G02F 1/03 — основанные на керамике или электрооптических кристаллах, например, обладающих эффектом Поккельса или Керра

Номер патента: 316146

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аркадьев, Милпккис, Шамбуров

МПК: G02F 1/03, H01S 3/10

Метки: луча, переключения, света

...в десяти- каскадном ЗП по толщине должна быть более 1 я (21 О=1024 л 1 л), Практически изготовить такую пластину пе представляется возмон(ным,Подобным недостатком обладает и много- каскадный ЭП с призмами Волластона; кроме того, из-за асимметрии оптических ветвей в пем возникают оптические искажепня, ограничивающие число каскадов. Преимущество ЗП с кюветой, заполненной жидкостью, и пластинкой кальцита состоит в том, что такой ЭП позволяет получать любое по величин необходимое смещение параллельных оптических ветвей переключенпя, а недостаток его закл 1 очается в относительной сложности конструкции. Цель изобретения - устранение указанных н достатков известных ЭП и обеспечение возможности дискретного сканирования, а также создание ЗП,...

Номер патента: 326536

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Митрофанов

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, электрооптический

...оптической оси в кристаллах КДР, АДР и 1.1 КЬ Оз наиболее перспективно с точки зрения величины управляющих напряжений, Клиновидность подобным образом ориентированного кристалла приводит к тому, что накопленная за один проход кристалла разность фаз между поляризационными компонентами исходного светового колебания изменяется по сечению светового пучка, так как определяется разностью в показателях преломления для обыкновенного и необыкновенного лучей, а также разностью оптических длин хода луча в кристалле. Это приводит к тому, что статическая характеристика модулятора, представляющая собой зависимость прозрачности модулятора (в %) от величины приложенного напряжения (в в) или от сдвига фаз, между поляризованными компонентами (в...

Номер патента: 349003

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Голованевский, Коновалова

МПК: G02F 1/03

Метки: отклоняющее, электрооптическое

...и ,полярности, В электрооптических дискретных отклоняющих устройствах величина управляющего напряжения берется равной полуволновому (о/,) или четвертьволновому (о/,), если двоичные отклоняющие ячейки содержат четвертьволновые фазовые пластины. В,предлагаемом устройстве величина управляющего напряжения должна быть равна сумме некоторого постоянного напряжения (полуволнового или четвертьволнового) и дополнитель- НОГО 1 доб. 1/напр=сопз 1+1 добТак как величина Ъдоб, компенсирующая сдвиг фаз б, имеет знак, обратный знаку Ъсопз 1, то суммарное напряжение по абсолютной величине меньше, чем управляющее напряжение в устройствах без компенсации фона,10 15 20 25 30 35 40 45 5055 60 65 Если допустимый уровень интенсивности фоновой составляющей...

Номер патента: 349973

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Голованевский, Коновалова, Кононов

МПК: G02F 1/03

Метки: переключатель, плоскости, поляризации

...лучей.На чертеже изображен предложенный переключатель плоскости поляризации. В предлагаемом устройстве оптическая ось У составляет с нормалью к полированным поверхностям переключателя некоторый угол а, В этом случае скорость обыкновенной и необыкновенной составляющих уже не одинакова, и на выходе переключателя между ними возникает разность фаз.При определенной толщине кристалла можно получить постоянное четвертьволновое смещение между компонентами поляризации, т. е. сам переключатель будет играть роль одного из элементов переключателя. Подобного результата можно добиться ипри обычной конструкции переключателя, исползующего Л-срез кристалла. В этом случае для получения постоянного четвертьволнового 5 смещения нужно ориентировать...

Номер патента: 356621

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Зобретенн, Казакова, Колесник, Шмуйлович

МПК: G02F 1/03, G02F 1/07, H03K 17/12 ...

Метки: плеханова

...совпадения 20 12; вход каждой линии задержки подключенк выходу генератора импульсов 4, а выход каждой схемы совпадения соединен со входом соответствующего формирователя 10; вторые входы схем совпадения 12 подключены к соот ветствующим выходам регистра 2, вход которого соединен с выходом входного вентиля 1, управляемого от генератора импульсов 4.Устройство работает следующим образом.Синусоидальное напряжение задающего ге нератора 3 подается на усилитель мощностиб, усиливается им и через трансформатор б поступает на ключи 9 и на конденсатор 7 электрооптического переключателя поляризации. Вторичные обмотки трансформатора б имеют равное число витков и настраиваются в резонанс с емкостью конденсатора 7 переключателя поляризации на...

