Ферромагнитный экран

ц 1968858 Союз Сове теки кСоциалистическихРеспубликещ Мпо делаю изобретенийн открытнй(72) Авторы изобретения вите Изобрететельной тех измерить испольитной инду- внешних маг- магнитомете относится ке и может б щиты мер маг йствия помех при проверке овано для з озде ции ерромагни ием перем ныи ннымкран с током.со ленные собмотка- регули 1 О о тока 1 1, вающих ально у и, снаб ан нные ены енн л е о гни магнитную прониболочки, но соз 15 переменные поля орые уменьшаю тем,ржае остигает Поставленная це что в ферромагнитн щий две коаксиальн ферромагнитные обо переменного тока, чник переменного т и четыре кольцевые агнитных поле 1 и. экран, соде1 е изолированнлочки и источнвведен второйока, фазовращашины из элект нитный ран с оком со енные с подмагничиванием пе держащий коаксиальн зазором изолированн ферромагнитные обол менным устано стоь т другагулируее друочки и нитных полеиров.Известен фподмагничивандержащий коаксизазором оболочкми. Эти обмотки подруемому источнику иМагнитное поле иобмоток увеличиваетцаемость материаладает дополнительныепомех до 4000 нТл,точность измеренийэкране.Известен феррома ОП ИСАНИЕИЗОЗРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с присоелинением заявки(23)Приоритет Опубликовано 23.10,82. Б 1 оллетень39 Дата опубликования описания 23 . 1 0 . 82 Ю. В. Афанасьев, Л. Я, Бушуев, В, П. Порфи и В, И. шеремет(54) ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ЭКР мый источник переменного тока. К двум противоположным точкам каждой оболочки подключены выходы источника переменного тока2 1,Протекающий по оболочкам переменный ток распределяется по поверхностям неравномернои намагничивает их неоднородно. Это создает дополнительное остаточное поле внутри экрана порядка 10 нТл, которое снижает коэффициент экранирования, а создаваемое переменное поле тока подмагничивания создает переменные магнитные помехи до 1000 нТл, уменьшающие точность измерения полей внутри экрана.Цель изобретения - повышение точности.ль д ся968858проводного материала, укрепленные попарно на противоположных торцах каждой из оболочек, при этом первый источник переменного тока подключен кшинам первой оболочки, а второй источник переменного тока подсоединен кшинам второй оболочки через фазовращатель противофазно первому источникуНа чертеже изображен ферромагнит фный экран с подмагничиванием переменным током,Ферромагнитный экран содержит ферромагнитные оболочки 1 и 2, у:тановленные коаксиально с зазором и изолированные друг от друга. На противоположных сторонах оболочек 1 и 2 укреплены шины 3, 4 и 5, 6 из электропро"водного материала. Регулируемый источник 7 переменного тока подключен к 20шинам 3 и 1 оболочки 1, а второй регулируемый источник 8 переменного тока с фазовращателем 9 подключен к шинам 5 и 6 оболочки 2 обратной полярностью, в противофазе. 25ферромагнитный экран работает следующим образом.С помощью шин 3, 1 и 5, 6 токи подмагницивания равномерно распределеныпо оболочкам 1 и 2, что обеспечивает 50однородное их подмагницивание и снижение остаточного поля внутри экранадо уровня ниже 1 нТл, Однако из-заразличия размеров оболочек 1 и 2 создаваемые токамии 1, однородные маг 35нитные поля внутри экрана отлицаютсяпо амплитуде и Фазе. Амплитуды переменных,магнитных полей от соседнихоболочек 1 и 2 измеряются магнитометром, а их равенство ь центре экрана40устанавливается регулировкой источников 7 и 8 тока. Сдвиг Фаз между переменными магнитными полями от соседнихоболочек 1 и 2 определяется по осциллографу, подключенному к выходу маг 45нитометра (не показаны), и сводитсяк нулю регулировкой фазовращателя 9,При этом за счет чередующейся полярности токов 1, и 1, в соседних оболочках 1 и 2 создаваемые ими однородныепеременные магнитные поля вычитаются,т, е. компенсируются в центре экранадо уровня примерно 1, нТл. Следовательно, переменные магнитные поля помех,4которые в известном устройстве достигают 1000 нТл, в предлагаемом устройстве уменьшаются. до 1 нТл.Испытания макета предлагаемого устройства показывают, что постоянное магнитное поле Земли с индукцией 5104 нТл ослабляется внутри экрана до 1 нТл, т. е в 5 10 раз, Переменное магнитное поле частотой 50 Гц от тока подмагничивания каждой оболочки достигает 500 нТл и ослабляется предлагаемым устройством до 1 нТл, т, е. в 500 раз, При этом нестабильность амплитуды тока в 0,253 вызывает изменение остаточного поля в центре экрана на 1 нТл.Таким образом, по сравнению с известным ферромагнитным экраном с подмагничиванием переменным током предлагаемый экран позволяет на порядок повысить коэффициент экранирования и точность измерений магнитных полей в экранах,Формула изобретенияФерромагнитный экран, содержащийдве коаксиальные изолированные ферромагнитные оболочки и источник переменного тока, о т л и ч а ю щ и й с ятем, цто, с целью повышения точности,в него введен второй истоцник переменного тока, Фазовращатель и четыре кольцевые шины из электропроводного материала, укрепленные попарно на противоположных торцах каждой из оболочек, при этом первый источник переменного тока подключен к шинам первойоболочки, а второй источник переменного тока подсоединен к шинам второйоболочки через фазовращатель противоФазно первому источнику.ИстоЧники информациипринятые во внимание при экспертизе1. А 1 ЬасЬ Ч. Ч., Чозз.б, А, Е 1 пдцгсЬчоггедсег ОупавоЬ 1 есЬе щадпе 1 зсЬе аЬдезсЬгайег ИеЬгацт, Л, Г.Апдеи, РЬуз 11 е 1 пзсЬ 1, йц 11 еоп 11,ХВапд, НеГ. 3/1957, 111-115.2. СоЬещ О А зсЬ 1 е 1 дед Гас 1 уГог 1 ои-ече 1 щадпес шеазцгееепз,,3 оцгпа оГ Арр 11 ед РЬу 51 сз. Ч 38,У 3, 1967, р. 1295- 1296,