ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е п 11 35708 бИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51) М, Кл. В 284 5/00 Государственный омнтет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Э. Л. Андроникашвили, Н. Г. Политов, И. М. Паперно и А. К. Размадзе Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Грузинской ССР(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится к физике прочности и пластичности ионных кристаллических диэлектриков и может быть применено во всех областях их практического использования: диэлектрической электронике, ячейках памяти, голографии, дозиметрии, спектральных приборах с призмами из кристаллов щелочных галоидов.Известны способы улучшения прочности кристаллов, одним из которых является облучение в реакторе. Однако при этом кристалл становится настолько хрупким, что область пластической деформации практически отсутствует.Цель изобретения - улучшение пластических характеристик кристалла с одновременным улучшением его прочности.Для этого кристалл перед облучением подвергают сжатию нагрузкой, превосходящей предел текучести кристалла, а затем облучают в сжатом состоянии потоком нейтронов 10" н/смсек в течение 10 мин,Облучение кристалла в напряженном состоянии (3 мин при дифференциальном потоке нейтронов 3,2 Х 10" н/смсек) повышает прочность кристалла примерно в 2 раза; при этом кристалл становится пластичным. По сравнению с контрольным образцом предельная де формация, характеризующая пластичностькристалла, возрастает примерно в 3 раза, а по сравнению с кристаллом, облученным в не- напряженном состоянии, примерно в 6 раз.Таким образом, сопряженное воздействие 10 радиации и механического нагружения упрочняет кристаллы и одновременно в несколько раз улучшает их пластические характеристики. 15 Предмет изобретения Способ обработки кристаллов путем облучения потоком нейтронов в реакторе, о тл ичающийся тем, что, с целью повышения 20 прочности и пластичности кристаллов, их подвергают сжатию нагрузкой, превышающей предел текучести, и затем в сжатом состоянии облучают потоком нейтронов 10" н/см сек в течение 10 мин.

Смотреть

Заявка

1467900

Э. Л. Андроникашвили, Н. Г. Политов, И. М. Паперно, А. К. Размадзе, Ордена Трудового Красного Знамени институт физики Грузинской ССР

МПК / Метки

МПК: B29D 5/00

Метки: 357086

Опубликовано: 25.05.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-357086-357086.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">357086</a>

Похожие патенты