Гелиоприемник
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ПИСАН ОМ В ю между лойную ант еньшей мере овлен с возм ельно корпус лью повыше онвективной ненных меж , причем сло ю перемещен ий вРи ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(54) (57) ГЕЛИОПРИЕМНИК, содержпрозрачное покрытие, поглотитель и уст ленну двухс по м устан носит с це антик соеди ячеек ность гого. ними по меньшей мере иконвективную структуру,один из слоев которой ожностью перемещения ота, отличающийся тем, что, ни я КПД, каждый слой структуры выполнен в виде ду собой вертикальных и установлены с возможия один относительно дру1222990 Фиг, г Составитель К, Заграничная Тех ред И. Верес Корректор Е. Рошко Тираж 649 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская иаб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор И. ДербакЗаказ 1697/40 Изобретение относится к гелиотехнике, конкретно к солнечным коллекторам со светопроницаемым покрытием.Цель изобретения - повышение КПД коллектора за счет усовершенствования конструкции подвижной антиконвективной структуры, в результате которого при перемещении значительно снижаются потери тепла при незначительном увеличении затенения.На фиг.1 изображен гелиоприемник; на фиг.2 - антиконвективная структура при температурах выше критической, вид сверху.Гелиоприемник содержит прозрачное покрытие 1, поглотитель 2 и установленные между ними два слоя 3 и 4 антиконвективной структуры, выполненной в виде соединенных между собой вертикальных ячеек 5, выполненных из отрезков стеклянных труб. Верхний слой 3 установлен с возможностью перемещения относительно нижнего слоя 4, для чего слой 3 снабжен рамой, установленной в направляющих желобах (не показаны).Гелиоприемник работает следующим образом.В утренние часы, когда солнечная радиация начинает нагревать поглотитель 2 гелиоприемника, слой 3 ячеистой антиконвективной структуры устанавливают в такое положение, которое обеспечивает минимальное затенение поверхности поглотителя 2 (фиг.1) При этом ячейки 5 слоя 3 расположены строго надячейками 5 слоя 4. Температура поглотителя 2 начинает быстро расти, и, когда она достигнет критического значения, слой 3 перемещают относительно слоя 4 в положение максимального затенения (фиг.2), которое обеспечивает значительное снижение тепловых потерь путем радиации и конвекции. При этом возможно автоматическое перемещение, например, при помощи нагреваемого сильфона (не показан), настроенного на критическую температуру.Радиационные тепловые потери снижаются благодаря тому, что стенки ячеек 5 слоев 3 и 4 поглощают часть вторичного излучения от нагретой поверхности поглотителя 2 и переизлучают его опять на поглоти тель 2. Конвективные теплопотери резко снижаются благодаря более эффективному подавлению естественной свободной конвекции воздуха в пространстве между прозрачным покрытием 1 и поверхностью поглотителя 2 за счет уменьшения проходного сечения каждого канала для воздуха, образованного стенками ячеек 5 слоев 3 и 4. Благодаря этому обеспечивается высокая эффективность работы гелиоприемника при высоких температурах.В вечерние часы, когда интенсивностьсолнечной радиации падает, температура поглотителя 2 снижается, и, когда она достигнет критического значения, слой 3 снова устанавливают в положение наименьшего затенения поверхности котла 1, что умень шает снижение эффективности работы гелиоприемника за счет затенения слоями 3 и 4 ячеистой структуры,Таким образом, при температурах нижекритической, когда при увеличении количества ячеек 5 снижение эффективности работы за счет затенения поглотителя 2 превышает эффект от снижения конвективных и радиационных потерь, количество ячеек 5 минимально, а при температурах выше критической - максимально.
