384884

Номер патента: 1002369

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Сажаев

МПК: C21C 7/10

Метки: жидким, ковше, металла, шлаком

...тонкий гофрированный цилиндр иэ нержавеющей стали.Благодаря гофрам сильфон под действием внешних сил может сжиматься нлирастягиваться.Внутри камеры 1 помещается рычаг8,который крепится к крышке камеры1 шарнирно на оси 9,Один конец рычага 8 через толкатель 10 жестко связан с диафрагмойсильфона 7, а на другой конец рычага 8 подвешивается стопор 11. Нижнийконец стопора 11 находится противпатрубка 2, выходное отверстие которого размещено в полости 5 ковша, заполненной шлаком,Внутри камеры 1 установлена металлическая .перегородка 12; защищающаярычаг 8 от случайных брызг жидкогошлака.Работает устройство следующим образом.Перед работой камеру 1 располагают над ковшом с жидким металлом,закрытым сверху слоем флюса так, чтобы выходное отверстие...

Номер патента: 431235

Опубликовано: 05.06.1974

Авторы: Андреев, Бабаскин, Ефимов, Институт, Ловчиновский, Морозов, Петров, Примак, Сафонов, Сухарев, Таранов

МПК: C21C 7/076

Метки: жидким, металла, шлаком

...черных металлов, в частности к технологии ооработки леталла жидким шлаком.Известен способ обработки металла жидким синтетическим шлаком путем ввода в нижние слои металла под давлениам, превышающим ферростатическое давление столба жидкого металла. Скорость подачи шлака в металл регулируется изменением давления в емкости со шлаком, Основным недостатком этого способа является отсутствие режимов рафинировии металла.Крсме того, применение его затруднено при обработке расплава в самой электропечи,С целью устранения указанных недостатков предложен способ, по которому в,металл после его расллавления подают окислительный шлак со скоростью не ниже 12 лт/сек, а при сливе металла из печи навстречу струе металла подают основной шлак со...

Номер патента: 487947

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Бейлинов, Жир, Кулик, Огурцов, Сигарев

МПК: C21C 7/00

Метки: жидким, ковше, металла, шлаком

...между низом и верхом емкости (другими словами ее высота) принято 1,05 - 1,5 раза больше максиНа чертеже схематически показано описываемое устройство.Устройство содержит цилиндрическую ем кость 1, установленную на ковше 2 с металлом 3, покрытым шлаком 4, прп помощи рамы 5; закрепленные в дне емкости и погруженные в металл трубу 6 и в шлак патрубок 7; трубопровод 8 с распределительным краном 15 9 и расположенные в дне емкости впускноеотверстие и клапан 10. Для ограничения хода клапана и правильного ориентирования его относительно оси впускного отверстия клапан в нижней части снабжен ограничителем 11.20 Устройство работает следующим образом.После наполнения ковша металлом и шлаком на него устанавливают емкость 1 при помощи рамы 5. При этом...

Номер патента: 561738

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Гребенюк, Дубоделов, Полищук

МПК: C21C 7/00

Метки: жидким, металла, шлаком

...расплава. С помощью движителя 3 (электромагнитного или механического насоса) либо газовой среды обеспечивают непрерывную струйную подачу металла из емкости 1 в стакан 2 с крышкой 4 по заборному 5 и нагнетательному б каналам.При этом струя металла оказывает динамическое воздействие на шлак в зоне контакта с металлом, деформирует границу раздела и возвращается в емкость, растекаясь вдоль границы раздела металл-шлак, обеспечивая пульсационные колебания в этой зоне. Указанная циркуляция производится с заданной постоянной скоростью струи металла до момента завершения эмульгирования всего объема шлака, После этого скорость струи увеличивается в 1,3 - 1,5 раза, в результате чего эмульгированный шлак увлекается и выносится струей металла...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...