Способ измерения слабых магнитных полей

Номер патента: 1613981

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Глудкин, Опадчий, Трифонов

МПК: G01R 33/032

Метки: импульсного, магнитного, напряженности, полей, электрического

...конкретного экземпляра лавинного фотоприемника с тем, чтобы обеспечитьодинаковый коэффициент преобразованияразличных фотоприемников. Выходы четвертого и пятого суммирующих блоков17 и 18 присоединены ко входам управления коэффициентом преобразования (питания) лавинных фотоприемниковков 4 и 5,Устройство работает следующим образом,Если двулучепреломпяющий анализатор 3 повернут таким образом, чтов отсутствии измеряемого поля плоскость поляризации падающего светарасположена симметрично относительноплоскостей ортогонально поляризованных компонент прошедшего через негосвета и на оптический активный элемент 2 воздействует импульс электрического (магнитного) поля, .то интенсивности ортогонально поляризованныхкомпонент света, прошедшего...

Номер патента: 879269

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Козлов, Лин, Сапотницкий, Токарев, Трухин

МПК: G01B 5/30

Метки: давлением, металлов, напряжений, обработке, полей

...12 1.879269 Формула изобретения связанная с низким качествЬм получаемой картины линий скольжения.Цель изобретения -повышение точности и упрощение способа.Укаэанная цель достигается тем, что выдержку заготовки осуществляют в течение 0,5-1,5 ч, а охлаждение проводят со скоростью 2-3 град/мин.Способ определения полей напряжений при рбработке металлов давлением осуществляется следующим образом.Исследуемую стальную заготовку диа. метром 200 мм.и толщиной 1 мм нагревают в карбюриэаторе со скоростью 2-3 град/мин до температуры, не превышающей температуру рекристаллизацив исследуемой стали ( 550-600 С), выдерживают при указанной температуре в течение .0,5-),5 ч, охлаждают до комнатной температуры, деформируют с помощью штампа с диаметром сферы...

Номер патента: 1044333

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Кармазин, Опалев, Усачев

МПК: B03C 1/025, B03C 1/034

Метки: магнитного, пластина, полиградиентного, рабочая, сепаратора

...при этом образуетсячто рабочая пластина полиградиентно ровная матовая поверхность с обеихго магнитного сепаратора, включаю" сторон закрепленной ос 3новы. атеме живают при комнатнойу н выполненные на ее бо- эаготбвку выдержива тковых гранях нарифления, имеют оано- температуре в течение 1 ч, в резуль"ву, выполненную из немагнитного ма- тате чего вязкость эп связкость эпоксидного клеятериала, а нарифленйя образованы 65 достигает величины равной 1500 П(такая вязкость соответствует консистенции пластилина при 15-18 С). Далее основу помещают в зазоо электромагнитной системы параллельно поверхности полюсных наконечников, чем достигается перпендикулярная ориентация ее относительно силовых линий. При включении электромагнитной систе" мы...

Номер патента: 714318

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Гостищев, Демьянов, Дрозд

МПК: G01R 33/12

Метки: больших, магнитных, магнитосопротивления, металлов, полях, поперечного, эффективных

...способом, соответствуюттеоретическим расчетам полевой зависимостимагнитосопротивления (кривая 5 - теоретичес.кий расчет).Использование предлагаемого способа обеспечивает по сравнению с существующим спо.собом воэможность. повысить точность измерения поперечного магнитосопротивления в реаль.ных магищных полях с конечной однородностью поля исоздание низкоомных гиперпроводящих обмоток в электромагнитных систе.мах.Формула изобретения С 1 тособ измерения поперечного магнитосопротивления металлов в больших эффективныхмагнйтных йолях, основанный на определениипадения найряжения потенциальныыи электродами и направлении приложенного электрического йоли, ь тл и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения точности измерениявеличййы...

Номер патента: 1318946

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Конин, Сащук

МПК: G01R 33/06

Метки: гальваномагниторекомбинационным, датчиком, магнитного, магнитоградиентным, напряженности, неоднородности, поля

...(и = р).Поэтому для случая собственного полупроводника из (2) находим(3) Н п(Т неоднородности производятся следующим образом,Еа так как и = и;ехр(- - -),то окон.т 12 К Тчательно из (3) получаемЬН Е (Т, - Т,)Но 2 КТ, Т + Т, )Е+(Т - Т )- ехр (4)2 КТ (Т + Т1где Е- ширина запрещенной зоны,Устройство,для реализации предлагаемого способа (фиг.2) содержит магниточувствительный датчик 1, подключенный своими токовыми контактами 2и 3 через ограничительный резистор 4к источнику 5 тока, индикатор 6 напряжения, подключенный через фильтр 7к магниточувствительному датчику 1К поверхностям 8 и 9 магниточувствительного датчика подсоединены термопары О и 11, которые подключены кизмерительным приборам 12 и 13. Поверхности 8 и 9...