Способ выявления неисправности обмоток статоров трехфазных электрических машин

Номер патента: 428319

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Бархаев, Кудр, Лысенко

МПК: G01R 33/02

Метки: квантовогопреобразователя, магнитного, поля, проникающего, экран

...ном значении рабочего тока), изменяет свое положение в пространстве, Возникающая при этом вариация суммарной напряженности, определяемая по вариации частоты генерации датчика, позволяет определить величину проникающего поля.Связь между величиной Нп и вариацией частоты Л при вращении преобразователя показана на фиг, 1 на примере наиболее типичной ситуации. Экранированный преобразователь находится в магнитном поле Земли (МПЗ), вектор которого образует угол Р с плоскостью горизонта. Проникающее поле Н совпадает по направлению с МПЗ. Вектор Н образует угол 5=45 с плоскостью горизонта, в которой преобразователь совершает поворот на 360,Суммарная напряженность НЕ, имеет максимальное значение (НХ; .), когда угол а между векторами Нр и Н....

Номер патента: 451028

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Смирнова, Тридуб, Черпак, Шамфаров

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, однородности, поля, постоянного, сверхпроводящем, соленоиде, ферромагнитным, экраном

...оборудования,специальных приспособлений для перемещения соленоидов относительно датчиков магнитного поля, расположенных в жидком гелии, внутри сосуда Дьюара, наличия ВЧили СВЧ -техники,Цель изобретения - упростить процессизмерения однородности магнитного поля,Для этого соленоид при комнатной температуре запитывают переменным током 2определенной амплитуды и частоты и измерянт распределение переменного магнитного поли с помопью, например, пробной катушки.Частота и амплиту при которы однородност нородностью ного поля пр ляются из 5 ю Ф гт тй магнитного э олшина а о оле- постоянное магнитнле наиде;- максимальное пост В тное м В э иту- поля 9 ана;астота пе еменно да переменного тока, 25 ока;.р.,2) Авторы Я. Л, ШАМФАРОВ изобретения...

Номер патента: 1223305

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Костин, Напольских, Овечкин, Прохоров, Усов

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, интегральных, источник, магнитного, магнитных, поля, схем

...соответствующих секций (фиг. 2) используют для подключения катушек 1 и 2 к источникам тока.Предложенный источник вращающегося магнитного поля работает следующим образом. При подаче токов синусоидальной или пилообразной формы, сдвинутыхопо фазе на 90 , на выводы катушек 1 и 2 между соответствующими секциями 4 возникают четыре области вращающегося магнитного поля управления движением 19 Щ, так что на каждом основании можно размещать четыре магнитные интегральные схемы или четыре группы кристаллов с синхронным перемещением цилиндрических магнитных доменов в каждом кристалле.Так как все основания с кристаллами могут быть установлены в источнике без охвата их обмотками со всех сторон, то предлагаемое устройство конструктивно проще известного,...

Номер патента: 1639363

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Литвиненко, Могилко, Павлюк, Пирогов, Семиноженко

МПК: H01L 39/24

Метки: величины, внутри, заданной, магнитного, поля, экрана

...тока в соленоиде.При охлаждении экрана до 77,4 К (температура жидкого азота) в неэкранированном пространстве в экране захватывается магнитное поле Земли с продольной составляющей 0,46 Э. При изменении внешнего магнитного поля Нвнеш создаваемого соленоидом, от 0 до - 11,0 Э поле внутри экрана остается неизменным и равным 0,46 Э,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР1639363 Из таблицы следует, ч ния поля наЬ Н= 0,1 экрана уменьшается и чере ся равным чувствительност го датчика - 2,2 10 2 Э, С по показаниям феррозонд тается на уровне его чувст о после измене- Э поле внутри 8 мин становит- и феррозондововременем поле вого датчика осительности в теоставитель А,Семеновехред М.Моргентал Корректор С.Юск Н.Кол Реда аказ 1968 Тираж...

Номер патента: 1119080

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Солощенко, Степанишин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, запоминающего, магнитного, магнитных, поля, устройства, формирования, цилиндрических

...ключа и блок управления ключами 2.Недостаток этого устройства - неудовлетворительная надежность.Цель изобретения - повышение надежности устройства формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах.Поставленная цель достигается тем, что в устройство формирования вращающегося 25 магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого...