Рожнин

Номер патента: 1653150

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Балковой, Бузыкин, Габов, Глебов, Голиков, Рожнин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...начинаютйротекать по первичным обмоткам 12,14 и вспомогательному ключу 29. Трансформация тока первичных обмоток 12,14 во вторичные обмотки 16, 19 вызывает отпирание (начальное) силовыхтранзисторов 1 и 4. При этом начинает35протекать ток от шины 5 через цепьиэ соединенных последовательно перехода коллектор - эмиттер силовоготранзистора 1 обмотку 16, нагрузку7, секцию 22 первичной обмотки дополнительного трансформатора 20, переход коллектор - эмиттер силовоготранзистора 4 обмотку 19. Из секции22 первичной обмотки дополнительноготрансформатора 20ток трансформируется во вторичную обмотку 23 этоготрансформатора. Ток обмотки 23, пропорциональный току нагрузки, протекающему по секции 22, замыкается черездиод 26, первичные обмотки 12,...

Номер патента: 1601594

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Васильев, Рожнин

МПК: G01T 1/38

Метки: асимметрии, бета-распаде, вылета, заряженных, нейтронов, поляризованных, частиц

...следующему 25Область 2 хранения ультрахолодныхнейтронов (контролируемая областьраспада) позволяет накапливать ультрахолодные нейтроны за счет их полного .отражения от стенок области 2,Накопление нейтронов с постояннымпритоком приводит к повышению статистической точности измерений.Прямой провод 3, расположенныйпо оси области 2, создает при протекании по нему тока аксиально-симметричное радиально-неоднородное магнитное поле вида Н1/г во всейобласти 2, В таком поле заряженныечастицы, образованные при распаде4нейтрона, дрейфуют вдоль прямогопровода 3, причем эффекта магнитногозеркала не возникает, Таким образомустраняется источник систематической погрешности.Расположение детекторов 4 и 5 заряженных частиц в радиальной плоскоскости вплотную...

Номер патента: 1475397

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Абов, Васильев, Рожнин

МПК: G21K 1/093, G21K 3/00

Метки: ловушка, магнитная, нейтронов, хранения

...распада нейтронар, ев поле проводника дрейфуют соот.ветственно по току и против тока. 25В зависимости от конфигурации и размеров ловушки можно обеспечить регистрацию продуктов распада с эффективностью 50-757 Для выпуска нейтронов закрывают заслонки 8, откры"вают .заслонку 9 и магнитный затвор,выключая токи в проводнике 15 и центральной обмотке,2, Нейтроны попадаютв отверстие б инжекции, ускоряютсяв нем с гравитационным полем попаЭ35дают в зеркало 12 и, зеркально отражаясь от него, попадают в детектор10, проходя через тонкое окно 11.Наличие в объеме ловушки осевогопроводника 15 при пропускании черезнего тока обеспечивает создание аксиального магнитного поля, направленного .ортогонально полю основногомагнита. Это дополнительное...

Номер патента: 1150753

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Глебов, Рожнин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...сердечниками 12, 13, 14 и 15, обмотку 20 положительной обратной связи, обмотку 21 отрицательной обратной связи.11507 3К первой и второй шинам 1 и 2 источника питания подключены выходные зажимы этого источника.Коллекторы силовых транзисторов 9, 10 и 11 через первичные обмотки 16, 17 и 18 трансформаторов, выполненных на сердечниках 12, 13 и 14, подключены к первому выводу общей нагрузки 3. Второй вывод этой нагруз" ки соединен первой шиной 1 источника О питания. Эмиттеры силовых транзисторов 9, 1 О и 11 подключены к второй шине 2 источника питания, а базы их соединены с выходом управляемого источника сигнала, выполненного в виде 15 управляемого ключа 5 и источника 6 ,отпирающего смещения. Вход управляемого ключа 5 соединен с первым...

Номер патента: 1142320

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Глебов, Рожнин, Федоткин

МПК: B60L 11/18

Метки: двигателем, тяговым, электромобиля

...5, Орган 6 управления, например педаль, связана с датчиком 7 его перемещения. На выходе датчика 7 установлен преобразователь 8 аналогкод, разрядность которого равна числу стабилизаторов 4 тока в группах. Управляющие входы стабилизаторов 4 подключены, к соответствующим входам преобразователя 8. Управляемые стабилизаторы тока имеют характеристику источника тока при наличии управляющего сигнала и разрыва цепи при отсутствии управляющего сигнала.Устройство работает следующим образом.В начальном состоянии, когда угол поворота органа управления 6 равен О, напряжение на выходе функционального преобразователя 8 также равно О,фи на всех выходах преобразователя 8присутствуют уровни логического нуля. При этом все стабилизаторы 40 4, находятся в...

