной связи (и-р-и-транзистор 1,ТТЛ-элемент 5 на резисторах 9 12)р-и-р-транзистор 8 открыт и через 20 него протекает ток кз. За это времячтобы р-и-р-транзистор 8 не пробивался, на его эмиттерной (или коллектозной) цепи ставится ограничиваю;:.;Ий резистор 1 О. При устранении к.з.и-р-и-транзисторзапирается, происходит Обратнсг переключение ТТЛ-элемента 5 и опять открывается р-и-р.ранзистор 8.Ч 50 рмулгиз обретенияУст:зойствс пере цачи дискретныхсигналов, содгржашее и-р-и-транзисгор эмиттер которого соединен с вы-л.одом устройства, а база подключенак первому выводу первого резистора,р-и-р- гранзистор, база и эмиттер которого соотве.гственно через второйтретий резистсры соединены с шиной-Л питания, ТТЛ-элемент, первый вход которого соединен с входом устройства,г выход подкгючен к первому выводу.=егвертого резистора, о т л и ч а юш. е е с я тем, что, с целью повыше 4" ния быстродействия и увеличения выХОДНОГО УРОВНЯ ЛОГИЧЕСКОЙ ЕДИНИЦЫ,введен конденсатор а в качес.тве1 ТЛ-элемента использован элемент1. - НВ, первый :зход которого соединен51: с торым вьводом первого резистора,второй вход - с колектором и-р-итранзистора, база которого через конденсатор ссепинена с общей шиной,второй вывод четвертого резисторазБ соединен с базой р-п-р-транзистора,коллек-ор которого подключен к выхо. 5 СТЧОЙСТВЯ,