Быстроходное цилиндрическое решето

Номер патента: 459818

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Блинов, Козырь, Яловега

МПК: H01L 7/68

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

...самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойномшарнире Гука 14.Работает устройство следующим образом.1 О В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 - 15 кг/см, Затем в полость 15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара6 под давлением подают нагретую до температуры 80 - 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до 20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор 25 от очищенных...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 763839

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бусыгина, Гук, Даровских, Ельцов, Кириллова, Шуман, Юрре

МПК: G03C 1/68

Метки: пассивации, пластин, поверхности, полупроводниковых, состав

...непосредственно над поверхностью полупроводниковой пластины - хлор поступает только иэ полимерного слоя, помещенного на поверхности, а не продувается в течение всего процесса окисления через трубу.раствор состава для пассивации готовят, растворением в неполярном растворителе толуол, трихлорэтйлен, хлороформ) циклополиизопрена или эпоксидированного циклополиизопрена 4 Й и хлорсодержащих каучуков - хлоропренового или хлоркаучука, Приготовленный .раствор наносят центрифугированием (2500 об/мин, 20-30 с) на поверхность кремниевых пластин типов щ р и и в диапазоне сопротивлений от 0,1 до 300 Ом/см (бр 1; 1 у 0; 10; 100 У 300), сушат при бСС для удаления растворителя, затем окисляют в дифФузионной печи типа СДО при 150 С в течение 1-2 ч,...

Номер патента: 1389997

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Винников, Гриценко, Карась, Эпштейн

МПК: B24B 3/34

Метки: задних, пластин, поверхностей, режущих, шлифования

...г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к инструментальному производству и касается изготовления режущих пластин.Цель изобретения - повышение производительности обработки и расширение технологических возможностей путем обеспечения шлифования режущих пластин различных размеров без переналадки устройства.На чертеже показано устройство, общий вид.Устройство выполнено в виде основания 1, которое крепится к столу заточного или шлифовального станка (не показаны). На основании 1 соосно установлены ведущий шпиндельный узел 2 с валом 3 и ведомый шпиндельный узел 4 с втулкой 5 и валом 6. На валу 3 установлен с возможностью перемещения вдоль его оси и соосно с ней загрузочный элемент, выполненный в виде втулки 7. Внутри втулки 7...

Номер патента: 693491

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Ковчавцев, Пчеляков, Соколов, Стенин, Французов

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, пластин, поверхности

...во время первого прогрева с поверхности кремния удаляются летучие компоненты, которые остались после стандартной химической обработки, в том числе и естественный окисел, Низкие парциальные давления кислорода и паров воды обеспечивают сохранение гладкой исходной поверхности при прогреве, Углеродсодержащие компоненты после испарения естественного окисла связываются в Кристаллы карбида кремния, Время прогрева 4 - 15 мин,Последующее окисление, производимое при 850 - ИООС, в течение 2 - 8 мин после запуска в камеру сухого кислорода до давления 0,1 - 10,0 торр обеспечивает как окис. ление карбида кремния, так и образование сплошной пленки двуокиси кремния толщиной 25 - 40 А. Пленки тоньше 25 А не обеспечивают полного окисления частиц карбида...