Номер патента: 408257

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адрианова, Бережной, Куликова, Письменный, Попов

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света

...поясцено чертежами.На фиг. 1 приведена схема модулятора; цафиг. 2 схема электрооптического элемента.Модулятор света содержит поляризатор 1,короткофокусные объективы 2, электрооптический элемент 3, анализатор 4, блок управления 5 модулятором.Электрооптический элемент содержит(фиг. 2) электроды 6, кристаллический элемент 7 с полированными плоскостями 1001,проводники 8 для подведения управляющихнапряжений, 9 падающий на кристалл лучсвета, электрический вектор которого параллелен направлению 1101 или 11 О,Поляризатор в модуляторе располагают таким образом, чтобы плоскость поляризациилуча совпадала с плоскостью кристалла 110или 110. Электрическое поле прикладываютвдоль направления О 01, В этом случае индуцировацную разность фаз для...

Номер патента: 366809

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бузылев, Влох, Зайцев, Лобский, Ндин, Овчинников, Пирогов

МПК: G02F 1/03, H01S 3/10

Метки: модулятор, света

...4.При использовании оптически активногокристалла, например кварца, величина угласр выбирается из соотношения2(г ппи, +";сов 4 о =К), сов;п 2 в 1 пф "+п 2 сов где (1 - длина кристалла вдоль оптическойоси,Х - длина волны излучения,и( и пп - главные показатели преломления,1) - удельное вращение, т. е, поворот.плоскости поляризации а единицудлины оптически активного кристалла,К - порядок интерференции.В этом случае электроды 5 имеют вид продольных,полос (изображены па фиг. 1 пунктиром),Описываемый модулятор света работаетследующим образом.Благодаря тому, что угол ср между оптической осью модулирующего кристалла и осьюустройства, совпадающей с направлениемраспространения монохроматическото светового пучка, соответствуег экстремуму...

Номер патента: 375613

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Корнилов

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00, H01S 3/18 ...

Метки: модуляции, света, усиления

...фототока к темновому току. При определенных условиях легирования в полупроводниках, содержащих в качестве компенсирующей примеси многозарядные акцепторы, можно получить колебания тока при освещении полупроводника. При этом фотопроводник компенсируют примесью с глубоким уровнем так, что отношение обратных времен жизни неосновных носителей больше отношения концентраций основных и неосновных носителей, и вводят центр прилипания в концентрации, превосходящей концентрацию свободных носителей.Амплитуда колебаний тока при этом может быть весьма значительной (несколько милли- ампер или больше). В этом случае наряду с функцией усиления света происходит его модуляция с частотой, определяемой скоростью движения рекомбинационных волн....

Номер патента: 376741

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Леонтьев, Сорокин

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света

...проводящим покрытием на кристалле.4, Трудность получения частот модуляции выше 200 кгц.5. Ограниченность спектр ална могулируемого светового и1,1 мкм).Целью изобретения являетсяжесткого крепления кристалла ввысокой и стабильной добротнослического резонатора, исключенющего действия элементов креплчение механических контактов т10 15 20 25 30 ков с пластиной кристалла, а также использование кристаллов таких типов, которые имеют неодинаковую толщину и большую областьспектральной прозрачности.На чертеже показан предложенный элек.трооптический резонансный модулятор света.Модулятор содержит источник света 1, поляризатор 2, анализатор 3, кристаллическийрезонатор 4 с токоподводящими обкладкамиб, подключенными к зажимам генератора 6,средство...

Номер патента: 377715

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бачериков, Кудр

МПК: G02F 1/03, G02F 1/07

Метки: амплитудно-частотных, модуляторов, света, характеристик

...5, частотную характеристику которого определяют.На входы обоих приборов подают управляющие высокочастотные напряжения, промодулированные низкочастотной огибающей (типа меандра).Частота управляющего напряжения У лодаваемого на исследуемый модулятор света, меняется по всему рассматриваемому диапазону частот. Частота управляющего напряжения У 2, подаваемого на эталонный электрооптический элемент, фиксирована.Зависимость сдвига фаз между двумя взаимно перпендикулярнополяризованными компонентами луча света, создаваемого в эталонном электрооптическом элементе, от величины управляющего напряжения на выбранной фиксированной частоте должна быть известна с достаточной степенью точности.На выходе всей модулирующей системы возникает переменный...

