Керамический материал для изготовления оснований непроволочных резисторов

Номер патента: 491163

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Волков, Капусткин, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резисторов, термочувствительный

...данного типа. Это приводит к перекрыванию 3(1 орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.П р и м е р 1. Из мелкокрио порошка кислородной ванади натрия ХаЪбОц прессуют пол давлеццем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 л:,я н ллш;ой 10 л.и. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650 С в 5 течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум - 10 -и,я рт. ст. и потецциометрическим методом на постоянном токе цзмеряюг его электропроволность в зависимости от температуры.На графике (фиг. 1), гле по осц орлццаготложен логарифм электросопротцвлснця (в о,и сл), а по осн абсцисс - елиццца, лелеццая на абсолютную температуру (в Т, К-), кривая 1 получена при нагревании об разца н 2 прц его...

Номер патента: 898517

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Пушкина, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов

...параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влаж. ности (98%) не более й 1% и ТКС не более 100 101/С.П р и м е р. Порощкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по мешают в корундовый тигель и проводят син.8517 4нической связкой, наносят на подложки изкерамики "22 ХС" и вжигают в конвейернойпечи при 800 - 850 С, Приготовляют четыре со.става предлагаемого материала для резисторов.Соотношения исходных компонентов материалаи электрофизические характеристики получен.ных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ С 10 6 Стабиль. при 25-125 С ность, %+2,8 Известный 24 71 5 в 5 Из таблицы следует, что...

Номер патента: 1026170

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Глот

МПК: H01C 7/108

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...ренциальное сопро- тивлексид исмут Коэффици ент нели нвйности иоксид ремния 5 7 80 6,5 0-" 0 93 7 300 800 Составитель Ю.Герасичкактор Е,Лушникова Техред А, Бабинец к писное омитета ССС открытийушская наб., д, 4/5 илиал ППП Патент, г.ужгоро ектная,Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в техналогии изготовления нелинейных резисторов.Известен материал для нелинейныхрезисторов, представляющий собой состав стекла системы Ав " Те - Г (1).Недостаток известного материаласостоит в низком коэффициенте нелинейности (до 4)Наиболее близким к предлагаемомутехническим решением является материал для нелинейных резисторов, включакщий оксид висмута и диоксид кремния (2) .Недостаток заключается в низком...

Номер патента: 1061712

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Масаки, Нобору, Юдзи

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...парафин, поливинилс вый спирт илиполиэтиленгликоль( таки неорганическое, например, фосфор"ная кислотаСпекание проводится в обычнойЗО электрической печи при 1000-1300.ОСобычно в течение 1 ч. Это спеканиеуспешно осуществляется в воздушнойсреде,П р и м е р. Порошкообразные ис-.ходные компоненты в различных количественных соотношениях (в указанных пределах) смешивают в шаровоймельнице с получением 35 образцов, 40 в том числе и контрольных (с выходом за пределы), Образцы предварительно агломерируют в воздушной атмосфере в электропечи при 800 С вОтечение 1 ч и измельчают в шаровой 45 мельнице с получением 35 видоизмененных порций порошков. К видоизмененным порошкам добавляют в качествесвязующего полнвиниловый спирт иполученные массы...

Номер патента: 1121704

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Глот, Злобин

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...относительному изменению параметра.Повторение процесса формовки на одном и том же образце заявляемого состава при изменении положения верх него точечного электрода и формовки других образцов идентичного состава показывает, что 5 -образная форма ВАХ хорошо воспроизводится. Наблюдаемая при этом вариация параметров ВАХ П, 1, Б, 3.2 в пределах 10 вызвана рельефностью верхней поверхности исследуемых толстых пленок и другими факторами. При низком содержании оксида цинка ( ( 10 вес.Ъ) и при его отсутствии 5 -образная ВАХ появляется при формовке не всегда, В подавляющем большинстве случаев после формовки возникает ВАХ с участком отрицательного дифференциального сопротивления, за которым не следует участок с положительным...