Патенты с меткой «модуляторе»

Номер патента: 485402

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Писаревский, Сильвестрова

МПК: G02F 1/28

Метки: каналов, многоканальном, модуляторе, света, ультразвуковом, уплотнения

...материаспростране можных зав ения звука ия з учка. Ряд й распрост им скор ост т нап Однако с ростом час резко повышается погло риале пропорционально снижает длительность "б сигнала, а при дальнейш тоты делает применение .ла невозможным; лны определяются видом зав3равления в кристаллах приведен на фиг, 1 для различных значений параметра , являющего коэффициентом в разложении( Ч-- +Щ+ Ь 1б где- угол между скоростями У иоЯ - параметр, определяющий угол между, потоком энергии (гругповой скоростью) и поверхностью одинаковой фазы- параметр упругой анизотропии. 19При значениях параметра 3=0 .(изотрс)иная среда; кривая Б) волна от разности участков ультразвукового излучателя, при ходящие к точке пространства, удаленной от излучателя,...

Номер патента: 535518

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Данилов, Редькин, Шумаков

МПК: G01R 21/00

Метки: импульсном, искусственной, линией, модуляторе, мощности, потерь

...предлагаемому является способ измерения мощности, потребляемой импульсным модулятором от источника питания, и мощностив нагрузке.Недостаток такого способа состоит в том, что мощность потерь находится с погрешностью, намного превышающей погрешность измерения исходных значений мощности, поскольку мощность потерь обычно на порядок ОЩНОСТИ ПОТЕРЬКУССТВЕННОЙ ЛИНИЕЙ535518 Формула изобретения Составитель К, Сидоров Техред М. СеменовКорректор Л. Котова Редактор Н. Каменская Заказ 1548/1 Изд.523 Тираж 1054 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 вания между сопротивлением искусственнои линии 7 и нагрузки б, вводимого...

Номер патента: 855594

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Мишура

МПК: G02F 1/19

Метки: записи, информации, мембранном, модуляторе, света, стирания

...В результатеэтого, положение мембраны при управляющем напряжении 02 является неустойчивым, так как незначительноесмещение мембраны к электроду вызывает увеличение электростатическихсил, которое не может быть скомпенсировано силой натяжения мембраны, имембрана спонтанно притягивается куправляющему электроду до упора в 35него (фиг.2), Этому моменту переключения мембраны соответствует участок кривой О -Б (фиг.З). Такоесостояние мембраны в положении большого смещения является устойчивым 4 Оравновесным состоянием, "ак как электростатические силы притяжения превышают возвращающую силу натяжения мем"браны. При уменьшении управляющегонапряжения мембрана находится вэтом положении до тех пор, пока электростатические силы не станут равнымивоз...