Номер патента: 411419

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G02F 1/03

Метки: 411419

...цых между ними модулирующих элемента взаимно развернутых относительно оптической оси модулятора, снабженных управляющими электродами, нанесенными на боковые грани и изготовленными из одинаковых оптически активных кристаллов, одна из кристаллофизических осей которых составляет угол 45 с плоскостью поляризации поляризатора или анализатора, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик модулятора, управляющие электроды нанесены на грани, содержащие оптическую ось модулирующих элементов и одну из кристаллофизических осей (Х или , а угол взаимного разворота модулирующих элементов составляет 180,(У 41 з 1 й 2 я - У созгэ) У 13кристаллофизические оси, например, оси У и Л, лежат в плоскости, перпендикулярной к...

Номер патента: 364271

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Сидоренко, Соломко

МПК: G02F 1/03, H01S 3/107

Метки: микроволновый, модулятор, оптического

...показан предлагаеИзооретение отно высокочастотным модуля тового потока и может зовано в оптических с 2яыи модулятор в разрезе, ь трехплоскостях,4 одыдор представляет собойтороидальный резонатор, в емкостб нои зазор которого серебряной пастой вклеен электрооптическийкристалл 1. Модулятор возбуждаетсяпетлей 2 связи, энергия к которойпоступает через Фишку 3, Фишка 4о и петля 5 связи служат для контроляуровня мощности в резонаторе. Лучсвета проходит через четвертьволновую азовую пластинку 6, окно 7,кристалл ;, окно 8 и англйзатор 9.1 б Четвертьволновая плдастинка 6 с,цужит для смещения рабочей точки насередину линейного участка характеристики модулятора. Проходя вдольоптической оси кристаЛла 1, луч2 о света взаимодействует с модулирующей...

Номер патента: 365948

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Гусев, Сидоренко, Соломко

МПК: G02F 1/03, H01P 1/22, H03C 1/00 ...

Метки: 365948

...вследствие невысокой концентрации электрического поля в электрооптическом кристалле и ограниченнои возможности уменьшения поперечных размеров электро оптических кристаллов с увеличением длины требуют значительной управляющей мощности микроволнового сигнала.В целях уменьшения управляющей мощности микроволнового сигнала электрооптический кристал, в предлагаемом модуляторе помещен между выступами Н-образного волновода.На чертеже показан предлагаемый модулятор, продольный и поперечный разрезы.Модулятор представляет собойН-образный волновод, между выступами 1 которого серебряной пастойвклеен электрооптическии кристал 2. Если полость закрыть металлическими пластинами 3 на торцах, получится резонаторный модулятор бегущей волны.При замене...

Номер патента: 473199

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Анисимов, Веселовский, Мелехов

МПК: G02F 1/03

Метки: информации, отображения

...с д пр дще полосы 7.На одном из торцов пластин 2 выполнен ряд вырезов 8, на внутреннюю поверхность которых нанесено, например, методом напыления проводящее покрытие. Покрытие имеет электрический контакт с изолированными проводящими полосами 6, нанесенными на одну из сторон пластин 2. Чтобы провода, укладываемые в вырезы, не заслоняли свето- проводящих каналов, образующихся вдоль проводящих полос, вырезы 8 и проводящие полосы смещены относительно друг друга (см, фиг. 2) . На другой стороне каждой пластины расположен ряд проводящих полос 8, соединенных между собой. Пластины могуг быть изготовлены из фольгированного стекло- текстолита (гетинакса) либо методом напыления на проводящую подложку, Набор этих пластин собран в стопу, причем зазоры...

Номер патента: 485401

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Демина, Фомичев

МПК: G02F 1/03

Метки: модуляр, света, электрооптический

...пластинкой Я/4 расположенной1 ду линзой н зеркалом, а на кристаллсено две пары электродов, причем опткие оси входящего и выходящего свет потоков находятся междуэлектродов.Это обеспечивает умеестественного двудучепреломления оптических деталей на работу устро"На чертеже представлена оптичес схеМа устройства,Электрооптический модулятор .содержит биполяризатор 1, после которого линейно поляризованной поток попадает на электрооптический кристалл 2 с двумя парами электьродов 3,4 и 5,6, Входятций световой по а ток проходит между электродами 3,4 и линзой 7 через фазовую пластинку 3 4 8, направляется на зеркало 3, находящееся в фокальной плоскости линзы, Отразившийся от зеркала поток, пройдя фазовую пластинку 8 линзой 7 направляется в...

