Номер патента: 476462

Авторы: Вайнберг, Варшава, Сандулова, Щербай

ZIP архив

Текст

Ъ(4 О П И С А Н И Е 11) 476462ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сона Советских СоциалистическихРеспублик 1) Дополнительное к авт, свид-ву 2) Заявлено 08.06.73 (21) 1930086/18-1 51) М, Кл. 6 011 с 7/2 присоединением заявки л Государственный комитет Совета Министров СССР ао делам изобретений 23) Приорит Опубликовано 05.07.7 ллетень25 3) УДК 536.531(088.8 и открытий Дата опубликования описания 11,11. 72) Авторы изобретен а, С. С. Варшава, К. С. Шербай и В. В. Вайнберг В. Сан Львовский ордена Ленина политехнический институт(71) Заявитель 54) ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЪ 1 зобретени Предмет содержащии термонт, собранный на диодеснаоженный контактас я тем, что, с целью и выходных характедиапазоне измеряемых пользован пластинчатый галл ия с р+ - р - и+ Датчик температурьчувствительный элемеиз арсепида галлия ими, отлича 10 цийулучшения линейностристик Б широкомтемператур, в нем искристалл из арсенидапереходом. 20 Изобретение относится к области тепловых измерений.Известны датчики температур, содержащие термочувствительный элемент в виде диодной структуры из арсенида галлия и выводы.Недостатком таких датчиков является низкая чувствительность 3 мв/град и отсутствие линейности выходной характеристики в широком температурном диапазоне.С целью устранения указанных недостатков в предлагаемом датчике термочувствительный элемент выполнен в виде р+ - р - и+ структуры, содержащей в базе высокоомный пере- компенсированный слой и обладающий 5-образной вольтамперной характеристикой при прямом смещении.На фиг, 1 изображен термочувствительный элемент предложенного датчика; на фиг. 2 - семейство вольтамперных характеристик датчика при прямом смещении и различных температурах,Термочувствительный элемент 1 представляет собой пластинчатый кристалл баЛь, содержащий низкоомиый диффузионный слой р-типа 2, высокоомный перекомпенсированный слой р-типа 3, низкоомный слой и-типа 4 и омические контакты 5.Датчик включается в измерительную цепь, со стоящую из последовательно включенных сопротивления нагрузки и источника стабилизированного напряжения. Чувствительность датчика при выборе рабочей точки на отрица.тельном участке ВАХ непосредственно после О срыва достигает 1,4 в/град при сопротивлениинагрузки 4 мом и напряжении питания 400 в.ставитель В, Куликоекред М. Семенов орректо Братчико енискина дакт пография, пр. Сапунова, 2 Заказ 2743/12ЦНИИПИ Г Изд.905сударственного комитета по делам изобретений иМосква, Ж, Раушская Тираж 740Совета Миниоткрытиинаб., д. 4/5 Поди исов СССР

Смотреть

Заявка

1930086, 08.06.1973

ЛЬВОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

САНДУЛОВА АННА ВАСИЛЬЕВНА, ВАРШАВА СЛАВОМИР СТЕПАНОВИЧ, ЩЕРБАЙ КОНСТАНТИН СТЕПАНОВИЧ, ВАЙНБЕРГ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, температуры

Опубликовано: 05.07.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-476462-datchik-temperatury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик температуры</a>

Похожие патенты