Патенты опубликованные 23.03.1993

Номер патента: 1685172

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Зуев, Севастьянов

МПК: G01T 1/29

Метки: ионных, плотности, потока, пучков, распределения

...ее поверхности на устанооке "ЧОБсептИс". Размер ионного пучка превышдег размер пластинки. Глубина внедрения ионов в 9 составляет - 600 А. Ток ионов 100 мкА, время имплантации 10з с, Определение концентрации внедренных ионов в кремний осуществляют на лазерной масс-спектрометрической устанооке, Луч лазера (АИГ;ЙО) фокусируетсл с помощью лазерного микроскопа от установки П 4 А(ГДР) нд поверхность образца, помещенного в вакуумную камеру с оптическим иллюминатором. Вакуумная камера соединяется с омегдтронным масс-спектрометром ИПД 0-2 А, Всл система откачиваетсл до даоленил 10 торр. Мдксимдльцдл энергия лазерного импульса о режиме свободной генерации 1 Дж. Под действием лазерного импульса происходит плдолецие и испарение микропробы...

Номер патента: 1686748

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Егоров, Королев, Лимова, Мегедь, Мирский, Розенбаум, Ширягина

МПК: B01J 29/08, B01J 37/00

Метки: катализатора, крекинга, приготовления, цеолитсодержащего

...165,5 г/л беэ разбавления направляют на формовку, Приготовление катализатора. Смешивают растворы силиката натрия2,3 н, малярное отношение оксидов кремния к натрию 2,85), подкисленного сульфатаалюминия 1,2 н. с отношением эквивалентов растворов серной кислоты и сульфатаалюминия 1,5, суспенэию ГОА концентрацией 50 г/л по АгОз, суспензию цеолитаИаУ концентрацией 165;5 г/л по цеопитупри следующем расходе реагентов на формовочную колонну, л/ч: Силикат натрия 473 ГОА 302 Цеолитная суспензия (165,5 г/л) 121 Йодкисленный сульфат алюминия 288 Условия проведения Формовки: Температура рабочих растворов, С 9,2 рН при Формовке . 8,7 Время коагуляции, с 2,0 Температура золя оС 12 О Ал 1 омокремнегелевый золь коагулируетв слое масла в...

Номер патента: 1686985

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Бушмарина, Драбкин, Парфеньев, Шамшур, Шахов

МПК: H01L 39/12

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...ниже. В то же время о образце 9, состав которого соответствует формуле (Рэо,о 5 Яио,э;)о,о 44 о,гТе, температура Тс была ниже 1 Я К. 10П р и м е р. Образцы сверхпроводящего полупроводникового материала готовят ио следугощей 1 схг 4 ологии. В качестое исход. ных комг 4 о 44 е 4 тов используется промыц 4легнгые элементы РО С, Яи ОЕЗь 1-000 Е 5 , Те ТБ - Л, и Ин, Синтез пг 4 овидигс 44 из элементов, взятых в соотоегствуюцц 4 х формуле иропорцияк; в откацанных до давле - зния 2-310 мм,рт.ст, и запаянных кпарце. оых ампулах при Т = 1000 С о течение Лч. 20 Получс 4444 ь 4 е слитки отжигают при Т = 650 С о течение 360 ч в агмосфере агрв 4 а, После отжига из слитков методом горячего прессования готовят образцы для измерения электрических...

Номер патента: 1687003

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Анисимов, Власенко, Корзун, Столпнер

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, кварцевый

...р-кацального МОП- трдссэистора 6 унеличиваетсл с ростом амплитудьс колебаний, о результате чего нагсряжеэсил на затворах р-канальных МОП- транзистароо 4, 5. 6, 12 умецьшасатся, ттастепенцо.приближаясь к их пороговым напряжениям, Первый и третий и-канальные МОП-транзис горы 1, 3 совместно с первым и плтым р-кассдльными МОГ 1-транзисторами 4, 12 образусот зеркала тока, поэтотлу гэри подключении источника плтого р-каиального МОП-транзистора 12 к шине питацил на затворах первого и второго р-канальных МОП-транзисторно 4, 5 устацавливасотсл пороговые напрлженил. Проводимость первого р-канального МОП-транзистора 4 уменьшаетсл, цапряжецие сса стоке первого и-канального МОП"трассзис 1 ара 1 уменьшается, стремясь к ега с 1 ороговаму...

Номер патента: 1688790

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гаврилов, Егоров

МПК: E02D 5/44

Метки: набивной, сваи

...в процессе его редлцэдциц частоты следовдюююя (или энергии) разрядных цииульсон требует некоторого услттжтюецця конст.- рукцию источника 4, П этому гт Гттюгютюинстве случдев нрт дгттчтююте.ттгтюг,гтю являетс я ююттртЙ Бюрюгд гют ос ч Рцгт. т гтггс гггюя Г и(со бд, тюр. тюусм,чт 1 ююгдгттютюю ттг ритгртцд и:юо эдддццого гюргфююля скггюжтютютю неле эдверюпенця проходки цачдльцтй скцджцггы Нилююцдрической тютрлглг одцгцрменююо с воэведеццеи сваи н устдцонкй арматуры (если это необходимо). В эттм здрцацте разрядник 3 с электроддмц (фцг. 2) сначала опускдют в гтююжюююю часть скважиныггюлююгюдрюютюеской ююормюю, т.е. цд глубину 1, гюоец чего цамакс фчиндют подавать юю скндттютюу Гетоюююгую смесь, вьюполняюююуюо Аункююююю...

Номер патента: 1692264

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Морозовский, Мороховский

МПК: G01T 1/36

Метки: заряженных, релятивистских, скорости, частиц

...н координатам регистрации фотона детектором вторичного из" лучения вРечээсллют угол излучений 6;по формуле ,3) вычисляют скорость частицы.Па трассе пучка частиц с малым разбросом по энергии и углам (пучок, вы)едеццый из ускорителя или накопителя) устанавливают два коллиматора, фиксируэоп 1 еэе направление пучка. Затем ца трассе пучка устанавливают гоциометр с кристаллом. ЕЕаправлецие фотонного канала задают двумя коллиматорами под углом 8 к еэапранлецко пучка частиц; Кристалл юстируют так, чтобы выбраЕИЕая кристаллоЕ рафическая плоскость была перпендикулярна плоскости излучеция и проходила через биссектрису угла между направлением пучка заряженных частиц и пучком фотонов. На выходе фотонного канала располагают рентгеновский...

Номер патента: 1116969

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Матвиенко

МПК: H05H 5/00

Метки: ионов, лазера, накачки, ускоритель

...ионной пушки, расположенной внутри ускорителя на его оси. Зарядное устройство 1 подсоединено к среднему 3 электроду формирующей линии, внутренний 4 электрод соединяется реактором 5 с наружным электродом 2 формирующей линии. а коммутатор 6 установлен между средним и внутренним электродами. Ионная пушка образована внутренней поверхностью внутреннего электрода 4 двойной формирующей линии, имеющей диэлектрические участки 7 на своей поверхности, и цилиндрическим катодом 8, имеющим прорези 9 напротив диэлектрическихучастков 7 на поверхности внутреннего электрода. Цилиндри.еский катод 8 соединен одним своим концам с наружным электродом 2 формирующей линии. Импульсный источник тока 10 подсоединен одним полюсом к наружному электроду 2...