Способ измерения эллиптичностей, направлений обхода и азимутов осей эллипсов поляризации собственных волн в кристаллах и устройство для его реализации

.Зс 59 С. 01,3 4/04 О ОБ ТЕНИН ВТОРСКОМУ ЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(717 Ордена Трудового Красного Знаме-, ни институт кристаллограФии им, А.В, Шубникова(56) 1. Меланхолин Н.М., Грум-Гржимайло С,В, Методы исследования оптических свойств кристаллов.М.,АН СССР, 1954, с, 13-15.2, Белянин Д,С Петров В.П. Кристаллооптика. М., Госгеолиздат, 1951, с. 48-52.(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЛИПТИЧНОСТЕЙ, НАПРАВЛЕНИЙ ОБХОДА И АЗИМУТОВ ОСЕЙ ЭЛЛИПСОВ ПОЛЯРИЗАЦИИ СОБСТВЕННЫХ ВОЛН В КРИСТАЛЛАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ. (57) 1, Способ измерения эллиптичностей, направлений обхода и азимутов осей эллипсов поляризации собственных волн в кристаллах, заключающийся в том, что на исследуемую кристаллическую пластинку направляют по нормали поляризованное излучение, изменяютазимут его поляризации по отношениюк исследуемой пластине до совпаденияазимута поляризации вышедшего из пластины излучения с азимутом падающего нпластину излучения, измеряют данныйазимут, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью непосредственного измерения эллиптичностей, направлений обхода эллипсов поляризации собственныхволн, в исследуемой кристаллической пластине вырезают кристаллическую пластину так, чтобы нормаль к ней совпадала с направлением волновой.801006930 мали в кристалле, направляют по нормали на исследуемую кристаллическую пластину эллиптически поляризованное излучение, изменяют эллиптичность и направление обхода эллипса поляризации падающего излучения до полного совпадения состояний поляризации падающего на пластину и выходящего из нее излучения и регистрируют эллиптич- ность и направление обхода эллипса поляризации, соответствующие эллиптичности и направлению обхааа собственных волн в кристаллической пластине.2. Устройство,для измеренияэллиптичностей, направлений обхода и азимутов. осей эллипсов поляризации а собственных волн в кристаллах, содержаее последовательно расположенные по ходу луча поляризатор, кристаллодержатель, установленный с возможноС- тью вращения вокруг оси пучка с от,счетным устройством, анализатор, причем поляризатор и анализатор ры установлены так, что их плоскости ар пропускания скрещены, о т л и ч а ю- в, щ е е с я тем, что, с целью непосредственного измерения эллиптичностей, направлений обхода эллипсов поляризации собственных волн в исследуемой фф кристаллической пластине, после поля- АР ризатора расположен первый компенсатор, а перед анализатором расположен второй компенсатор, при этом .главные оси компенсаторов составляют угол 45 ф с плоскостями пропускания по- ф ляризатора и анализатора, компенсаторы снабжены отсчетным устройством и связаны между собой так, что созда. ют одинаковые по величине и противоположные по знаку разности Фазы.15 Эта цель достигается тем, что согласно способу измерения азимутов осей эллипсов поляризации собственных волн в кристаллической пластинке, за 1 100693Изобретение относится к способамизмерения оптических характеристикматериалов, а точнее кристаллов, аименно к способам измерения параметров эллиптичной поляризации собствен.ных волн в кристаллах.Известны способы и устройство дляизмерения параметров эллиптическойполяризации собственных волн в кристаллах 1.1 ООднако эти способы и устройстване позволяют одновременного и непосредственного определения параметровэллиптической поляризации собственныхволн в кристаллах.Наиболее близким к изобретениютехническим решением" является способизмерения эллиптицностей, направлений обхода и азимутов осей эллипсовполяризации собственных волн в кристаллической пластинке, заключающийсяв том, цто на исследуемую кристаллическую пластинку направляют по нормали поляризованное излучение, изменяют азимут его поляризации по отношению к исследуемой пластинке до совпадения азимута поляризации вышедшегоиз пластинки излучения с азимутомпадающего на пластинку излучения, измеряют данный азимут, а также устройство для измерения эллиптицностей,направлений обхода и азимутов осейэллипсов поляризации собственных волнв кристаллах, содержащее последовательно. расположенные по ходу лучаполяризатор, кристаллодержатель,установленный с возможностью вращения вокруг оси пучка с отсчетным уст.ройством, анализатор, причем поляризатор и анализатор установлены так,цто их плоскости пропускания скреще фны 2 1.Недостатком известных способа иустройства является невозможность одновременного и непосредственного измерения эллиптичностей, направлений обхода эллипсов поляризации всехсобственных волн в исследуемой кристаллической пластинке.Целью изобретения является непосредственное измерение эллиптицностей, направлений обхода и азимутаосей эллипсов поляризации собственныхволн в исследуемой кристаллическойпластинке. клюцающемуся в том, что на исследуемую кристаллическую пластину направляют по нормали поляризованное излучение, изменяют азимут его поляризации по отношению к исследуемой пластине до совпадения азимута поляризации вышедшего из пластины излучения с азимутом падающего на пластину излучения, измеряют данный азимут, вырезают кристаллическую пластину так, чтобы нормаль к ней совпадала с направлением волновой нормали в кристалле, направляют по нормали на исследуемую кристаллическую пластину эллиптицески поляризованное излучение, изменяют эллиптичность и направление обхода эллипса поляризации падающего излучения до полного совпадения состояний поляризаций падающего на пластину и выходящего из нее излучения и регистрируют эллиптичность и направление обхода эллипса поляризации в данном состоянии поляризации, соответствующие эллиптичности и направлению обхода собственных волн в кристаллической пластине, а в устро,:стве для измерения азимутов оси эллипсов поляризации собственных волн в кристаллах, содержащем последовательно расположенные по ходу луча поляризатор, кристаллодержатель, установленный с возможностью вращения вокруг оси пучка с отсчетным устройством, анализатор, причем поляризатор и анализатор установлены так, что их плоскости пропускания скрещены, после поляризатора расположен первый компенсатор, а перед анализатором расположен второй компенсатор, при этом главные оси компенсаторов составляют угол 45 с плоскостями пропускания поляризатора и анализатора, компенсаторы снабжены отсцетным устройством и связаны между собой так, что создают одинаковые по величине и противоположные по знаку разности фаз.На чертеже изображено предлагаемое устройство для измерения эллиптичности и азимута собственных волн в крис. таллах с двумя спаренными компенсаторами Бабине-Солейля.Устройство содержит падающий луч 1 неподвижный поляризатор 2 с азимутом колебаний +45 по отношению к вертикальной еси Х, компенсационную пластину 3, неподвижный 4 и подвижный 5 клинья первого компенсатора, лимб 6 со шкалой, отсчетный индекс 7, крис.Ужгород,ул.Проектна НИИПИ Зака ираэ 871 П 2123/ писно