Резонатор для измерения диэлектрической проницаемости листовых образцов диэлектриковна свч

Номер патента: 1149187

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Конев, Любецкий, Михнев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, пленок, проницаемости, толщины

...антенну, делитель луча, к первому плечу которого обращен вход резонатора с зеркалами, в .котором при измерениях исследуемая диэлектрическая пленка расположена под углом 45 к оси резонатора, перпендикулярной первому плечу делителя луча, первый приемный блок, подсоединенный через первую приемную антенну к второму плечу делителя луча и регистрирующий блок, введены первая и вторая поляриэационные проволочные решетки, причем проволочки обеих поляризационных проволочных решеток параллельны, вторая и третья приемные антенны, второй приемный блок н корректор, первый приемный блок выполнен в виде блока измерения диэлектрической проницаемости, выход резонатора расположен со стороны, противоположной его входу, причем первая поляризационная...

Номер патента: 1059515

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Косогоров, Сташкевич, Тарасюк

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, измеритель, металлической, поверхности, покрытий, проницаемости

...относится к техникерадиоизмерений и может использоваться для измерения диэлектрическихпостоянных веществ.Известен интерферометр СВЧ дляизмерения эффективной толщины диэлектрических пластин, в которомиспользован принцип действия отражающего интерферометра Майкельсона,при этом испытуемая диэлектрическая .пластина, покрытая с одной стороны 10металлом, помещается вблизи рупор"ной антенны 1 .Однако такое устройство имеетнизкую пространственную разрешающуюспособность 15Наиболее близким .к предлагаемому является устройство для измерениядиэлектрической проницаемости диэлектрических покрытий, содержащее СВЧ-генератор, излучающую антенну для возбуждения поверхностныхволн в системе металл-диэлектрик,приемную антенну с измерительнымустройством...

Номер патента: 767636

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Воробьев, Кринский, Руссиян, Стронгина, Трубников

МПК: G01N 27/78

Метки: образца, радиоспектрометра, резонаторе, термостатирования, эпр

...питания, подключенный к нагревателю, теплообменный элемент размещен внутри источника паровтак, что его вход расположен вышеуровня криожидкости, трубопроводвнутри источника паров выполнен ввиде двух коаксиально расположенных 45 трубопроводов, внешний из которыходним торцом соединен с погруженнойв криожидкость смесительной камерой,внутри которой расположен электрический испаритель, а другой открытый 0 торец его расположен в непосредственной близости от входа в камерутермостатирования, причем терморезистор подключен непосредственно ковходу регулятора давления. Расположение погружного проточйого теплообменного элемента и его .входа внутригерметично закрытого источника паров криожидкости и выполнение трубопровода, соединяющего погружной...

Номер патента: 1552081

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Тимофеев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...в фазе, образует положительную обратную связь для диода 19 на частоте, строго определенной периодом неоднородностей решетки. Электромагнитияя волна, прошедшая через решетку неоднородностей, образует в слое диэлектрика 16 благодаря согласованной нагрузке бегущую волну, Так как вся система обладает аксиальной симметрией, эта волна цилиндрическая, Поскольку щели 8 и 10, отверстие 6 и щель 9 совпадают, образуя соответственно элементы 20 и 21 связи, бегущая цилиндрическая электромагнитная волна из слоя диэлектрика 16 через эти отверстия связи распространяется, по отрезку прямоугольного волнонода от отверстий связи в стороны, противоположные детекторному диоду 5, поглощаясь согласованными нагрузками 2 и 3, а волны, падающие на детекторный...

Номер патента: 1626136

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Филиппов, Харьковский

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектрической, комплексной, проницаемости, свч

...вдоль радиусов, начиная от боковой поверхности резонатора 2, в одной из которых, например в щели 4, помещен измеряемый образец 5 исследуемого материала. Радиус В и высота Н диэлектрического резонатора 2, длина Е щелей 3 и 4 вдоль радиусов, их ширина 5, толщина й образца 5 и центральный угол О между центральными сечениями щелей 3 и 4 выбираются из условий1 =А/2 лп, Н Л,Л , 5- -с О= -82где п=2 а+1 - число длин волн по периметру резонатора, п=4, 5, 6,.;А - длина волны колебаний, возбуждаемых в резонаторе.Устройство работает следующим образом.При выбранном радиусе й и высоте Н резонатора 2 в нем с помощью диэлектрического волновода 1 возбуждается волна типа "шепчущей галереи", которая является двухкратно вырожденной по азимуту, Поле этой...