Шулепко

Номер патента: 2001496

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Марков, Слонова, Шулепко

МПК: H02M 9/06

Метки: асимметричное, переменного, переменное, преобразования

...воздействиям, Введение однополупериодного удвоенного положительного напряжения в технологический процесс позволяет сократить время выхода на микродуговой режим в используемых электролитах за счет эффективного использования анодной составляющей тока. а так же уменьшить в целом время формирования равномерных и однородных по толщине полифункциональных покрытий. Включенное индуктивное сопротивление последовательно с тиристором и дополнительным конденсатором подавляет возникающие высокочастотные импульсы тока и сглаживает токовые удары в цепи в момент включения тиристора, тем самымпредотвращая появление помех в сети вредных для потребителей с радиоэлект ронной оснасткой.При введении в цепь тиристора параллельно нагрузке и подключении...

Номер патента: 1713990

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Марков, Слонова, Шулепко

МПК: C25D 11/02

Метки: анодирования, металлов, микродугового, сплавов

...но и образование нового слоя, который имеет высокую шероховатость. П р и м е р 1, Образец из алюминиевогосплава Дпомещают в ванну с электроли- том следующего состава:Едкое кали (КОН) 2 г/л5 Жидкое стекло (йаг 310 з) 4 г/лВода до 1 лУстанавливают анодную плотность токаОа 0,6 А/дм; катодную- Ок - 0,5 А/дм,отношение токов Ок/Оа = 0,95.10 Процесс ведут по прототипу до достижения излома анодного напряжения, затемснижают плотность тока на 20% до О = 0,48А/дмг, Ок = 0,4 А/дм и при этой плотноститока ведут процесс в течение 120 мин. Затем15 плотность тока вновь снижают на 20%. О =0,38 А/дмг, Ок = 0,32 А/дмг. Длительностьступени - 120 мин. Снижают плотность токаеще в 2 раза до О = 0,24 А/дмг, О, = 0,24А/дм и после 120 мин процесс выключают.20...

Номер патента: 1651390

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Кириллов, Марков, Рогожников, Слонова, Соловьев, Терлеева, Цвиклинский, Шулепко

МПК: H05K 3/46

Метки: многослойных, печатных, плат

...ивают при тветствуетпредыдуют но ра аблиц дены в табл, 2,Последовательность операций повторяют до нанесения 30 слоев.После этого технологическое основание 1 удаляют, растворяя электролитически временный подслой 2,П р и м е р 2. На технологическое металлическое основание 1 с временным подслоем 2 из меди, нагретое до 250 С, наносят равномерный диэлектрический слой 3 толщиной 50 мкм хлористого серебра. Равномерность слоя 3 проверяют с помощью измерительного индикатора. Затем нанесенный слой 3 оплавляют движущимся радиационным нагреванием и охлаждают его до температуры основания 1.В оплавленном слое 3 формируют локальным электролизом соли - движущимся графитовым электродом - рисунок провода 0-0,1 гпА пробоя неводящая дорожка не ижения...

Номер патента: 1200591

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Марков, Терлеева, Шулепко

МПК: C25D 11/02

Метки: металлы, нанесения, покрытий, сплавы

...70 В, Для получен ного покрытия определяли износостойкость, наличие сквозных пор и микротвердость. Микротвердость измеряли стандартным методом на приборе ПМТЗ при нагрузке 200 Г на поперечных шпифах образцов с покрытием. На наличие сквозных пор образцы испытывали по следующей методике. Брали стандартный электролит для меднения следующего состава, г/л:40Сернокислая медь 200Серная кислота 50Вода До 1 л, заполняли электролитическую ванну и помещали испытываемый образец в ка 45 честве катода, анодом служила медная проволока. На образец подавали напряжение 2-3 В и вели процесс до появления на поверхности образца красных точек - вьппедшей по порам на50 поверхность образца меди, Затем под микроскопом считали количество пор на единицу...

Номер патента: 1451821

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Кириллов, Марков, Терлеева, Шулепко

МПК: H02M 5/257

Метки: асимметричное, переменного, переменное, преобразования

...является расширение функциональных воэможностейустройства путем получения на выходе однополупериодного удвоенного отрицательного напряжения.На чертеже представлена схема описываемого устройства.Устройство содержит блоквключающий соединенный с одной фазой источника питания основной конденсатор 2, параллельно которому че-рез тиристор 3 и резистор 4 включенконденсатор 5, а также цепь из последовательно соединенных тиристора6 и резистора 7. Управляющие входытиристоров 3, 6 соединены с систе.мой 8 управления. 11 араллельно основному конденсатору 2 включена дополнительно введенная последовательнаяцепь, состоящая из конденсатора 9,соединенного через диод 10 с другойфазой, и тиристора 11, а последовательно с основным конденсатором 2между ним...

Номер патента: 1339818

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Глазунов, Кан, Кириллов, Максутов, Марков, Терлеева, Федоров, Шулепко

МПК: H02M 5/257

Метки: асимметричное, переменного, переменное, преобразования

...производстве дляоснащения технологических процессов,требующих асимметричного переменногонапряжения,Цель изобретения - расширение функ.циональных возможностей путем повышения амплитуды напряжения на выходе,На чертеже приведена принципиальная схема устройства.Устройство содержит конденсатор1, параллельно соединенный с ним через резистор 2 и тиристор 3 дополнительный конденсатор 4 с включеннойпараллельно ему разрядной цепью, содержащей дополнительный тиристор 5и дополнительный резистор 6,Силовая цепь подключена последовательно к нагрузке - электролитической ванне 7 и имеет систему 8 управления тиристорами.Устройство работает следующим образом,При подаче переменного напряжения в силовую цепь в первый палупериод входного напряжения...

Номер патента: 1255274

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Латута, Марков, Терлеева, Шулепко

МПК: B22C 3/00

Метки: графитовых, литейных, покрытия, формах

...так, чтобы к концу процесса довести пульсацию напряжения до 1007 Изменение пульсации напряжения меньше, чем через 10 В приводит к 1007.-ной пульсации раньше, чем закончится процесс, что приводит к сильному оплавлению и отслаиванию покрытия, а свыше 40 В невозможно достигнуть 1007-ной пульсации напряжения к концу процесса, что отрицательно сказывается на качестве покрытия.П р и м е р 1. На образец из графита наносят полимерную пленку из клея Бф-б, сушат и помещают в электролитическую ванну. В качестве электролита используют 107-ный раствор жидкого стекла (НаЯО ). Плотность тока на образце поддерживается постоянной и равной 1 А/дм и покрывают до напряжения 600 В. Вначале процесс ведут в режиме двухполупериодного выпрямления (режим...

Номер патента: 992115

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Гизатуллин, Марков, Терлеева, Шулепко

МПК: B22C 3/00

Метки: графитовых, литейных, покрытия, формах

...об о разом.Графитовую форму предварительно покрывают диэлектрической пленкой, представляющей собой органический полимер (например клей Бф), просуши" д вают, помещают в ванну с электроли" том и покрывают в режиме микродуго" вого и дугового оксидирования.Предварительная диэлектрическая пленка способствует выходу на режим щ микродугового и дугового оксидирования минуя процесс анодирования, так как эта пленка защищает форму от обычного анодирования вплоть до до" стижения напряжения пробоя данной р пленки в более слабых местах. В этих местах в момент пробоя сосредотачи" вается вся подаваемая плотность тока и при дальнейшем повышении напряже" ния в них начинается процесс микро" дугового оксидирования графита, рас" 5 4пространяющий ся на...