Свч-фазовый манипулятор

Номер патента: 1178272

Опубликовано: 27.11.1996

Автор: Павельев

МПК: H01L 23/48

Метки: диод, полупроводниковый, свч

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.

Номер патента: 1407341

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Малышева, Павельев

МПК: H01L 29/47

Метки: полупроводниковый, свч-диод

Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.

Номер патента: 616596

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Егоров, Лезжов, Масимов

МПК: G01R 31/26

Метки: долговечности, свч-диодов

...по результатам ступенчатых.испытаний, равное рассеиваемой мощности той,ступени, на которой зафиксирован первый отказ- основание натуральногологарифма.Сущность предлагаемого способа состоит в том,что длительность испытаний в Форсированном режиме по отношению к длительности испытаний в нормальном режиме 1 и уменьшается в р, раз. Данная величина назы" вается коэффициентом Форсирования. Между величинами Р,Ф,Р, Р, иследующие математические соотно- шенияь РуР 1 н Р РДля установленной рассеиваемой электрической мощности 1 по конк.ретному типу СВЧ-диодов, определив Ь и п,р, а также проведя испытание в течение времени Т,р в данном режиме при температуре корпуса диодов 25110 С, спомощью выражений (1) и (2) оценивают долговечность 1...

Номер патента: 1084700

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Виненко, Усанов

МПК: G01R 27/04

Метки: диода, полного, свч, сопротивления

...и прошедшего черезнего СВЧ-сигнала при последовательном резонансе 23.Однако известный способ не позволяет производить измерения в широком диапазоне частот,,Цель изобретения - расширениедиапазона частотдля достижения поставленной цели 45согласно способу определения полного сопротивления СВЧ-диода, заключающемуся в подаче на исследуемый СВЧдиод, установленный ве стержневом,цержателе в линии передачи, напряже"ния обратного смещения и СВЧ-сигнала и измерении частотыо,последовательного резонанса исследуемого СВЧдиода и стержневого держателя и отношения Т падающего и прошедшегочерез него СВЧ-сигнала при последовательном резонансе, дополнительноизмеряют отношение Тг падающегои прошедшего через исследуемый СВЧдиод СВЧ-сигнала и...

Номер патента: 231632

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Васильев

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, потерь, преобразования, свч, смесительных

...1 б и модулятор 17.Так как в измерительном усилителе установлен квадратичный детектор, то можно счи тать, напряжения в различных точках схемыпропорциональными мощности.Источник сигнала импульсно модулируетсячастотойсов модуляторе 17. Мощность источника сигнала через ответвитель 2 подво дится к опорному б и испытуемому 8 диодам.К этим же диодам через ответвители 4 и 5 подводится мощность гетеродина 8. Преобразованные диодами сигналы усиливаются предварительными усилителями 9 и 10 соответ.20 ственно и поступают на входы синхронногопереключателя 11, который поочередно с частотой со, подает эти сигналы на вход главното усилителя 12.Усиленные сигналы поступают,на вход син хронного переключателя 14 и разделяютсятаким образом, что сигнал,...