Устройство для термообработки металлических мембран в вакууме

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...

Номер патента: 336884

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: C25D 1/10

Метки: металлического, шаблона

...покрывают токопровод- щим слоем, который после экспонирования и проявления остается только на участках подвергнутых действию света, гальванически наращивают слой металла на эти участки и на токопроводящие участки шаблона и снимают его с подставки.Предлагаемый способ иллюстрируется фиг. 1 - 3.На матрице 1 (см. фиг, 1) имеются углуб ления 2, которые заполняются электроизолирующим материалом 3. На матрицу 1 наносится тонкий слой светочувствительной эмульсии 4, которая состоит, например, из водного раствора поливинилового спирта с суспензи- ЗО рованными компонентами смолы, абсорбированы соли металлов, нер в воде и тем самым придающие проводящие свойства. Приготовлен цу подвергают действию света чер после чего удаляют незадубленнь Затем...

Номер патента: 1426538

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Макаров, Сигал

МПК: A61B 5/05, G01L 19/08

Метки: гемодинамики, исследования, органов, полых

...фиксирующая 12 и направляющая 13 стойки. На фиксирующей стойке 12 шарнирно прикреплена верхняя бранша 14, которая проходит через прорезь в направляющей стойке 13, снабженной резьбой и прижимной гайкой 15. На конце 16 верхней бранши 14 шарнирно прикреплена круглая прозрачная пластина 17, которая противолежит камере 1 давпения,Устройство работает следующим образом.Например, для исследования гемодинакими желудка производят верхнесрединную лапаротомию и делают окно в большом сальнике. Через окно вводят устройство таким образом, чтобы желудок разместился между камерой 1 давления и противолежащей прозрачной пластиной 7, включают источники света (не изображены), расположенные в коаксиальных полых цилиндрах 2 - 4.Для фиксации желудка в...

Номер патента: 1303792

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Абубакиров, Басс, Кожевин, Москаленко, Суханов

МПК: F22B 1/30, F24H 1/20

Метки: нагреватель, электродный

...вертикальных пластин, установленных с возможностью взаимного перемещения в направлении, перпендикулярном плоскостям пластин. Пакет пластин нулевого электрода 1 снабжен горизонтальным валом 3 и установлен с возможностью вращения с помощью последнего, а пластины нулевого электрода 1 выполнены в форме сегментов,Электроды 1 и 2 размещены внутри разъемного по горизонтали цилиндрического корпуса, состоящего из днища 4 и крышки 5, последняя из которых снабжена патрубком 6 выхода пара и предохранительным клапаном 7. Днище 4 снабжено патрубком 8 отбора горячей воды, патрубком 9 слива воды, перфорированным подводящими трубами 10, токоподводами 11, взаимодействующими со скользящими контактами пластин электрода 2. Пластины электрода 1 на валу...

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.