Способ поверки меры

Номер патента: 141561

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Жуков, Тульчинский, Шадрин

МПК: G01N 1/28, H01J 37/26

Метки: изучаемых, методом, микроскопии, препаратов, прибор, расщепления, электронной

...2 - конструктивное оформление замкнутой камеры.Однополупериодный выпрямитель, собранный, например, на газо- троне 1 типа ВГ, включен во вторичную обмотку 2 повышающего трансформатора, первичная обмотка 3 которого выполнена в виде отдельных секций, позволяющих регулировать выходное напряжение. Емкостный генератор импульсов содержит ограничивающее сопротивление 4, разрядную емкость 5, формирующий промежуток б и рабочие электроды 7 и 8, Выпрямленное напряжение заряжает емкость 5 до тех пор, пока напряжение на емкости не достигнет величины разряда формирующего промежутка, который, пробиваясь, замкнет емкость на рабочие электроды 7 и 8.Один из электродов 7 выполнен подвижным и заземлен для обеспечения безопасной работы прибора. Внутри...

Номер патента: 649062

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Горбунов, Рау, Спивак

МПК: H01J 37/26

Метки: влажных, исследования, микроскопе, образцов, растровом, электронном

...иэ светопроводящего материала и имеющей отверстие 8 для прохождения электронного луча, закрытое защитной пленкой, Защитная пленка крепится эпокснлом в отверстии-окне 8 крышки мнкрока649062 меры 7. Диаметр отверстия1 мм. Крышка 7 микрокамеры б выполнена иэ светящегося при электронной бомбардировке пластикового материала антрацена.Устройство действует следующим образом.Сканируемый электронный зонд 1 микроскопа (первичный сфокусированный пучок электронов) свободно пронизывает защитную пленку, например, из формвара толщиной д 1000 Ъ. При 10 сканировании зонда по поверхности влажного объекта 5 образуются как вторичные, так и отраженные электроны. Промодулированные рельефом поверхности объекта,они обладают энергией, достаточной для...

Номер патента: 1182322

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Родионова

МПК: G01N 1/36

Метки: микроскопии, образцов, подготовки, поперечных, сечений, электронной

...микроскопа с отверстием в середине (фиг. 16) и покрываютзащитным слоем (лаком, клеем, парафином), не взаимодействующим с травителем, в котором утоняется образец (фиг.1 в). В защитном слое проделывают окно (фиг.1 г) и помещают образец в травитель. По мере утоненияобразца защитный слой, нависая надкраямгг утоняемой области, препятствует ее травлению (фиг.1 д). Удаляязащитный слой у исследуемой области(фиг. 1 е, получают равномерно утоненный участок, содержащий приповерхностную область образца, Защитный слой растворяют фиг.1 ж).Предлагаемый способ используютдля исследования границы раздела,А 1-8, На подложку кремния путемтермического испарения в вакууменаносят пленку алюминия толщинойо500 А. Из структуры подложка-пленкавырезают образцы...

Номер патента: 1272160

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Дегтева, Сулабе, Тихомиров

МПК: G01N 1/28, G01N 1/36

Метки: дифракционной, исследования, микроскопе, образца, приготовления, решетки, электронном

...заключается в следующем. 1 ОНа поверхность дифракциоиной решеткичерез заслонку в вакууме напыляют углерод толщиной 1 О - 20 нм. Заслонка необхо.дима для получения более прочного слоя.Для уменьшения времени изготовления реп.лики желательно дополнительно напылить15углерод без использования заслонки такойтолщины (30 - 40 нм), чтобы прн перегибе реплика не рвалась, После напыленияуглеродную реплику отделяют от поверхности решетки с. помощью желатина. По 2 овысохшей поверхности желатина делают разметку образца, одна из сторон которогопараллельна линии перегиба, перпендикулярной направлению штрихов решетки. Далеевырезают образец, отмывают его от желатина в дистиллированной воде и вылавливают на ребро сетки-подложки, подводя ееснизу под...

Номер патента: 1619356

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Веприк, Краснянский, Никифоров, Феклистов

МПК: H01J 37/26

Метки: исследования, микроскопе, пластин, полупроводниковых, электронном

...пластина помещается на столик 1 под зондовую карту 5, которая опускается до образования зазора примерно в 1 мм между ней и пластиной. Затем объем вокруг столика вакуумируется и произ" водятся исследования. Для осуществления контакта игл 7 с пластиной опускают подвижное. кольцо 6, пропуская электрический ток через терморегулирующий элемент 10. Поскольку элемент 10 контактирует с гофрированным наполненным кольцевым газом элементом 9, происходит либо расширение,либо сжатие газа, что воздействует на гофрированные стенки кольцевого элемента 9. Тем самым осуществляется подъем-опускание кольца 6 с иглами 7. Полупроводниковая пластина перемещается по осям горизонтальным, а также вращается при поднятом кольце 6 .зондовой карты 5 за счет...