Микрополосковый резонатор

Номер патента: 1644262

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Геворкян, Ковтунов, Спиричева

МПК: H01P 7/10

Метки: диэлектрического, корпусированной, линии, микрополосковой, настройки, резонатора, установленного

...сушке.На чертеже представлен диэлектрический резонатор, установленный в корпусированной микрополосковой линии, с элементами настройки по предлагаемому способу.Устройство имеет корпус 1, на котором установлена вспомогательная крышка 2, в центральной части которой выполнен выступ 3. Внутри корпуса 1 установлена диэлектрическая подложка 4, образующая совместно с корпусом 1 и вспомогательной крышкой 2 корпусированную микрополосковую линию.На поверхности диэлектрической подложки 4 установлен диэлектрический резонатор 5, размещенный в диэлектрической втулке 6, с противоположного конца которой введен выступ 3 вспомогательной крышки 2. Диэлектрический резонатор 5 совместно с диэлектрической втулкой 6 закреплены на поверхности диэлектрической...

Номер патента: 593298

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Липкович, Юрьев

МПК: H03D 7/00

Метки: полосковый, частоты

...размещенного от смесптельного диода 5 на расстоянии, кратном нечетному числу ,етвертей длины волны холостой частоты, причем длина кольца 6 равна половине длины волны холостой частоты. Полосковып преобразователь частоты работает следующим образом.Холостой контур образован отрезком основной линии передачи 1 длиной (2 й - 1) Х,./4, где lг= 1, 2, 3; ., в дли волны на холостой частоте - о. =ог+оэ, ог - частота гете- родина; оэ - промежуточная частота, и полу- волновым кольцом 6, представляющим собой замкнутый сам на себя самосогласованный отрезок линии передачи, в котором отсутствуют потери энергии на излучение, поэтому холостой контур является высокодобротным. По отношению к полюсам смесительного диода 5 холостой контур на частоте о,.=...

Номер патента: 1313314

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, кварцевых, поверхностных, подстройки, резонаторов, частоты

СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение частоты резонатора и сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют нагрев резонатора при температуре, превышающей 250oС, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов подстройки частоты и повышения ее точности, нагрев резонатора осуществляют в течение 20 - 40 мин, а температуру нагрева выбирают из выражения500 C > T = 250 C + A ,где Т - температура...

Номер патента: 1742903

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская

МПК: H01L 21/477

Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования

...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...

Номер патента: 1762726

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кондратьев, Тимошев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, резонаторов, центральной, частоты

Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.