ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е (11) 429483ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик .(51) М. Кл. Н 011 7/50 Гасударственный камнтет Савета Миннстрав СССР па делам изааретеннй и аткрытнй(54) РАСТВОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ НИКЕЛЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫПредмет изобретения Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при получении контактных слоев к полупроводниковым структурам.Известно, что для создания омических контактов к полупроводниковым структурам используется химическое осаждение никеля из щелочных и кислотных растворов. Однако при осаждении из щелочных растворов имеют место неустойчивость покрытий при высоких температурах и неравномерность и несплошность покрытий.Покрытия из кислых растворов, содержащих хлорид никеля, гипосульфит натрия, натриевые соли органических кислот и глицин, в целом, давая более качественные покрытия, не обеспечивают достаточной прочности и сплошности покрытия на полупроводниковых структурах.Цель изобретения - разработка состава кислого раствора, обеспечивающего высокое качество покрытий на полупроводниковых структурах.Это достигается оптимизацией количества глицина в растворе.Уменьшение количества глицина (15 г/л) по сравнению с вводимым в известных растворах (30 г/л) повышает в 2 - 3 раза стабильность раствора и обеспечивает высокое качество сцепления и сплошность получаемых покрытий.5 Оптимальный состав раствора для получения покрытия на полупроводниковых структурах содержит (рН 5 - 5,5), г/л: хлорида никеля - 18 - 25, гипофосфита натрия - 25 - 85, янтарно-кислого натрия - 22 - 30, глицина - 10 до 15. Покрытие осуществляют при нагревании раствора до 90 - 95 С.Предлагаемый раствор может найти применение для получения легирующих покрытий, причем содержание фосфора в покрытии до стигает 10%.ю Раствор для осаждения слоев никеля на 20 полупроводниковые структуры, содержащийхлорид никеля, гипофосфит натрия, натриевую соль органической кислоты и глицин, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения прочности сцепления между полупроводнико вой структурой и контактными слоями и улучшения сплошности покрытия, количество глицина взято не более 15 г/л.

Смотреть

Заявка

1393944, 12.01.1970

Я. М. Пинчук, Н. В. Богданова, В. В. Зайцев, Л. С. Рахленко, В. И. Френкель

МПК / Метки

МПК: H01L 21/288

Метки: 429483

Опубликовано: 25.05.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-429483-429483.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">429483</a>

Похожие патенты