Инверторная схема с минимальной асимметрией

(504 Н 3 К 1 20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к юпульсной технике, и может быть использовано при построении различных цифро-.вых ИС с. парафазными выходами, Цельизобретения - уменьшение задержкимежду выходными сигналами - достигается путем введения обратной связимежду выходными каскадами. Устройство содержит транзисторы 6,7,8,10,12,. 14,16, резисторы 9,11,13,15,17,18 еДля достижения поставленной цели вустройство введены диод 19, диодыБоттки 20,21,22, транзисторы 23,24,25,26,27, резисторы 28,29,30.1 ил.ны вместе, а эмитте-ы соецьнены базой третьего транзистора 8 и через первый резистор 9 с общей шиной 5 и эмиттерами тре"ьего " ранзистара 8, коллектор ервого транзистора 6 соединен с базой четвергага транзистора 10 и через второй резистор 11 с шиной питания А, коллектор второго транзистора 7 соединен с ба - зой пятого тр-нзис гора 12 и -.ер з третий резистор 13 с шиной питанияи коллекторам пятога транзистора 12, коллектор четвс.ртага рачзис.О ра 10 соединен " ба:ай ше таге тра- зистара 1 и через четвертый резистор 15 - с шиной питания 4 и с кол лектором шестого транзис-ара эмиттер четверто а транзистора О соединен с базой седьмого транзистора 16 и через пятый резис ор .7 общей шиной 5 и эмиттсрам седьмого транзистора 16, коллектор котарага соединен с прямой в,хоцнай шиной 3. первый вывод шестого резистора 18 соединен с шиной питания , диод 19 первь.й, второй и третий диоцы 11 оттки 20,21 и 22, восьмой, девятьй., дес.я" тый, адиннацца гый и двенадцатый трав зистары 23,24,25.,26 и 27, седьмой восьмой и девятый резисторы 28,29 и 30. Катоды диода .9 первого и второго диодов Оттки 20 и 21 соединены с входной шиной 1, анап перва: а диода Поттки 20 соединен с общей пи - ной 5, анод второго пиала 1 атти 21 соединен с эмиттерам васьмага тран- зистора 23, базой первого гранзис-" тора б и через седьмой резистор 28 с общей шиной 5, ано диода 19 соединен с базой вос,мего транзистор:.23 и вторым вывсда. естагэ реисто 1 г 5 пОИзобретение атис ситсяг.-;путьснай технике и может быть испальзс - вано при построеыии различных циро - вых ИС с парафразыыи выходами.Целью изобретения является уменьшение асимметрии выходных сигналов путем ввецения ооратной связи междувыходными каскадами.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема инверторной схемы с минимальной асимметрией,Ив ерторная схема с иимальнай асимметрией содержи г входную шину 1инверсную выходнуэ пину 2 прямую Вьгхаднуэ шину 3шинъ птсния) общую пину 5, первь и второй транзисторы 6 и 7 базы которых саед:не -6 2ра 18 коллектор васьмога транзистора 23 через восьмой резистор 29 соединен с шинй питания 4 .эмиттер пятого транзистора 2 соединен с базой девятого транзистора 24, эмиттер которого соединен с кал:ектаром десятого транзистора 25 и с инверсной выходной шиной 2, а коллектор - с шиной питания 4, эми".тер десятого транзистора 25 соединен с коллектором третьего транзистора 8, а база - с катодом третьего диаца ,1 аттки 22, анод которого соединен с коллектором одиннад,атага транзистора 26 и через девятый резистор 30 с ниной питания 4, базы и эмиттеры агиннадцатога и четертога гранэистаров 26 и 10 соединеы попарно эмиттср и коллектор песгого транзи тара 4 саединень соответственна с базой и коллектором дветацца гога тр;:.Нзис.ора 27, эмиттер кс торога са;,:;инеи с прямой выходной .-. най 3, первй, второй, третий, с.твертый, пя тый, шестой, седьмой, восьмой, десятый и одиннадцатый транзисторы 6,7,810,12,14,16,23,25, 26 имеют переходы 1 Цоттки.Схема рабстает следующим образом.Гсли на .тику 1 подан низкий уровень напряжения, та диац 19 открыт, а транзис гарь 23,67 и 8 закрыты, :ак как Отс,тствует ток в базовых цепях этих т 1:анзисторав, На шине 2 ссорыируетс высокий уровень напряжения. так как транзисторы 12 и 24 будут Открыть, высокий уровень наг- ряжения на коллектгре закрытого транистора 6 приводит к паявлениэ токабазовых елях г:анзисторов 26 и 10. .ранзистары 26 и 10 Открываются, иачинают пОс гекат., таки через резисторы О и 15 образующие базовый Ок тран .Истора 1., 0 ткрытый тран - "исгср 16 формирует на шине 3 низ- кЙ уров сН напряжения . . рянз истар 25 закрыт, так как закрыт транзистор 8 и атсутс еует замкнутая цепь для протекания базава О така транзиста- Г а 25. Слецсватегна, гри наличии на шинеНизкого у-.