Номер патента: 398153

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Грехов, Левинштейн, Щур

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света

...коэффициента (например, КН.Р 04, 1.ЮВОз и другие), в которых домены сильного поля генерироваться не могут. Следовательно, обеспечив контакт такого материала с полупроводниковой структурой пли веществом, в котором генерируются домены сильного поля, можно обеспечить модуляцию света с большим коэффициентом модуляции и в большом диапазоне частот за счет проникновения сильного поля домена в упомянутый материал.На чертеже изображен прлятор света.В образце, изготовленном на веществе 1 с контактами 2, распространяется домен 3 сильного поля. Образец с одной или нескольких сторон покрыт материалом с заданными оптическими свойствами 4, через который3пропускается луч модулируемого света. Луч проходит через область сильного поля 5 в материале.В...

Номер патента: 493749

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Мелков, Сидоренко, Соломко

МПК: G02F 1/03

Метки: излучения, микроволновый, модулятор, оптического

...фазовая скорость модулирующей волны изменяется и вследствие рассогласования скоростей эффект взаимодействия падает. Изменение внешнего магнитного поля, создаваемого в результате пропускания тока по проводнику 3, приводит к изменению магнитной проницаемости феррита или, что все равно, к изменению эффективного значения его ди=О,где на Сзг: 81 П хкр(С - Е 7)1 - рФ для модулятора на фиг. 2 25 С - 1 О С О С О ОСз 3 С 34СС 4,=О 35 Предмет изобретения с г С 1 гф, г.айгЙ4 ггЭ г ггггЪ гг МгггСгггг4г г ггс 4зФгФгггг з%,4 ггРог. 1 ЦНИИПИ Заказ 1522/б Изд.1030 Тираж 593 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 электрической проницаемости таким образом, что синхронизм восстанавливается.Размеры поперечного сечения рассчитывают из условий синхронизма на...

Номер патента: 497553

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Влох, Шамбуров

МПК: G02F 1/03

Метки: затвор, кристаллический, электрооптический

...картину без поля. Маска 15 экранирует свет по косым направлениям в отсутствие поля на кристаллах.Можно использовать лишь один кристалл,обладающий продольным электрооптическим эффектом, один объектив и одну коллектив ную линзу, однако затвор в этом случае будет менее эффективным.Свет от фотографируемого объекта проходит через поляризатор 1 и два кристалла 3 и 4, оптические оси которых скрещены, с элек тродами 5 и полупрозрачным зеркалом 11разделяется на две ветви. Свет в каждой из ветвей проходит через поляризатор 2 (в одной ветви оптическая ось поляризатора скрещена, а во второй - параллельна оптической 30 оси первого поляризатора), объектив отра497553 3 Ф 2 Фиг. 1 з 3 Ф 11 Подписное Тираж 529 Изд.2105 Заказ 371/11 Типографпз, Чг....

Номер патента: 521506

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Барбанель, Желудов, Крапивин

МПК: G02F 1/03

Метки: рефрактометр

...является су.шественная восприимчивость к механическим вибрациям, невысокое быстродействие и сложная фазоразностная двухканальная схема изЦель изобретения - упрощение конструкции иповышение быстродействия.Это достигается тем, что компенсатор угловогоотклонения светового пучка выполнен в виде дефлекторного устройства, а перед фотоприемником установлена осевая измерительная диафрагма,На чертеже показана блок-схема предлагаемогоре фрак то метра.521506 Форм ула изобретения Составитель Н, ГусеваТехред М. Ликович Редактор Н. Каменская Корректор Д. Мельниченко Заказ 4891/546 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент",...

Номер патента: 524042

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Соловьев

МПК: G02F 1/03

Метки: очистных, приспособлений, пропуска

...между каждыми ,двумя смежнымипейекачивяющими; станциями,Существующие трубопроводные обвязъи пе-.ебрекачивяющих станций не позволяют осуществить ттеаеезитньеее ееропуск очистных приспо собленийпо магистральным трубопроводамиз зоны низкОГО ДЯВЛенИЯ (до стянЦии) Взону вь 1 сокого давления (после станциие при О.работающих перекачивающих станциях.Известно устройство, еередназначенноеля приема пропускаемого по трубопроводу 1испособления со стороны низкого давления,и перевода его в трубопровод:высокого дав,- 25 лееееея трянзеетом б кячявяющих стянп КЯЕМОГОЕЕРИСПОСО УСТРОйСТВО СОСТОпуса и поступатенем плунжера с канйлямп,енее рчМты норел прокряу нй и без пзв ьлсни Н,1 , ит иез циам ЛЬНО ПЕрокИЯбженного НЕЕЕО та ."Я г"х У )УОГО г: 1 Е 1 Р 1...

