Элемент аналоговой памяти

Номер патента: 983754

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Адилов, Азимходжаев

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...- 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из слюдяной пластинки,перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученныйкатодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1).На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая являетсятретьим электродом 4, над электродом. сток 2 наклеивают специальным клеемсветонепропускающую диэлектрическуюпластину - полоску из непрозрачнойслюды шириной 1 500 мкм, котораяявляется дополнительным изолирующимслоем б,Аналогичные результаты дает и дру"гой вариант исполнения, заключающийсяв образовании более толстого светонепропускающего слоя из платины (ширинойЙ500 мкм),30Принцип-работы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.На входы 11 и 12 элемента памяти,равномерно...

Номер патента: 1585834

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Рожков, Романенко, Шалимова

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...обеднению поверхности подложки 1 основными носителями заряда, а величина превышает пороговое значение 5 - 70 В происходит быстрое переключение за время менее 0,5 мкс (фиг,3) в проводящее состояние с сопротивлением 10 - 10 Ом, Вольтамперная харак 4теристика элемента после переключения в проводящее состояние изображается кривой СОО на фиг.2. Это состояние устойчиво, запоминается элементом и сохраняется при отключении питания,При приложении напряжения, обогащающего поверхность полупроводниковой подложки 1 основными носителями заряда, и пропускании через элемент тока большео пороговой величины, около 100 мкА, происходит обратное переключение элемента из проводящего в исходное высокоомное состояние за время 0,4 мкс (фиг.3)....

Номер патента: 570282

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Мишин, Черепов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...большое число управ ляющих выводов, что существенно усложняет конструкцию отсчетного устройства. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей элемента памяти.Достигается это тем, что элемент памяти содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке и"типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины соединен с полупроводниковой подложкой и-типа. Такое выполнение увеличивает функциональные возможности элемента и расширяет область его применения, так как предлагаемый элемент представляет собой по существу разряд регистра сдвига с индикацией.На чертеже представлена конструкция устройства.Элемент содержит...

Номер патента: 960953

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Омельченко, Педченко, Плотников, Садыгов, Селезнев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...заряда или накопление положительного заряда.При этом величина потенциала плоских зон элемента памяти делается- более отрицательной. Таким образом,в зависимости от полярности и амплитуды поляризующего импульса напряжения, предварительно поданногона металлический электрод 5 величина потенциала плоских зон элемента Г памяти может принимать разные значения, Два из крайних значений потенциала плоских зон принимается за положения окна переключения элемента памяти. В первом случае элемент памяти находится в состоянии логической,1, а во втором случае он находится в состоянии логического 0, В режиме работы элемента памяти производится многократное переключение его.из одного логического состояния в другое.Испытания элемента памяти, у...

Номер патента: 1405088

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элемент, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства

...с записанным зарядом сток инвертируется с истоком, т. е. подается напряжение= 6 = .,3, до появления тока в канале величицой 1 мкА.Экспериментальные зависимости (фиг. 1) резЯсняют принцип считывания информации, если ее записывать как со стороны стока, так и со стороны истока. Пусть к затвору элемента приложено некоторое напряжение Ц = -1-5 В, находящееся внутри межпороговой зоны МНОП-элемента., = 2 В, ) = 9 В). Если элемент находится ц исходном состоянии, то его выход. цая характеристика имеет виднезависичо от того, какой электрод является стоком, т. е. ток в канале идет при любом напряжении ца стоке (1, . Если произведена запись со стороны стока, то эта характеристика примет вид 2. При этом напряжение ( соответствует напряжению...