Полупровдниковое устройство

. (088 И, Елинсон, М. Р. Мадьяров,В. Степанов, С. А. Терешин 2) Авторыизобретени окалякиТестов дена Трудового Красного Знамени институт радиотехни и электроники АН СССР 71) Заявител 4) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО кремний енка нокристалдвуокисиУ такустойчив5 и высоколючения,питающемЦельбиполярнО нания иченном пЭто д5, имеетменее 55 энергетичзоне. твуют двакоомноесть перектключенном ора от яння - истаби ание п т и н ии. ия - обе ключения я памяти апряжени я тем, ч с концен здающими вни в з ечениезаномири отклю о пленка рацией н глубоки прещенно со ро Эти уровни создаются либо диффуэией соответствующих атомов примеси (например, Ац, 2 о и т.д .), либо за счет дефектов кристаллической решетки 5 лО (получение 5 оО методом ионоплазменного распыления олова в атмосфере кислорода) .В исходном состоянии элемент обладает высоким сопротивлениемм, При приложении напряжения (на двуокиси олова), превышающего пороговую величину (3-5 в), элемент переключается в состояние с малым сопротивлением1 0 Ом. Это состояние запо 1 иковые оперех Изобретение относится к .вычислительной технике и автоматике и может быть использовано при создании запоминающих устройств.Известны устройства на основе гетероперехода, состоящего нз низкоомного слоя, например 5-р-типа и высокоомного слоя, например 2 пТе 1 .При подаче положительного токового импульса амплитудой, более чем пороговый 5, происходит переход из низкоомного в высокоомное состояние. Об ратное переключение из высокоомного состояния в низкоомное осуществляется подачей отрицательного импульса напряжения с порогом Чт 1, При использовании инжектирукщего контакта реализуется биполярная схема.Недостатками таких переключателей являются технологическая трудность изготовления тонких слоев бинарных соединений, невоспроизводимость пара метров переключения, связанная, по - видимому, с невоспроизводимостью свойств пленок. Такие материалы не используются для изготовления как пассивных, так и активных элементов интегральных схем.Известны полупровЬдн ус ройства на основе гетер ода лическиолов аго прибх состомное, бзапомнинапряжезобретеости перохранентающемстигаетдеФекты0 смеские уб 70 Я 23 Составитель Г. КорниловаРедактор Т . Колодцева Техред Н,Бабурка Корректор Е, Папп Заказ 8666 72 Тираж 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул, Проектная, 4 минается и сохраняется при отключении, питания, При смене полярности напряжения и после достижения порогового тока (1 МА) элемент переключается вновь в высокоомное состояние . 100 м, которое сохраняется при отключении питания. Для неразрушающего считыва ния инФормации можно использовать импульсы тока или напряжения, амплитуды которых не превосходят пороговых величин, Время хранения инФормации при отключенном питании превосходит 3 16 месяца. Число обратных переключений элемента превосходит 10.Укаэанный 5 пО бистабильный запоминающийся элемент легко изготавливают в интегральном виде,до сущест вуищей кремниевой планарной технологии.Использование пленки двуокиси олова позволяет по одной технологии в едином цикле создавать в интегральном щ исполнении как бистабильные запоминающиеся устройства, так и резисторы, Мотки-диоды, конденсаторы на использовании емкости области пространственного заряда Шотки-диода и полевыетранзисторы с Иотки-затвором.Формула изобретения Полупроводниковое устройство наоснове гетероперехода монокристаллический кремний-пленка двуокиси олова,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью обеспечения биполярности переключения, запоминания и сохранения папяти при отключенном питающем напряжении, пленка имеет дефекты с концентрацией не менее 510"з см, создающими глубокие энергетические уровнйв запрещенной зоне .Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1.йеибагу О,М. аг.д о 6 егз "Е)ес 1 гса 1ВеЬа,чоцг о 1 р Сел 2 о 5 е Ьеегоцпс 1 оцз"Е 1 есг.Еес" ,1972, 8, Ф 1, р. 104-105.2. крячко В, В. и др. исследование электроФизических свойств гетеропереходов 5-5 пО, "Физика полупроводников и микроэлектроника", Воронеж, Изд-во Воронежского университета, 1972, с, 25.