H01J 9/14 — не эмиттирующих электродов

Номер патента: 1200762

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Арчаков, Горбачев, Григоряшин, Котова, Сенько, Черняев

МПК: H01J 45/00, H01J 9/14

Метки: пленочного, преобразователя, термоэлектрического

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, включающий операции формирования мелкопористой поверхности диэлектрика анодированием алюминия и элементов подогревателя путем нанесения сплошных тонкопленочных покрытий, фотолитографическое формирование масок, травление оксида алюминия, травление неокисленного алюминия и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, до травления неокисленного алюминия производят формирование подогревателя на микропористой поверхности диэлектрика с помощью металлофоторезистивной маски, после чего выполняют в диэлектрическом слое отверстия, щели и контуры для разделения подогревателя на элементы.

Номер патента: 430763

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/14, H05K 3/00

Метки: диэлектрических, отверстиями

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ, преимущественно для электронных приборов, включающий электрохимическое анодирование полированной стороны заготовки, выполненной в виде пластины, например алюминиевой, с предварительной защитой противоположной стороны пластины изоляционным материалом, формирование отверстий и контуров деталей, снятие защитного изоляционного материала, травление слоя алюминия и разделение заготовки на отдельные детали механическим путем, например ультразвуком, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества деталей, анодирование производят на глубину порядка 1 мкм, после чего на места будущих отверстий и контуров анодированной поверхности алюминиевой пластины наносят...

Номер патента: 688022

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Сурмач, Шохина

МПК: H01J 9/14

Метки: анодной, диэлектрических, металла, окиси, отверстиями

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА преимущественно для электродных приборов, включающий операции толстослойного анодирования одной из поверхностей металлической пластины, избирательное вытравливание неокисленного металла, фотолитографическое нанесение рисунка и травление анодной окиси металла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отверстий и устранения разнотолщинности перемычек, после вытравливания неокисленного металла на поверхность пластины, контактирующей в процессе анодирования с электролитом, наносят защитный слой металла, а фотолитографическое нанесение рисунка осуществляют на другой поверхности пластины.

Номер патента: 716427

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Матусевич, Сурмач, Шохина

МПК: H01J 9/14

Метки: интегральных, микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий операции получения диэлектрической пластины-заготовки путем толстослойного анодирования, нанесения на обе стороны пластины сплошных тонкопленочных покрытий, формирования элементов схем травлением диэлектрической пластины и покрытий, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, в местах будущих элементов микросхем на обе стороны диэлектрической пластины наносят первый защитный слой фоторезиста, затем обе стороны пластины за исключением мест будущих отверстий в подложках и контуров отдельных схем на одной из сторон пластины покрывают вторым защитным слоем фоторезиста, причем указанные фоторезисты выбирают из условия их избирательного травления в разных электролитах,...

Номер патента: 1708095

Опубликовано: 20.07.1995

Автор: Погорельский

МПК: H01J 1/46, H01J 9/14

Метки: прибора, сетки, электровакуумного

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕТКИ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА путем нанесения на поверхность стержней и витков протяжкой через расплавленную каплю или путем гальванического покрытия слоя антиэмиссионного материала из золота, платины, серебра, меди или олова, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности работы и долговечности прибора и уменьшения расхода антиэмиссионного материала, на поверхность антиэмиссионного материала наносят дополнительный слой порошка металла с более высокой температурой плавления, чем антиэмиссионный материал, и не образующий с ним сплавов эвтектического типа, причем толщина слоя находится в пределах 1 100 мкм, а размер зерен порошка 0,5 50,0 мкм, после чего производят нагрев сетки в восстановительной или инертной...