Номер патента: 524155

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Васкин, Кудрявцев, Николаев

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, фазовый, электрооптический

...мое оптиые искалир его периферии, и модизлучение испытываето сечению пучка.ично указанный недос око жения 2жет ток зовом оопти еском роопт и кот быть устранен в элмодуляторе, содекристалл с элект ическ орого ржащем эле родами, вну ытывает мн 5 кратное п ветовои луч и Недостатками этих модуля градиент температуры и, с ффициента преломления в к ное внутреннее отражение от гртактир ющих с электродами Я,Зтот модулятор работает одновременнои как дефлектор за счет изменения коэффициента преломления, и соответственно, углаотражения от граней кристалла.Однако из-за незначительного изменениякоэффициента преломления требуется использовать выпуклое зеркало для увеличения угла отклонения светового луча,Если описанное устройство применяюттолько...

Номер патента: 524156

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Коновалова

МПК: G02F 1/03

Метки: затвор, полуволновой, электрооптический

...Чем ширеспектральный диапазон излучения и чембольше дисгерсия показателей преломленияфазовой пластины нди дисг.эрсин управляющих напряжений эдектрооптического крис тадда, тем больше селективнь,терь световой энергии, т, е.от длины водны, исключает применение та,ких затворов зонаторной моа .дудяции доброт ов, излучающих524156 10еСоставитель Н, РешетниковРедактор Н. Вирко Техред А.ДемьЯнова Корректор Д, Мельниченко Заказ 4978/394 Тираж 654 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 толшина и ориентация фазовои пластины позволяют компенсировать хроматизм затворадля крайних длин волн излучения...

Номер патента: 524161

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Лац

МПК: G02F 1/03

Метки: календаря, наручных, проверки, работоспособности, часов

...операции. Этодостигается тем, что программный узел выполцец в виде двух соосно расположенных ирегулируемых по углу кулачков, однц из которых снабжен фиксатором, и храпового механизма, связанного кинематически с однойстороцы с узлом привода шпинделя, а с другой - скулачками, причем узел приводашпинделя выполнен в виде рычага, свободнопосаженного на неподвижную ось и снабженного с одного конца зубчатым сектором, кинематцчески связанным со шпинделем, а сдругогО - роликом, связанным с прогрцммцым узлом.,На фиг, 1-3 показано предлагаемое устройство.Шпиндель 1 (фцг, 1), снабженный зажимной цангой, зубчатым веццом находится взацеплении с колесом 2, на оси которогосидит колесо 3, зацеплеццое с сектором -рычагом 4, качающемся на оси 5....

Номер патента: 525042

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Бережной, Попов, Сидоренко

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, электрооптический

...2 п ЯМ)Э 2 Я 1 где ц - управляющее напряжение1 - толщина кристалла в направлениираспространения света;м - показатель преломления кристалла;оК - электрооптический коэффициент;Л - длина волны модулируемого излучения;- - коэффициент пропускания модуля-о тора.На фиг. 1 представлена принципиальная схема предлагаемого модулятора, на фиг.2- зависимость отической плотности почерненкя контрастной фотопленки от величины экспозиции; на фиг, 3 - зависимость изменения диаметра зоны с коэффициентом пропускания - , большим или равным 0,5 от3Зоизменения величины приложенного к модулятору напряжения,Интенсивность света, прошедшего от источника света 1 через оптическую систему см, фиг. 1), состоящую из поляризатора 2, электрооптического элемента 3...

