281662

Номер патента: 79275

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Брайнес

МПК: A61K 31/59, A61K 41/00

Метки: аппарата, облучения, пленке, поверхности, рабочей, растворов, тонкой

...годаПредмет изобретения Г 1 редхетом изобретен;1 я яв:1 ястся устройство, и коором различныс рас воры поди ргаются улыраф 1 олетовому облу снбо в аппаратах по прогзводствч вита.,ц 11 Д.Отличительцой Особенностью предлагаемого устроиства рабочей повспхцост 1 а 1 ц и) 51 та дл 51 Облучеци 51 Оастворов является то, что оцо нов зво)151 с 1 Освсща 1 ь цсирсрывц) дв:1- жуиуюся пле 1 гд втам гносодсржащих расво 1)ов, гОисремсццО с разлых сторон, Это увсличивае. выход продукт 1 и у;1 сшевляет его стоимость,На чертеже схематически изображено устройство, которое состоит изотдсльцыхсегментов (Л, А, и А) рабочей поверхности и источников ультрафиолетового облучения (Б. Б ц Б.).Просвет шсли, по которой непрсрь 1 вцо дв:жется оолучаемый раствор,...

Номер патента: 1510612

Опубликовано: 27.12.1998

Авторы: Зайцев, Пасманник, Самохина, Сахаров, Хмара

МПК: H01J 23/027

Метки: коллектор, о-типа, свч-прибора, электровакуумного

1. Коллектор электровакуумного СВЧ-прибора О-типа, содержащий электрод с цилиндрической и конической частями и системой каналов охлаждения, отличающийся тем, что с целью увеличения долговечности и надежности коллектора, каналы охлаждения конической части электрода выполнены в виде системы чередующихся кольцевых проточек и отверстий в дисках между проточками и центрального канала с отверстиями в области вершины конической части электрода, причем центры отверстий расположены равномерно по концентрическим окружностям радиусов R1, при этом выполнены следующие условия:104 wo d...

Номер патента: 40589

Опубликовано: 31.12.1934

Автор: Вознесенский

МПК: G01C 15/06

Метки: вторых, дорог, железных, заложения, земляного, местности, насыпи, нахождения, подошвы, полотна, прибор, путей, разбивке, точек

...предлагается угольная рейка, на конце вертикальной стороны которой установлено , визирное приспособление, снабженноенесколькими глазными диоптрами, служащими для визирования под разными уклонами.На прилагаемом чертеже фиг. 1 изображает вид прибора сбоку; фиг. 2 - вид сбоку подставки для конца рейки; фиг. 3 - вид подставки спереди; фиг, 4 - вид сбоку визирного приспособления и фиг, 5 - вид визирного приспособления спереди.Прибор для нахождения на местности точек заложения подошвы насыпи вы.полнен в виде деревянной Г-образной рейки 1 (фиг. 1), на вертикальной стороне 2 которой установлено визирное приспособление, состоящее из металлической пластины 3 (фиг. 4) с двумя укрепленными на ней вертикальными пластинами с диоптрами предметным...

Номер патента: 55360

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Чагин

МПК: G01N 21/47

Метки: освещения, плане, помещения, прибор, размещения, расчетах, световых, точек

...равными между собой.С задней стороны каждой из системы рычагов укреплены карточки 41 (фиг, 2) с кривыми 42, выражающими зависимость величины освещенности в световой точке на плане от высоты подвеса светильника: Е = 1 (Й); для различной арматуры имеются отдельные карточки (например, плафон-шар", люцетта о. св.", плафон", водо - пыленепроницаемая", люцетта цельная" и т, д.),Карточки 41 укреплены неподвиж. но относительно точек 1 б, 17, (8, 19 и 20,При определении мест расстановки светильников точка Б прибора устанавливается в левом верхнем углу плана помещения, а другая подвиж. ная точка, в зависимости от типа и числа выбираемых светильников, устанавливается в конце верхней горизонтальной линии плана. Например, при двух светильниках...

Номер патента: 1061028

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Боголепова, Бочаров, Вережников, Гермашева, Круть, Панаева

МПК: G01N 27/02

Метки: вещества, водного, ионогенного, крафта, параметров, поверхностно-активного, раствора, точке

....фиг. 3 - температурная зависимостьэлектропроводности раствора ПАВ нафиг, 4 - Фазовая диаграмма водногораствора ПАВ (схема),Значения температур полного растворения (ТПР) при различных концентрациях С, С, С, С 4, С и С 6 позволяют построить линию температурнойзависимости растворимости АВС наФазовой диаграмме (фиг. 2). Черезсерию кривых температурной зависимости электропроводности в областитемператур выше ТПР проводят сечения 1параллельные Оси ординат при температурах 1, 1, й,1 ФИГ. 3), Значения электропроводйости в точкахпересечения откладывают в зависимости от концентрации (Фиг. 1) ц но излому кривых определяют значения ККЫпри температурах , с и 1, Наосновании этих данных строят кривуютемпературной зависимости ККИ линия ВД, фиг. 2). По...