Номер патента: 1171850

Автор: Королев

ZIP архив

Текст

,)3 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ управляющим входом элемента памят тод тиристора является вторым упра щим входом элемента памяти, транз и диод, анод которого соединен с э ром транзистора и является третьим у ляющим входом элемента памяти, като да соединен с коллектором транзист с одной из баз тиристора, отличаю тем, что, с целью повышения помехо чивости элемента памяти, база транзи соединена с другой базой тиристора.-220 о СССРО, 1977. ТИ, соде является щии ым ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ1171850 Составитель Г. Бородин Редактор С. Патрушева Техред И. Верес Корректор С. Черни За к аз 4871/44 Тираж 584Подписное ВНИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к ячейкам памяти, и может быть использовано при создании интегральных оперативных запоминающих устройств большой емкости.Цель изобретения - повышение помехоустойчивости ячейки памяти.На фиг. 1 представлена принципиальная схема ячейки памяти; на фиг. 2 ее структура с использованием диода Шоттки,Элемент ячейки памяти содержит диод 1, транзистор 2, тиристор 3, первую 4 (первая разрядная шин 3), вторую 5 (вторая разрядная шина) и третью 6 управляю. щие шины (адресная шина).Элемент памяти работает следующим образом.В режиме хранения между шинами 4 и 5 поддерживается напряжение, достаточное для бистабильного состояния. Потенциал шины 6 равен потенциалу шины 5, При этом диод 1 закрыт, так как при любом состоянии тиристора 3 потенциал его первой базы выше потенциала шины 5. Если тиристор 3 открыт, то открыт итранзистор 2, и наоборот, но в любом случае напряжение на эмиттере транзистора 2 не влияет на состояние тиристора 3.Включение тиристора 3 осуществляетсяот перепада импульса напряжения отрицательной полярности по шине 6, а по шинам 4 и 5 - положительной.Диод 1 при этом остается под обратным смещением. Выключение тиристора 3 1 О осуществляется при подаче по шине 2 импульса напряжения положительной полярности полувыборки, а по шинам 5 и 6 - отрицательной. При этом откроется диод 1 и большим током быстро выключит тиристор 3. Транзистор 2 в этом случае заперт.15 При считывании импульс напряжения отрицательной полярности подается по шине 5.Он имеет такие параметры, что не может включить тиристор 3. Если тиристор 3 включен, потенциал шины 4 снизится, если тиристор 3 выключен, то снижения потен О циала не произойдет. Диод 1 в этом режиме находится под обратным смещением.

Смотреть

Заявка

3742056, 23.05.1984

КОРОЛЕВ СЕРГЕЙ АНАТОЛЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Опубликовано: 07.08.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1171850-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>

Похожие патенты