Электролитная паста для гальванических элементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
М 103058 Б;асс 21 э. 5 ц,ссс ЗО БР ОПИСАН К АВТООМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ф. М. Маршак, Н. Д. Бочарова и С, С. Корнеева ЗЛЕКТРОЛИТНАЯ ПАСТА ДЛЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ ЗЛЕМЕНТО1/452136 в Ъ 1 нннстсрсснностн СССР ос а зпем дццавляетс возможны следующи) ,сты ни 1 л. элекИ)М и э,СКГРО,ПГ 1 )п,ииг. При;)т СИРИаитЫ ССТИВИ , ),1 т;: 1 зобрет пасте ;яя держащей телем ;ля как летне служат м смесь,20 - 1 эО г )нтшгит 1)О Зал)сно 10 февраля 1955 г. ааскис отнцспся и электролитнойга; Ванически элементов, созагуститсль. Оцычно загустпэлектролитны паст элементов о тпш, тик и оло,остойкн уки илп крамал, а также и Комгмо расодцванпя иищшэыпродуктов для приготовления электролпнои пасты, в процессе ранения и разряди элементов вьцсляются гизы (цсобегно имэпВк), иц )1) и) н;и;цил)Ния с п)иги 1 О 1 цпе стационарно се гц)ппс иС)спи, ицвыиациие ис,очное 1, Вблизи деи лярпз- тора и неб;игцири 5 тн) действующие ии к;Тциныи ги)цц) ) с.)Ведение ид) орб) нта. ОбладаОщегц сицсцбпостью ицглощ;пь из раствори катионы, а также Вьцеляющиеся газы и том чнсле аммиак), содействует сораненпц стациоиирнысостояни)1, благоприятньг яля протекао)щпв элементе процессов .э частности на катоде), так как в прпсутствгп бентцнита щелочность растет нетак быстро.Ниже привод)тс)1 способ, приготовлеигя и варианты рецептуры предложенной элктролитнцй пасты для )газличныгп- ПОВ ЭЛЕМЕПтцВ.Для элемегтов летнего ппга сначала готовитсязагуститель путем разведения чи)5 гой муки пли смеси муки 1 кра 1)и) пшеннния муки - 1,"ля элементов маргинцево-воздушной д)поляризации загуститсль готовится ни с;ссн муки с кразалом плп на чистойИрп этом возможны еле;уОщие варианты состава зигуститсля и 1 л) электр,ита:и) мук; - О - 50 1 л., к)разил О - 80 гл., йентоипт - 5 - 85 г)л.:й) муки - )О - 80 г., к 1)азал 3) - ;) г,л)ент)иит - 35 - 65 гл.;и) .уки - )10 - )21 1 и, и )и)пции - 80 - )О г и.) р ) . . с т и,) ц ц р ). т е и и 51с)5 Сктроптн 51 и)Сти дл 51 гильвппРсии;элсмеипцв, сод р;пищи зигустпте;и, ии цнове 1 ппцсвь 1 и)ццдукт)В, ц 1 л н, и и) и и я с я те), пц. с целшц экцнц)пп иищш)огц продукта. у;у 1 шени)1 1- )срнысвойств и ри)ил)си)собности гал- ВиниСск)го. )5 еэепи, В качестве части эигустителя применен;)дсцрц нт, снос )цныи к ионн)1 у Сн как, )гаО)нмср, центонит, ;)иатит, триел и т. д.
СмотретьЗаявка
452136, 10.02.1955
Бочарова Н. Д, Корнеева С. С, Маршак Ф. М
МПК / Метки
Метки: гальванических, паста, электролитная, элементов
Опубликовано: 01.01.1956
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-103058-ehlektrolitnaya-pasta-dlya-galvanicheskikh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролитная паста для гальванических элементов</a>
Элемент памяти (его варианты)
Номер патента: 1153769
Опубликовано: 27.05.1996
МПК: H01L 27/11
Метки: варианты, его, памяти, элемент
1. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, между активным слоем и подложкой введены дополнительный изолирующий слой и два дополнительных полупроводниковых слоя из твердого раствора соответственно Ga1-yAlyAs и Ga1-zAlzAs, где z < y противоположных типов проводимости, причем дополнительный изолирующий слой примыкает к активному слою, а дополнительный...
