Керамический материал

Номер патента: 1698830

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Беляков, Блейхман, Иногамов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, компоненты, отдельной, порошкообразного, проницаемости

...после запятой, а диэлектрическая проницаемость воздуха е ь =1,0006, можно принять, что .я 2 =1, Кроме того, для вычислений определяется масса порошкообразного материала,Затем осуществляется сжатие порошкообразного материала, определяется новый объем, занимаемый смесью (через известную высоту образца смеси и диаметр электродов), а также определяется диэлектрическая проницаемость в сжатом состоянии. Для этой величины можно записать следующее выражение с учетом упорядоченности материала при его сжатии А +11 - 2 х(а - где М,а.Ь,р - то же, что и при опр диэлектрической проницаемости состоянии свободной засыпки; у= рlргде р - отношение массыцентрации к всему объесмесью,Р . - плотность инии свободной засыпкисправочнику, либо...

Номер патента: 337829

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...

Номер патента: 789460

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гавриляченко, Данцигер, Мирошниченко, Разумовская, Резниченко, Рогач, Фесенко, Филипьев

МПК: C04B 35/491

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...резонанснойчастоты ТКЧ 42010 1/оС в узкомтемпературном интервале от -20 до+60 ос),Цель изобретения - повышение коэф"фициента электромеханической связии улучшение температурной стабильности резонансной частоты.поставленная цель достигается,тем, что пьезоэлектрический материал,включающий РЬТОь. РЬ 2 гО, РЬ(ЫзцЬСоцэ)дополнительно содержитРЬ(МЬ 5 Ь, )Ори следующем содержании компонентов, мол.Ъ:РЬТФОЭ 46,5-48,0РЬЕгО 36, 91-37, 98 РЬ(МЬЦ СоУЭ) ОЭ 12,50-12,85 РЬМЬВЗЬцй)ОЭ 2 ф 59 2 ф 67Синтез составов предлагаемого.пьезокерамического материала осуществляют по обычной керамической технологии в защитной атмосфере РЬО. Температура синтеза .700-750 оС, продолжительность 4-10 ч. Спекание проводят методом горячего прессования крупных блоков по...

Номер патента: 1030344

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Голосов, Дидковская, Климов, Лунев, Морозова, Попов, Приседский, Швец, Шишковский

МПК: C04B 35/49

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...улучшение температурного коэффициента резонансной частоты. 40Поставленная цель достигается тем, что пьезоэлектрический керамический материал содержащий цирконат-титанат свинца и добавки оксидов цинка, висмута и марганца, дополнительно содержит оксид германия при следующем со" отношении компонентов, мас,ЪОксид цинка 0,74-1,95Оксид висмута 0,32-1,30Оксид марганца 0,74-1,95 Оксид германия 0,38-0,99Цирконат-титанатсвинца ОстальноеПри этом пьезоэлектрический керамический материал содержит в циркойате титанате свинца 56-73 мол,В цирконата свинца.П р и м е р 1, Материал содержит, мол.Ъ; 2 пО 9,99 р В 10 з 0,33; МпОъ 1,48; ОеО 20,49 р. и РЪ 2 г 7 еТ Р 96,71.,Для прйготовления 1 оц г материала готовят шихту, состоящую из следующих...

Номер патента: 1133249

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Богданов, Гавриляченко, Головнин, Гринева, Громов, Данцигер, Девликанова, Клевцов, Кудряшов, Панич, Разумовская, Резниченко, Ривкин, Фесенко, Филипьев

МПК: C04B 35/49, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...изобретения - повьппение коэффициента электромеханической связи при высокой температурной стабильности резонансной частоты и механической добротности.Указанная цель достигается тем, ччто пьезоэлектрический керамический материалсодержащий РЬТ 1.0 , РЬ 2 гО РЪИЬ Мп О, РЬИ О, дополни 2(3тельно содержит РЬА 1 , при следующем соотношении компонентов, мол.7.;Р:фТО 45 э 00 4 ь 45РЬ 2 гО . 38,20 - 39,96РЬИЬ Мпз Оз 10,77 - 11,53Синтез составов предлагаемого пьезокерамического материала осуществляют по обычной керамической технологии двукратным обжигом: температура Т=800 С, Т =850 С, продолжительность=С =5 ч. Спекание прово 1 2дят в закрытом алундовом тигле в течение 1 ч. Температура спекания 1200 - 1225"С. Поляризацию всех образцов...