Способ измерения напряжения отсечки полевых транзисторов

Номер патента: 1598152

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Богданович, Тюльменков

МПК: H03K 17/60

Метки: реле, транзисторное

...МДП-транзистора 8 соединенерез второй стабилитрон 21 с общей ши 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Формула изобретения Транзисторное реле, содержащее первый и второй транзисторы первого типа проводимости, третий и четвертый транзисторы второго типа проводимости,ной, затворы МДП-транзисторов 5-8 соединены с входной шиной 22, которая через входной резистор 23 может быть подключена к общей шине.Транзисторное реле работает следующим образом.При включении питания и отсутствии сигнала на входной шине 22 все транзисторы реле закрыты, на входной шине 15 нулевой потенциал и тока в нагрузке нет, Это первое устойчивое состояние.Если на входной шине 22 положительное напряжение превышает пороговое напряжение открывания МДП-транзистора 6, то он открывается...

Номер патента: 585772

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Воронин, Скакодуб, Щербаков

МПК: H01L 23/04, H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...затврра, а также тем, что токовыводы стока и истока расположеныперпендикулярно токовыводу затвора, 30или тем, что токовыводы стока и истока расположены параллельно и направлены в противоположную сторонутоковыводу затвора.Кристаллодержатель также может 35быть изготовлен из других материалов,таких как лейкосапфир, окись магнияили .окись берилдия.На фиг, 1 и 2 схематично даны дваварианта конструкции полевого транзистора, разрез и вид сверху.Полевой транзистор содержитполупроводниковую структуру 1, кристаллодержатель 2, токовывод 3 истока, токовывод 4 стока, токовывод 5 45затвора. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде ступенчатой .Фигурнойпланки (см. Фиг. 1), токовывод затвора установлен по оси симметриипланки, а токовыводы истока.и...

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 497710

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Бочко, Мерхалев, Солод

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, полевых, транзисторах, усилитель

...транзистора 11, также включенного по схеме с общим сто ком, к истоку которого подключены затвортранзистора 2 и сток дополнительного транзистора 12. Последовательно соединенные пары транзисторов 9, 10 и 11, 12 являются истоковыми повторителями. Затворы транзисторов 15 10 и 12 объединены и подключены к источнику смещения Е Стоки транзисторов 1, 2, 9 и 11 подключены к зажиму источника питания Еистоки транзисторов, 2, 4, 10 и 12 соединены с корпусом усилителя.20 Усилитель работает следующим образом.На входные зажимы 5 и 7 подаются противофазные входные сигналы. Сигнал, поданный на одно плечо усилителя, например на входной зажим 5 плеча, образованного транзисто рами 1 и 2, вызывает появление на выходномзажиме 6 выходного сигнала с той...

Номер патента: 1081574

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Бингелис, Клебанский, Шпаков

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...напряжения стока и нагрузка, параллельно которой вклю чена первичная обмотка трансформатора, во вторичной обмотке которого включен измеритель переменного напряжения 23Однако в известном устройстве 4 О необходима линейная характеристика усилителя переменного напряжения в большом диапазоне измерения амплитуд сигнала при значительном его усилениичто приводит к неудобству 45 измерения и снижению помехоустойчивости из-эа малого уровня выходного сигнала, обусловленного необходимостью выполнения условия малости сигнала, а также иэ-за наводок и пролеэаний амплитудного характера.Целью изобретения является увеличение помехоустойчивости.Указанная цель достигается тем, что в устройство для измерения крутизны характеристики полевых транзисторов,...