Способ изготовления магнитопроводов магнитных головок

Номер патента: 107099

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Банков

МПК: B26D 1/46, B28D 5/04

Метки: германия, кремния, пластины, полупроводниковых, разрезки, слитка, станок, частности

...одним концом шарнирно соединена со станиной и может качаться вокруг оси шарнира. На расстоянии Я/з длины рамки от оси ее качания укреплен рамочный барабан 2 с намотанной на нем по спирали режущей проволокой о. В осевой плоскости барабана 2 непосредственно под ним расположена державка 4 разрезаемого слитка 5. Державка 4 укреплена на колене коленчатого вала б, коренные шейки 7 которого расположены горизонтально в вертикальной осевой плоскости рамочного барабана 2. Коленчатый вал б получает качательные движения от кривошипно- шатунного механизма о.Взаимодействие проволок Л с разрезаемым слитком 5 осуществляется в результате периодического возвратно-качательного движения вдоль проволок и надавливания на них слитка 5 в процессе колебаний...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления, пластин

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Номер патента: 1635827

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Асеев, Бельц, Горохов, Денисов, Тепман, Трищункин, Федина, Чулинина

МПК: H01L 21/322

Метки: внутреннего, геттера, кремния, пластинах, формирования

...м е р 1. Пластины кремния диаметром ,00 мм, легированные бором с концентрацией кислорода (б) 10 см.17 -3 подвертались окислению в хлорсодержащей среде при 1000 С до толщины окисла40 ф 10 нм, а затем температура в печи поднималась до 1200" С в газовой смеси азо1635827 Формула изобретения Составитель Т.СкомороховаТехред М,Моргентал Корректор Н Ревгкая Редактор Т,Кпюкинэ 3 аназ 4059 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.1 эг:рнл 101 та с кислородом с содержанием кислорода 2,5 -0,5 и сохраняпэсь в течение 4 ч. Затем температура в печи снижалась до 750 С и сохранялась на этом уровне в течение...

Номер патента: 535771

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воинов, Глущенко, Морохов, Фарбер

МПК: C30B 31/06

Метки: кремния, окисления, пластин, термического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.