Элемент памяти (его варианты)
Номер патента: 1164787
Опубликовано: 30.06.1985
Авторы: Братов, Кравченко, Старосельский, Суэтинов
МПК: G11C 11/40
Метки: варианты, его, памяти, элемент
...нуля, не меняя потенциала другойразрядной шины. При этом отпирается переход затвор-сток соответствующего транзистора связи и проис"ходит опрокидьвание триггера. Еслисигнал выборки отсутствует, то обатранзистора связи 11 и 12 остаются 20закрытыми, а запись не происходит.Элемент памяти по второму варианту (фиг.2) содержит триггер натранзисторах 1 и 2, истоки которыхподключены к первому входу триггера 3, соединенному со словарнойшиной 4, а стоки - к прямому 5 иинверсному 6 выходам триггера соответственно, к которым подключенытакже затворы транзисторов 2 и 1 зОсоответственно, и объединенные затвор и исток нагрузочных нормальнооткрытых транзисторов 7 и 8 соответственно, подключенных стоками квторому входу триггера 9, соединен 35ному с...
Турбохолодильник, газодинамическая лепестковая опора турбохолодильника, способ изготовления лепестковых элементов опоры (его варианты) и устройство для изготовления этих элементов
Номер патента: 1089367
Опубликовано: 30.04.1984
Авторы: Баранов, Иванников, Листратов, Морозов
МПК: F25B 11/00
Метки: варианты, газодинамическая, его, лепестковая, лепестковых, опора, опоры, турбохолодильник, турбохолодильника, элементов, этих
...го участка лепесткового элемента; на фнг, 1 О - кривые зависимости радиуса валка от радиуса наименьшей кривизны лепесткового элемента и толщины ма,териала; на фиг, 11 - кривые зависимости радиуса кривизны лепестковогоэлемента от числа циклов нагружения и толщины материала.Турбохолодильник (фиг. 1 и 2, п.1 формулы изобретения) содержит ос" новной корпус 1, смонтированные в нем корпуса подшипников 2 газодинами, ческой лепестковой опоры с размещен.:ным внутри них валом 3 с рабочимиколесами 4 в рабочих полостях 5, со общенных с подводящими рабочее телополостями б, Лепестковые с криволинейным профилем элементы 7 закреплены корневой частью 8 в пазах 9 промежуточных втулок 10 цилиндрическими штифтами 11.Внутри основного корпуса 1...
Быстродействующий микромощный логический элемент и-илии или-не
Номер патента: 624369
Опубликовано: 15.09.1978
Автор: Бубенников
МПК: H03K 19/02
Метки: быстродействующий, и-илии, или-не, логический, микромощный, элемент
...с соответствующим эмиттером транзистора 2, Резистор 3 в коллекторной цепи транзистора 2 может быть зашунтирован диодом 4 Шоттки для цредотврвщения режима насыщения при большом числе М, Вторая ступень, необходимая для реализации йогической функции И-ИЛИ-НЕ, имеет переключатель тока на двух транзисторах 8 и 6, на фазу опорного транзистора 8, связанную с базой транзистора 2 первой ступени, подает ся опорнсе напряжение источника 7, а база транзистора 6 подключена к коплектсьру транзистора 2, В коллекторную цепь транзистора 6 включен нагрузочньй резистор 8, а коллектор транзистора 8-заземлен, Для некоторых применений ЛЗ целесообразнее использовать в коллекторной цепи транзистора 8 нвгруэочный резистор.Для анализа работы ЛЭ используется...
Мембранный элемент аппарата для разделения жидких и газообразных смесей
Номер патента: 784063
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Гдалин, Кротов, Новицкий, Черняков
МПК: B01D 63/08
Метки: аппарата, газообразных, жидких, мембранный, разделения, смесей, элемент
...имеющей вы" ступй 2. С обейх сторон пористой подложки 1 размец 1 ены полуйроницаемые мембраны 3 таким образом,что выступы 2 остаются свободными от 30 мембран. Со всех сторон пористую подложку 1 и полупроницаемые мембраны " окружает ограничивающая рамка 4,. которая выполнена Т-образной в сечении. Узкая часть 5. рамки 4 охватывает край пористой подложки 1 и обеихполупроницаемых мембран 3, В ней выполнены переточные каналы 6, Выступы 2 проходят через ограничивающую рамку 4 и имеют открытые 40 35 78406 частности, мест стыковки пористой подложки с ограничивающей рамкой.Целью предложенного изобретения является упрощение конструкции элемента,и повышение надежности его5 работы. Эта цель достигается за счет, чтого, что пористая подложка...
Предыдущий патент: Способ автоматического регулирования напряжения преобразователя частоты и регулятор для осуществления этого способа
Следующий патент: Максимальное токовое реле
Случайный патент: Устройство для отвода дымовых газов