Способ изготовления интерференционного узкополосного фильтра

ZIP архив

Текст

(19) (11) 25 А ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ диэле к щего и тит ан а ного в 4,А.Каменец Г.Б.Скоро числом слческсй топтическполовине ослоиные Машина ференционные троение, 197 пусканиполссный диэлектр иона,и а 10 -10 которой пр е вышае внешнего с. СОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕР УЗКОПОЛОСНОГО ФИЛЬТРА анесение на прозрачную ласти спектра подложку онно-лучевого испарения(54) (57) СП ФЕРЕНЦИОННО включающий в видимой о путем элект и Т% /00 20 ЮО ЧбО СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(56) Фурман Ш.А. Тонкоптические покрытия,Лстроение, 1977, с. 15Крылова Т.НИнтерпокрытияЛ,: Машинос150 ического покрытия, состоя- чередующихся слоев двуокиси двуокиси кремния, выполнен" иде двух зеркал с равным оев четвертьволновой оптиолщины, разделенных слоем, ая толшина которого кратна рабочей длины волны, о тю щ и й с я тем, что, с еличения коэффициента проинтерференционный узко- фильтр после нанесения ического покрытия облучают ргона или кремния дозойгион/см с энергией, при проекционный пробег ионов т геометрическую толщину слоя диэлектрического поСоставителв П.ЯковлевТехред Т.Тулик Корректор М.Максимишинец Редактор Л.Веселовская Заказ 283/56 Тираж 502 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул . Проектная, 4 1 1Изобретение относится к интерференционным узкополосным фипьтрам, используемым для монохроматизации излучения,Целью изобретения является увеличение коэффйциента пропускания,На чертеже показана зависимость коэффициента пропускания Т ионами пропускания фильтра от длины волны 3, Кривой 1 обозначена спектрапьная характеристика фильтра до облучения, а кривой 2 - спектральная характеристика после облучения. ионами А с энергией 100 кэВ и дозой 10 ион/см,1 з 2П р и м е р, На очищенную химическим способом прозрачную в видимой части спектра подложку методом элек-. тронно-лучевого испарения наносится интерференционное покрытие. Покрытие состоит их двух зеркал с равным числом слоев четвертьволновой оптической толщины, разделенных слоем, оптическая толщина которого кратна половине рабочей длины волны, Слои2085252выполнены из. двуокиси титана и двуокиси кремния, После нанесения покрытия фильтр подвергается бомбардировке ионами аргона или кремния12 14 Ядозами 10 -10 ион/см, При этомминимальная энергия ионов подбирается таким образом, чтобы ихпроекционный пробег превышал геометрическую толщину внешнего слоя,10 а максимальная энергия, выбираетсятак, чтобы проекционный пробегионов не превышал толщину всегопокрытия, В частности, при облучении покрытий ионами аргона энергия1 составляет 35-200 кэВ, а при облучении ионами кремния 0,5-1,12 МэВУвеличение коэффициента пропускания достигается в результатеизменения оптических параметровщо слоев покрытия под воздействиемоблучения, в частности за счет изменения толщины переходных слоевмежду пленками двуокиси титана идвуокиси кремния,

Смотреть

Заявка

3748747, 04.06.1984

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8574

КАМЕНЕЦКАС ЮОЗАС ВЛАДОВИЧ, КАМЕНЕЦКЕНЕ ПАЛЬМИРА АЛЬФОНСОВНА, ПЯТРАУСКАС ГЕДИМИНАС БРОНЕСЛОВИЧ, СКОРОБОГАТАС ГЕНРИКАС БОЛЕСЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционного, узкополосного, фильтра

Опубликовано: 30.01.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1208525-sposob-izgotovleniya-interferencionnogo-uzkopolosnogo-filtra.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления интерференционного узкополосного фильтра</a>

Похожие патенты