Керамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(71) Заявнтель Институт, Физики твердого тела и полупроводниковАН Белорусской ССР(54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕЮСТЬЮ Изобретение относится к электронной технике н может быть использовано прн производстве конденсаторов.Известны керамические материалы на основе РЬТа,0 1 1,Однако они,обладают относительно низкими значениями диэлектрической проницаемости. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является сос", тав РЬТаМпО. На частоте 1 ИГц диэлектрическая проницаемость у известного материале равна 90, величина омического сопротивления равна 1,5.10 ф Ом 2.Недостатком известного материала является низкое значение диэлектрической проницаемости, большое эначенйе диэлектрических потерь, "низкая величина омнческого сопротивления. Отмеченные свойства делают его бесперспективным при практическом ис" пользовании. Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости, снижение диэлектрических потерь и электролроводности.Указанная цель достигается тем,что керамический материал, содержащий РЬО, ТаСе и МпО, дополнительно содержит ггР 2 при радующем соо 1"ношении ингредиентов. мас.й:1 а,с 4 28,2-29,3МпОэ 10,0-10,5Х г 03. 1,0-4,8РЬО ОстальноеВ предлагаемом материале оксидциркония является связующим компот нентом структуры целевого продукта,Кроме того, благодаря небольшой величине ионного радиусакатиона цирконня присутствие оксида цирконня 2 Вблагоприятствует Формированию компактных структур Причем, как установлено исследованиями, оптимальнаявеличина добавки оксида циркония ле-.жит в пределах 1,0-4,8 Х.Ниже указанной величины влияние оксида циркония не сказывается на свойствах целевого продукта. Вьппе указанной величины значительно увепичивается нестехиометрнчность соединения РЬМпТаО, что приводит к снижению качества целевого продукта. Значение величины концентрации оксидов марганца, тантала и св.,нца находят аналогичным образом.Способ приготовления предлагаемо-го материала заключается в следующем,Смесь порошков иэ оксидов циркония, марганца, тантала, свинца указанногосостава подвергают обжигу при 700 о1100 С под давлением 30-60 кбар в течение 1-5 мин. Путем исследования структуры на рентгеновс.;ом дифрактоиетре УРСИМ в С 0 Кизлучении установлено что полученные образцы имеют структуру типа перовскита. ИзмеТаблица 1 Содержание, иас. Х Ком по н ен ты 57,8 57,0 60,8 55,4 РЬО 4,8 1,0 4,8 3,3 1,0 10,5 10,0 10,0 10,2 МпгОЭТа 0 28,3 28,2 28,2 28,7 Та блица 2 Материал Свойства 1600 90 810 Диэлектрическая проницаемость, 1 кГц Тангенс угла диэлектрических потерь Удельное сопротивление,Ои см Количество обжигов, необходииых для нригвтовленияматериала Продолжительность обжига рения емкости, диэлектрических потерьи сопротивления проводятся на приборах Р, Е-4,В табл. 1 приведены конкретныеу составы предлагаемого материала,В итоге изучения целевого продукта установлено, что в упомянутыхпределах составов свойства не зависят от концентрации исходных ингре 10 диентов, При этом целевой продуктдо +600 С сохраняет структуру перовскита.Химическая формула полученногосостава может быть представлена в ви 13 де: РАМП,1 К 7.г ХТа 10,где 0,03 ( х0,14.Свойства предлагаемого материала в сравнении с известным представлены в таблице,предлагаемый известный Не более Более 40 ч1-5 иин,0-4,8Остальное Составитель Н,ФельдманТехредТ,Маточка Корректор С. Щомак Редактор С. Крупенина Заказ 11389/41Тираж 663 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж,:Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Керамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью, содержаций РЬО, ТаО и Ип 0, о тл и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, снижения диэлектрических потерв и электропроводности, он дополнительно содержит 2 г 0 при следукнцем соотношении ингредиентов, мас.З: Источники информации,принятые во внимание при экспертизе Исупов В,А. "Физика твердого гела". 1959, т. 1, с. 242-245,2, Филипьев В.С. н др. "Кристаллография", 1963, т. 3, с. 799,
СмотретьЗаявка
2921849, 07.05.1980
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА И ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН БССР
УРБАНОВИЧ СТАНИСЛАВ ИВАНОВИЧ, НИКИФОРОВ ЛЕОНИД ГРИГОРЬЕВИЧ, РАКИЦКИЙ ЭДУАРД БРОНИСЛАВОВИЧ, ОЛЕХНОВИЧ НИКОЛАЙ МИХАЙЛОВИЧ, АКИМОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C04B 35/497
Метки: высокой, диэлектрической, керамический, материал, проницаемостью
Опубликовано: 30.12.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-893960-keramicheskijj-material-s-vysokojj-diehlektricheskojj-pronicaemostyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Керамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью</a>
Предыдущий патент: Пьезоэлектрический керамический материал
Следующий патент: Масса для изготовления керамического материала
Случайный патент: Устройство для электрозащиты печатающей головки