Щербай

Номер патента: 1778568

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Варшава, Воронин, Островская, Щербай

МПК: G01L 11/00, G01L 9/02

Метки: давления, датчик

...диапазона измерения в область низких давлений а именно измерение вакуума в пределах 10 10 мм рт.ст. (10 1,0 бар).Цель достигается тем, что чувствит ный элемент(ЧЭ) выполнен в виде ните ного кристалла, при этом твердый раст ОаАз 1-хРх легировали медью с концЗен цией носителей 2 10 8 10 см1 з , з1778568 220 В Применение нитевидного кристалла в качестве ЧЭ позволяет довольно легко осуществить его перегрев стабилизированным током питания и по изменению падения напряжения под действием вакуума опреде лить давление (вакуум), поскольку коэффициент теплоотдачи а изменяется в зависимости от его уровня.На фиг. 1 изображен датчик давления; на фиг. 2 - его градуировочная характери стика,Датчик содержит ЧЭ 1, электрические контакты 2, ламельки...

Номер патента: 1569858

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Варшава, Островская, Чекурин, Щербай

МПК: G01P 5/12

Метки: термоанемометр

...зоны, Чувствительный элемент 1 с токовыводами3 устанавливают посредине кольцевой 45державки (термопары) 7 и крепят посредством клея в точках 4. Термопаравыполнена из проволоки хромель-копель ф 0,1-0,2 мм, диаметр кольцевой державки и 20 мм. Возможно также 50выполнение термопарц в пленочном исполнении на, диэлектрической подложке.Термоанемометр работает следующимобразом.П р и м е р 1. Производят его предварительную градуировку. Для этогоклеммы 5 от чувствительного элементапод,оединяют к стабилизированному источнику постоянного тока, к ним подсоединяют цифровой измерительный прибор, например В 7-16 А. Клеммы 6 от термопары подсоединяют к цифровому вольтметру, например В 7-21. Устанавливают рабочий ток= 0,6-0,7 мА. Головку...

Номер патента: 476462

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Вайнберг, Варшава, Сандулова, Щербай

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, температуры

...в нем искристалл из арсенидапереходом. 20 Изобретение относится к области тепловых измерений.Известны датчики температур, содержащие термочувствительный элемент в виде диодной структуры из арсенида галлия и выводы.Недостатком таких датчиков является низкая чувствительность 3 мв/град и отсутствие линейности выходной характеристики в широком температурном диапазоне.С целью устранения указанных недостатков в предлагаемом датчике термочувствительный элемент выполнен в виде р+ - р - и+ структуры, содержащей в базе высокоомный пере- компенсированный слой и обладающий 5-образной вольтамперной характеристикой при прямом смещении.На фиг, 1 изображен термочувствительный элемент предложенного датчика; на фиг. 2 - семейство вольтамперных...