Номер патента: 843234

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Глебов, Рожнин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...в базытранзисторов, и коллекторным током каждого силового транзистора, являющимсятакже током первичных обмоток О и 11,существует пропорциональная связь, а коэффициентом пропорциональности служит отношение числа витков обмоток 10 и 13, 110и 14, При идентичности трансформаторовячеек коллекторные токи силовых транзисторов принудительно устанавливаются одинаковыми.При исчезновении сигнала положительной полярности на входе ключевого устрой 5 ства инвертор 24 запирается. Это приводитк тому, что запирается первый ключ и отпирается шунтирующий транзистор и второй ключ, При этом ток, протекающий попоследовательной цепи, состоящей из обмоток 13 и 14 и первого ключа, прекращается,20и начинает протекать ток по последовательУной цепи, включающей...

Номер патента: 828412

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Глебов, Рожнин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...бифилярной намоткой с одинаковым количеством витков.Устройство функционирует следующим образом. При наличии на шине 12 нулевого потенциала транзистор 1 заперт, и ток в нагрузке 10 отсутствует. При исчезновении управляющего сигнала на шине 12 в базовую цепь транзистора поступает ток, величина которого определяется резистором 7, и транзистор начинает отпираться. За счет хорошей магнитной связи между обмотками 3 и 5 транзистор быстро переходит в состояние насыщения. Его базовый ток в момент отпирания ограничивается резистором 9. Ток в обмотке 4 нарастает значительно медленнее, чем в обмотке 5, что обусловлено существенной разницей в количестве витков между обмотками 3 и 4 и, как следствие, значительной индуктивностью рассеяния между ними....

Номер патента: 799141

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Глебов, Рожнин, Сибиченков

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...работает следующим образом, 1При отсутствии управляющего сигналана базе транзистора 22 последний заперт, и в базовые цепи транзистора 7 и транзисторного ключа 16 через, резисторы 23, 26 и 25 задается ток, поддерживающий эти транзиеторы в состоянии насыщения,. При этом между базой и эмиттером силового транзистора устанавливается небольшая разность потенциалов, и силовой транзистор 1. находится в режиме отсечки, а ток, протекающий черезрезистор 30, шунтируется транзистором .7, При поступлении сигнала положительной полярности на базу транзистора 22 запираются транзистор 7 и ключи 14 и16, Ток, протекающий через резистор 30,начинает поступать в базу транзистора 1, переводя его в активный режим.За счет положительной обратной...

Номер патента: 777823

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Глебов, Рожнин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...между обмотками 11 и 7, а затем уменьшается по мере роста магнитного потока в сердечнике трансформатора 9. Через некоторое время, определяемое. цепью задержки, отпирается силовой транзистор 4, и ток нагрузки теперь распределяется между двумя транзисторами. Поскольку отпирание транзистора 4 произошло позже, у него отношение базового тока к коллекторному будет выше, чем у транзистора 3. В момент насыщения сердечпика трансформатора 9 базовый ток транзистора 3 быстрее спадает до нуля, транзистор выходит из режима насыщения и запираетсяПри этом магнитный поток в трансфоро 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 маторе 10 ещс не успел дойти до величины, достаточной для насыщения и транзистор 4 остается в состоянии насыщения. Весь ток...

Номер патента: 766014

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Глебов, Рожнин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...силового транзистора 3. Из-за действия цепи положительнойобратной связи, осуществляемой трансформатором 5, силовой транзистор переходит в режим насыщения,В режиме насыщения по обмотке 7и через резистор 9 протекает ток,пропорциональный току обмотки 4, т,епропорциональный току коллектора силового транзистора 3. Ток обмотки7 полностью поступает н базу силоваго транзистора, пока величина этогатока меньше порогового значения, пркотором иа резисторе 9 создается на.пряжение, достаточное для отпиранияэмиттерного перехода дополнительногтранзистора 11. Ь 0 15 20 25 30 35 40 При достижении током обмотки 7 указанного порогового значения отпирается переход эмиттер"база дополни" тельного транзистора 11, и коллекториый ток этого транзистора...