Фотомеханический способ изготовления рельефных изображений
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 121453
Автор: Реготун
Текст
Лв 121453 Класс 15 Ь, 1 ю 1 СССР АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ А готунПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯЗОБРАЖЕНИ И ОТОМЕХАНИЧЕСКИЙ РЕЛЬЕФНЫХаявлено 15 декабря 1958 г, за614045 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРнн 1)15 за 1959 ублнковано в Ь 1 оллетен изоб Известны фотомеханические спосооы изготовления рельефных изображений нанесением на металлическую пластину светочувствительногослоя, экспонирования на слой репродуцируемого изображения, окрашивания и проявления копии, обжига и последующего травления пластины.Описываемый способ отличается от известных тем, что для болеечеткого выделения элементов изображения применяют химическое чернение фона,Способ состоит в следующем. Металлическую, например алюминиевую, пластину, предназначенную для нанесения изображения, обезжиривают, протирая ее кашицеобразной взвесью венской извести в воде споследующей промывкой в проточной воде. На обезжиренную пла:тинуизвестным путем, например в центрифуге, наносят светочувствительныйслой. В качестве последнего используется хромированный коллоид. Может быть применена эмульсия следующего состава;желатина - 50 гдвухромовокислый аммоний - 18вода - 1 лНа очувствленную пластину известными методами экспонируют репродуцируемое изображение. Проэкспонированная пластина окрашивается в двухпроцентном растворе метилвиолета и проявляется известным способом. Затем пластина высушивается и подвергается обжигупри температуре в 300. Оборотную сторону пластины покрывают кислотоупорным лаком после чего пластину подвергают травлению,Может быть использована следующая ванна травления:медный купорос 300 гхлористый натрий - 100 в 2вода 1 л121453 Пред м ет изобретения Фотомеханический способ изготовления рельефных изображений путем нанесения на металлическую пластину светочувствительного слоя, экспонирования на слой репродуцируемого изображения, окрашивания и проявления копии, обжига и последующего травления пластины, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что для более четкого выделения элементов изображения путем химического чернения фона, протравленную пластину погружают, например, на 1 - 2 мин. в водный раствор едкого патра,Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр. 57Информационно-издательский отдел.Обьем 0,17 и. л, Зак. 7332 Полл. к печ. 9.1 Х 59 г.Тираж 710 Цена 25 коп. Типография Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14Продолжительность травления на глубину 0,2 - 0,3 мм - 3 мин. Через каждые 30 сек. пластину вынимают из ванны травления и промывают в проточной воде, снимая пену с поверхности пластины волосяной кистью.После травления пластину обрабатывают в ванне чернения, причем одновременно происходит снятие эмульсии с изображения. При этом поверхность пластины, освобожденная от светочувствительного слоя, чернению не подвергается.В качестве ванны чернения может быть использован следующий состав: едкий натр - 200 г и вода - 1 л.Обработка пластины в указанной ванне продолжается 1 - 2 мин
СмотретьЗаявка
614045, 15.12.1958
Реготун И. А
МПК / Метки
Метки: изображений, рельефных, фотомеханический
Опубликовано: 01.01.1959
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-121453-fotomekhanicheskijj-sposob-izgotovleniya-relefnykh-izobrazhenijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотомеханический способ изготовления рельефных изображений</a>
Способ травления пластин для твердых выпрямителей и фотоэлементов
Номер патента: 31516
Опубликовано: 31.08.1933
МПК: H01L 21/465
Метки: выпрямителей, пластин, твердых, травления, фотоэлементов
...твердых или контактных фотоэлементов или, говоря иначе, для фотоэлементовзаградительным слоем, а также для контактных выпрямителей. Как известно, пластины подобных фотоэлементов и выпрямителей имеют слой проводника и полупроводника, например слой меди и закиси меди, при чем фотоэффект и выпрямительное действие, согласно теории, разработанной 5 сЬопку, происходят за счет границы между проводником и полупроводником.Трудность полученипокрытых слоем закиси я в том, что закись полусительно высокой темп а я медных пластин меди, заключаетс чается при отно ературе (порядк 900), при более же низкой температуре медь переходит в окись меди. Поэтому приходится прибегать к дополнительному удалению слоя меди, например, посредством травления, Для...
Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов
Номер патента: 1086997
Опубликовано: 10.08.1996
Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский
МПК: H01L 21/306
Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления
1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...
Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин
Номер патента: 1436775
Опубликовано: 30.12.1990
Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский
МПК: H01L 21/306
Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления
...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...
Способ очистки алюминиевой формной пластины офсетной печати от электрографического изображения
Номер патента: 1461642
Опубликовано: 28.02.1989
Авторы: Ничепуренко, Шапиро
МПК: B41N 3/06
Метки: алюминиевой, изображения, офсетной, печати, пластины, формной, электрографического
...стеклянную или стальную ванну, соответствующую размеру фольги, находящуюся в вытяжном шкафу, помещают гомогенную смесь и окунают в нее последовательно листы фольги текстом вверх на 10 - 12 мин при 20 - 30 С. Над фольгой должен быть слой раствора не менее 2 см. Наблюдается слабое выделение пузырьков газа и удаление полиграфического текста одновременно с печатной краской, Листы фольги, очищенные от текста в вытяжном шкафу, переносят в ванну с проточной водой, в которой поверхность фольги протирают пороло 4 процесс ведут, как и в а лишь в очищающих Готовят аналогичную смесь сотношением компонентов 10,4:1461642 конО ОК ОН ОК Формула изобретения Составитель О. ЛисичкинаРедактор А. Маковская Техред И. Верее Корректор М. ПожоЗаказ 554/14...
Способ локального химического травления монокристаллических ферритовых пластин с защитной маской
Номер патента: 1159442
Опубликовано: 27.08.1995
МПК: G11B 5/127
Метки: защитной, локального, маской, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых, химического
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН С ЗАЩИТНОЙ МАСКОЙ в водном растворе, содержащем фосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и качества получающегося рельефа, травление осуществляют при 100 180oС в растворе, содержащем дополнительно щавелевую кислоту, при следующем соотношении компонентов, об.ч.Ортофосфорная кислота (уд.вес 1,72 г/см3) 100Щавелевая кислота, насыщенный водный раствор 5 7
Предыдущий патент: Разделительный барабан для паровых котлов
Следующий патент: Привод талера плоскопечатных двухоборотных машин
Случайный патент: Устройство для изготовления изделий замкнутой формы, типа хомутов