авня напряжения на шине 2 фсрм:руе гся высокийуравень напряжения, а не 1 и:е 3 - низкий уровень апряж ния, 1 ри изменении на пине 1-аряжения с низкого уровня на высо - кий диац 19 закрывается, в базу транзистора 23 гСступяет так От шины пи".ачия - чеез резистор .8, начинает ра"екать так через резистор 29, сткрываюся тэанзис.тары 6,7, в кал13110 35изобретения Формула ВНИИПИ Заказ 1902/55 Тираж 902 Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лекторных цепях этих транзисторов появляются токи, определяемые резисторами 11,13 и открывается транзистор 8. Таким образом, на коллекторе тран.Л. зистора 8 формируется низкий Уровень напряжения. Однако на шине 2 сохраняется высокий уровень напряжения до момента, пока не откроется транзистор 25, т.е, пока не закроется транзистор 26, и потенциал на его коллекторе не возрастет и станет достаточным для протекания тока через диод 22 в базу транзистора 25. Транзистор 16 выключается через резистор 17, а открытые транзисторы 14 и 27 образуют 5 на шине 3 высокий уровень напряжения. Низкий уровень напряжения на коллек.торе транзистора 8 передается через открытый транзистор 25 на шину 2.Таким образом, введение обратной 20 связи между первым и вторым инверторами приводит к тому, что низкий уровень напряжения на шине 2 не может сформироваться раньше, чем на шине 3 начнет формироваться высокий уровень 25 напряжения. Следовательно, устраняется задержка между сигналом на шине 3 и сигналом на шине 2. Антизвонный диод 20 в схеме предназначен для ограничения величины отрицательных 30 помех на входе схемы. Рассасывающий диод 21 и резистор 28 образуют цепь выключения транзисторов 6 и 7, резистор 9 выключает транзистор 8. Инверторная схема с минимальной асимметрией, содержащая входную шину, инверсную выходную шину, прямую 40 выходную шину, шину питания, общую шину, первый и второй транзисторы, базы которых соединены вместе, а эмиттеры соединены с базой третьего транзистора и через первый резистор 45 с общей шиной и эмиттером третьего транзистора, коллектор первого транзистора соединен с базой четвертого транзистора и через второй резистор - с шиной питания, коллектор второго 50 транзистора соединен с базой пятого транзистора и через третий резисторс шиной питания и коллектором пятого 16 4транзистора, коллектор четвертогогранзистора соединен с базой шестогогранзистора и через четвертый резистор - с шиной питания и с коллектором шестого транзистора, эмиттернетвертого транзистора соединен сбазой седьмого транзистора, коллекторкоторого соединен с прямой выходнойшиной и через пятый резистор - с общей шиной и эмиттером седьмоготранзистора, первый вывод шестогорезистора соединен с шиной питания,о т л и ч а ю щ а я с я тем, что,с целью уменьшения асимметрии выходных сигналов, в него введены диод,первый, второй и третий диоды Шотткивосьмой, девятый, десятый, одиннадцатый и двенадцатый транзисторы,седьмой, восьмой и девятый резисторы,катоды диода, первого и второго дио"дов Шоттки соединены с входной шиной, анод первого диода 1 оттки соединен с общей шиной, анод второгодиода Шоттки соединен с эмиттеромвосьмого транзистора, базой первоготранзистора и через седьмой резисторс общей шиной, анод диода соединен сбазой восьмого транзистора и вторымвыводом шестого резистора, коллекторвосьмого транзистора через восьмойрезистор соединен с шиной питания,эмиттер пятого транзистора соединенс базой девятого транзистора, эмиттер которого соединен с коллекторомдесятого транзистора и с инверснойвыходной шиной, а коллектор - с шиной питания, эмиттер десятого транзистора соединен с коллектором третьего транзистора, а база - с катодомтретьего диода 11 оттки, анод которогосоединен с коллектором одиннадцатоготранзистора и через девятый резисторс шиной питанйя, базы и эмиттерыодиннадцатого и четвертого транзисторов соединены попарно, эмиттер иколлектор шестого транзистора соединен,соответственно с базой и коллектором двенадцатого транзистора, эмиттер, которого соединен с прямой выходной шиной, первьй, второй, третий,четвертый, пятый, шестой, седьмой,восьмой, десятый и одиннадцатыйтранзисторы имеют переходы Шоттки.