Номер патента: 1180981

Авторы: Ботвиник, Еремин, Кузовлев

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 19) (11) 51)4 6 1 СССР РЬГГИЙ ОБ И ЕЛЬСТ аа,Н. Еремин льство ССССУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И О ОПИСАНИ К АВТОРСКОМУ(54) (57) ЭЛЕМЕНТ НАМтиристор, катод которого выборки, транзистор записи, коллектор которого соединен с и -базой тиристора, диод,катод которого соединен с и-базой тиристора,а анод - с шиной записи-считывания, о тл и ч а ю ш и й с я тем, что,с цельюповышения надежности элемента памяти, внего введен ключевой транзистор, зм 1 птеркоторого подключен к адресной шине, базасоединена с 11-базой, а коллектор - с анодомтиристора, эмиттер транзистора записи соеди.нен с шиной выборки, а база - с дополнительной шиной записи,Заказ 5934/52 Тираж 583 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К.35, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике н может быль использовано для построения. запоминающих устройств.Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти эа счет, исклю. 5 чеиия самопроизвольного включения, тиристора.На чертеже представлена электрическая схема элемента памяти,Элемент памяти содержит тиристор 1, 1 О транзистор 2 записи, шиву 3 записи, шину 4 выборки, ключевой транзистор 5, адресную шину б, шину 7 записи-считывания и диод 8.Элемент памяти работает следуюцшм образом, 15В режиме хранения информации устойчивость выключенного состояния обеспечивается ключевым транзистором 5, который в этом случае выключен, и поэтому анод тиристора 1 не подключен к адресной шине 20 б, В этих условиях включение тиристора 1 невозможно, Устойчивость включенного состояния обеспечивается протеканием через тиристор 1 тока большего или равного току удержания. Ток включенного состояния про текает по цепи; адресная шина б, эмиттерколлектор ключевого транзисторе 5, анод-катод тиристора 1, шипа выборки 4. В режиме считывания по шине 7 записи. считывания подается ток, который протекает по цени: шина 7 записи.считывания, анод-ка. тод диода 8, п.база-катод тиристора 1. Шина 3 записи в режиме считывания имеет потен. циал, исключающий протекание тока по цепи баэа-эмиттер транзистора записи 2.Состояние элемента памяти определяется так: наличие тока в шине 7 записи.считывания означает, что тирнстор 1 открыт, а его отсутствие - что он закрыт.В режиме записи включение тиристора 1 осуществляется включением транзистора 2 пр равных потенциалах на шине 4 выборки и на шине 3 записи. В базу транзистора 2 запи-си задается ток, необходимый для его включения, При этом появляется ток базы транзистора 5, а затем, после его включения, включается тиристор 1, так как из его ибаэы вытекает ток. Выключение тиристора 1 происходит по тому же электрическому контуру, что и в режиме считывания, с той лишь:разницей, что потенциал, формиру. емый на и-базе тиристора 1 такой, при котором невозможно протекание тока в базовой цепи транзистора 5, Ток, втекающий в П -базу тиристора 1, выключает его, рассасывая избьпочный заряд в базовых областях.

Смотреть

Заявка

3492931, 24.09.1982

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-3106

БОТВИНИК МИХАИЛ ОВСЕЕВИЧ, ЕРЕМИН ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, КУЗОВЛЕВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Опубликовано: 23.09.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1180981-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>

Похожие патенты