Способ изготовления фотошаблонов, матриц
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 204335
Авторы: Болтунова, Горгораки, Ефимов, Пономарева
Текст
Союз СоветскихСоциалистических Рвслублик Зависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 12,Ч 11.1966 ( 1090289/28-12)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 20.Х.1967. Бюллетень22Дата опубликования описания 28.ХП.1967 Кл, 15 Ь, 104 15 Ь, 4/01 48 с 1, 1/О МП 1 ь, В 41 с В 41 с С 231Комитет ло лолам изобретений и открытий ори Совете Министров СССРУДК 655.225:686,4(088.8) АвторыизобретеннЗаявитель Е, И, Горг ки, Е, А, Ефимов, Т. И, Пономарева и Л, Д, Болтунова ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ фОТОШАБЛОНОВ, МАТРЙЦ ЙЛИ РАСТРОВстворяет егко отвместе с карбида подслой а хрома ее отдерисунок с непрота и проодл ожки. 15 1Известен способ изготовления фотошабло. нов, матриц или растров, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку наносят слой карбида хрома, после чего путем травления получают позитивное изображение оригинального рисунка фотошаблона с непрозрачными участками из карбида хрома и прозрачными участками из материала подложки.Предложено перед нанесением слоя карбида хрома на диэлектрическую подложку наносить подслой металла, негативно повторяющий оригинальный рисунок фотошаблона с последующим травлением его в кислотах, действующих только на металл подслоя, что повышает срок службы фотошаблонов.Способ заключается в следующем, На про.зрачную подложку-диэлектрик химическим, вакуумным или любым другим известным способом наносят подслой металла, негативно повторяющий рисунок оригинала и легко подвергающийся травлению в обычных травильных смесях. Последние применяются при изготовлении изделий в полупроводниковой и электронной промышленности. Затем поверх подслоя на диэлектрик известными способами наносят слой карбида хрома, получаемого термическим разложением бисареновых соединений хрома при 350 С. После нанесения слоя карбида хрома производят травление металла подслоя, в результате чего на тех участках диэлектрика, где первоначально был нанесен подслой металла, кислота раметаллическую пленку, эта пленка лходит от поверхности диэлектриканаходящейся поверх нее пленкой5 хрома.На тех участках диэлектрика, гдеметалла отсутствует, пленка карбидзакрепляется настолько прочно, чтолить от подложки очень трудно,10 Таким образом получают четкийфотошаблона, матрицы или растразрачными участками из карбида хрохзрачными участками из материала п Предмет изобретенияСпособ изготовления фотошаблонов, матриц или растров, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку наносят слой карбида хрома, после чего путем травления 20 получают позитивное изображение оригинального рисунка фотошаблона с непрозрачными участками из карбида хрома и прозрачными участками из материала подложки, отличаюитийся тем, что, с целью повышения срока 25 службы фотошаблонов, матриц или растров иулучшения качества воспроизводимого на подложке рисунка, перед нанесением слоя карбида хрома на диэлектрическую подложку наносят подслой металла, негативно повторя ющий оригинальный рисунок фотошаблона, споследующим травлением его в кислотах, действующих только на металл подслоя,
СмотретьЗаявка
1090289
И. Горгораки, Е. А. Ефимов, И. Пономарева, Л. Д. Болтунова
МПК / Метки
МПК: H05K 3/12
Метки: матриц, фотошаблонов
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-204335-sposob-izgotovleniya-fotoshablonov-matric.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления фотошаблонов, матриц</a>
Предыдущий патент: Концевое лабиринтовое уплотнение турбомашины
Следующий патент: Способ изготовления форм плоской печати
Случайный патент: Молот для динамической штамповки