СмотретьЗаявка
3817288, 27.10.1984
КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО "ШТОРМ" ПРИ КИЕВСКОМ ОРДЕНА ЛЕНИНА ПОЛИТЕХНИЧЕСКОМ ИНСТИТУТЕ ИМ. 50-ЛЕТИЯ ВЕЛИКОЙ ОКТЯБРЬСКОЙ СОЦИАЛИСТИЧЕСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ
СУПРУН АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, СТРОНСКИЙ ЛЕВ НИКОЛАЕВИЧ, ШЕВЧЕНКО ВАЛЕРИЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: F24J 2/50
Метки: гелиоприемник
Опубликовано: 07.04.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1222990-geliopriemnik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гелиоприемник</a>
Способ определения типа проводимости слоев полупроводниковых структур
Номер патента: 1045313
Опубликовано: 30.09.1983
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа
...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...
Способ оптического контроля дефектов нижних слоев кремниевых структур
Номер патента: 1819068
Опубликовано: 27.10.1996
Авторы: Поборцев, Солонинко, Чарушкина, Чигирь
МПК: H01L 21/66
Метки: дефектов, кремниевых, нижних, оптического, слоев, структур
...СС 14 в течение 5 мин.В результате указанных операций травления на поверхности кристалла образовывался микрорельеф, представляющий собой ямки и бугорки травления и т.н, "Спейсеры", образующиеся по периметру шин металлизации. Средняя величина непланарности составляла 0,70+0,12 мкм, Оценка глубины ямок травления и высоты "спейсеров" и бугорков проводилась на растровом электронном микроскопе типа 1 БМ.После удаления пассивирующего слоя ислоя верхней металлизации проводился контроль дефектов нижнего слоя поликремниевой разводки по способу-прототипу, однако, из-за наличия микрорельефа на поверхности ИМС минимальный размер элементов, доступных для контроля, составлял 5,0 мкм, Затем поверхность кристалла тщательно очищалась на установке...
Способ контроля степени упорядоченности структуры холестерических жидкокристаллических слоев
Номер патента: 849880
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Сонин, Сухенко, Шибаев
МПК: G02F 1/13
Метки: жидкокристаллических, слоев, степени, структуры, упорядоченности, холестерических
...абсцисс, пересекающий ее в точке С, а вторую спектрограмму 11, являющуюся опорной кривой, в точке О. Полученный отрезок ОС делят пополам и из его середины в точке Д проводят кривую, аналогичную и параллельнуЮ опорной кривой 11, до пересечения ее с реальной и восстановленной спектрограммами 1 и 111 соответственно в точках В, А, и Е. Из этих точек опускают перпендикуляры на ось абсцисс соответственно в точках В, А и Е. Определяют величину полуширин реальной и восстановленной полос пропускания - отрезков ЕВ и ЕА. Находят искомую степень упорядоченности структуры или иначе параметр порядка Я, по формуле (1), как отношение найденных полуширин полос пропускания:Ю,: :" . (1)ЬХрал, ЕвПри идеально упорядоченной структуре жидкого кристалла, когда...
Устройство для определения момента окончания травления нарушенного слоя полупроводниковых структур
Номер патента: 1608486
Опубликовано: 23.11.1990
Авторы: Михалев, Монахов, Петров, Попов, Степанов
МПК: G01N 5/00
Метки: момента, нарушенного, окончания, полупроводниковых, слоя, структур, травления
...1. Полупроводниковая структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепляется на элементе 2. Далее сосуд заполняют травителем и производят балансировку весов с учетом массы сосуда с травитенем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.При достижении балансировки весов производят их включение для регистрации суммарного эффекта от увеличения массы травителя за счет растворения в нем нарушенного слоя и от уменьшения массы и объема полупроводниковой структуры в процессе травления.Напряжение, возникающее при движении катушки 10 в поле магнита 11, определяет скорость травления нарушенного слоя. Изменения веса и скорость регистрируют с помощью...
Способ формирования структуры слоя окатышей
Номер патента: 789613
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин
МПК: C22B 1/14
Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования
...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...
Предыдущий патент: Устройство для вентиляции помещений
Следующий патент: Теплоиспользующая газовая холодильная машина
Случайный патент: Способ анодирования бериллия и его сплавов