Способ измерения порогов объемного оптического пробоя прозрачных материалов

Номер патента: 1509675

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Мищенков, Чигишев, Шекера

МПК: G01N 15/02

Метки: концентрации, объемной, оптического, светорассеивающих, средах, частиц

...однополярным, подается на источник 5 излучения, Свет,излучаемый источником 5 излучения,проходит по второму оптическому каналу 2 через кювету 3 с исследуемойсредой и воспринимается фотоприемником 7, Напряжение с выхода согласующего усилителя 18 поступает на первый вход усилителя 19 напряжения исравнивается с напряжением источника12 опорного напряжения, Усилитель 19напряжения при этом выполняет функцию усиления рассогласования ошибкии за счет возникающей отрицательнойобратной связи через оптический канал 2 поддерживает напряжение на выходе согласующего усилителя 18 постоянным и независимым от поглощениясвета исследуемой средой, от коэффициента преобразования источника 5излучения, чувствительности фотоприемника 7 и коэффициента...

Номер патента: 1122762

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Демиденко, Дунаев, Рыжиков

МПК: C30B 33/00

Метки: оптического, основе, поликристаллического, соединений, щелочно-галоидных

...определяют для каждого соединения отдельно.Щелочно-галоидные блоки получают гаэофазным осаждением в вакууме, причем для их получения возможно применение сырья, степень очистки которого гораздо меньше, чем у сырья, из которого выращивают монокристаллы и изготавливают оптическую керамику из порошков. Переход из твердой или жидкой фазы в газообразную происходит без диссоциации щелочно-галоидных соединений, поэтому блоки получают стехиометрического состава. При этом происходит очистка материала как от легколетучих примесей, так как при данных температурах подложки предотвращается конденсация или захват летучих примесей конденсирующимся паром, так и от высококипящих, в т.ч. и от кислородсодержащих, При скоростях конденсации 0,0005 -...

Номер патента: 1088071

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Вале, Круминьш

МПК: G11C 13/04

Метки: активированном, записи, информации, кристалле, оптической, рега, считывания, щелочно-галоидном

...задержки должен быть соизмерим со временем образования рабочих центров окраски, 4 МД оГЯ.ц.ои также желательно, чтобы импульсы записывающих сигналов были короче времени образования центров окраски"Зюп "06 Р И,Огде Т условно можно принять характеризующим время, за которое интен 1 08807 2Изобретение относится к областитехники, связанной с оперативной обработкой аналоговой информации припомощи света, в частности к запоминающим устройствам в радиолокационной технике.Известен способ записи и считывания оптической информации, заключающийся в облучении щелочно-галоидного кристалла при записи ультрафиолетовым светом в полосе поглощения активаторного центра или фундаментального поглощения щелочно-галоидного кристалла, а при считывании -...

Номер патента: 1411825

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Брацлавец, Калнин, Плявинь, Рапопорт, Тале, Тарновский

МПК: G11C 13/04

Метки: активатором, записи, информации, кристалле, легированном, оптической, щелочно-галоидном

...анионных экситонов (фундаментальнойобласти поглощения кристалла), Привоздействии квантов света из этойспектральной области при комнатнойтемпературе создаются подвижные автокатализующиеся экситоны, которыепреимущественно распадаются на Р, НФФпары вблизи А - типа центров, Нцентры являются подвижными возбужденными состояниями и уходят с местараспада; на месте распада остаетсяР-центр и близлежащии А -типа центр,т,е, образуется пара Р, А - типацентров, Распределение концентрациипар этих центров по кристаллу (активной среде) представляет собойскрытую форму записанной информации.В принципе эта скрытая форма позволяет осуществить в дальнейшем как когерентную, так и некогерентную формуобработки информации, При когерентной форме используется...

Номер патента: 1800294

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Ашурлы, Васьковский, Горохова, Конюшкина, Коренев, Ровинский, Ценина

МПК: G01J 5/50

Метки: действии, излучения, лазерного, металлическую, моноимпульсного, плазмообразования, поверхность, полированную, порога

...изменения параметра наэтойкривой, при которомбЬ/бЕ=Ои б Ь /бЕ О,.где Е - плотность энергии ла 2 2зерного излучения.Разработанный способ может быть использован для определения порогов плазмообразования при площади пятна воздействия лазерного излучения более чем 0,5 кв,см, Ограничение площади пятна воздействия связано с тем, что она не должна быть меньше площади пятна зондирующего излучения при эллипсометрических измерениях параметра.Примеры (фиг.2-5).Порог плазмообразования при действии излучения СОг - лазера на поверхность медных и алюминиевых зеркал был определен предлагаемым способом и способом- прототипом, В проведенных экспериментах был использован импульсный электроразрядный СОг-лазер. Длительность лазерного импульса составляла...