Номер патента: 531117

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Быков, Гребенюк, Калугин

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, свч, электрооптический

...элементом, расположенным в максимуме электромагнитного поля и управляемым от внешнего устройства причем дополнительный резонатор связан с основным резонатором через отверстие связи. На чертеже показан пред лятор в разрезе. Электрооп531117 70 ЦНИИПИ Заказ 5384/134 Тираж 654 Подписи Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 тор содержит основной СВЧ - резонатор 1 срасположенным по его оси электрооптическим кристаллом 2 и поляризационными фильграми 3, дополнительный резонатор 4, соединенный с основным резонатором 1 окном 5,перестраиваемый элемент 6, емкость которого изменяется под воздействием сигнала от внешнего устройства 7, петлю 8 возбуждения дополнительного резонатора, источник СВЧ - сигнала 9 и согласующий элемент 10 в виде...

Номер патента: 534726

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Вловенков, Евтихиев, Осипов, Симаков, Цветаев

МПК: G02F 1/03

Метки: переключатель, поляризации, электрооптический

...кристалл ь МВОвыращенный в электрическом поле) с примесями, обладающими высокой поляризуемостьюв данном кристалле. Концентрация примесей ффможет колебаться от 10 цо 1 У ат/см,6При освещении кристалла величина его спонтанной поляризации Р меняется как за счетпироэффекта, так и за счет изменения дипольного момента примесных .центров,В рассматриваемом устройстве используется эффект возбуждения поимесных центров.В результате в кристалле возникает диполяризующее электрическое поле Е=-4 ГаР, гдеизменение поляризации кристалла дР при на-личии Е равноЬ Р=а 7 +,Электрическое поле возникает в основном врезультате возбуждения примесных .центров,принцип действия рассматривается на основеэтого эффекта). Мощность излучения, падающего на...

Номер патента: 542161

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Григорьев, Кобанов

МПК: G02F 1/03

Метки: величины, модулятора, полуволнового, электрооптического

...световой характеристике оптического затвора. На фиг. 1 обозначено: 1 - поляризатор, 2 - 25 фазовая пластина 11,4, 3-электрооптический кристалл.542161 10 20 цо о о гРггг. 1 обладающий продольным электрооптическим эффектом, 4 - анализатор, 5 - фотоприемник, 6 - синхронный интегратор, 7 - генератор прямоугольного сигнала. Элементы 2 - 7 одновременно являются элементами солнечного магнитографа.В исходном состоянии рабочая точка занимает положение й, на световой характеристике оптического затвора, (см. фиг. 2) . Начальное положение определяет фазовая пластинами,/4, Этому состоянию соответствует 30 - интенсивность света, пропускаемогО оптическим затвором,30= а ЭО-со 5.Подадим на электрооптический кристалл прямоугольный униполярный сигнал...

Номер патента: 575602

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Волконский, Головков, Калиников, Попов, Черняев, Швецов, Яковлев

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, свч, электрооптический

...собой трехэлементный полосовой фильтр схема которого показана нафиг. 2, причем эдект рооптический кристалл с электродами играе Р ф роль последовательного, контура 8, Указанный полосовой фильтр может быть согласован с модудирующим генератором в широкой полосе частот, обеспечивая в этой подо-се частот постоянную амплитуду электрической составляющей электромагнитного поля в кристалле и, как следствиепостоянныи коэффициент модуляции света во всей рабочей полосе частот при постоянной мощности модулируюшего генератора. При этом рассеивание большей части мощности модулируюшего генератора происходит в сопротивлении нагрузки 7, а не в кристалле, что уменьшает его разогрев. В СВЧ диапазоне колебательные контуры 5 и 6 могут быть выполнены на...

Номер патента: 562138

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Рокос

МПК: G02F 1/03, G02F 3/00, G06E 3/00 ...

Метки: модулятор, электрооптический

...случайному и, тем самым, увеличить чувствительность аппаратуры, во-вторых, как измерительный метод, например, исследование кросс-корреляции широко иснольэуетсяв гидродинамике при измерении ЗО таких параметров, как расход, скорость и то дэЦелью изобретения является расшерение функциональных возможностей алектрооптического модулятора, а именно, модификация его для применения в "корреляционном анализе и в других областях вычислительноинформационной и измерительной техники. би бя+ 5 и (61+ дя)- фаза лучаХ -фаза луча О 35Верхний знак в матрице двуйреломдго анализатора, в результирующем вьддя волновой функции и в выражениизы относится к лучу О; который пар4 Оден вектору+ 1, нижний знаклучу О , который параллелен вектоОбыкновенный и...

Номер патента: 589221

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Евдокимова, Краевский, Низовцев, Прасолов, Солинов, Шишменцева

МПК: C03C 3/16, G02F 1/03, G02F 1/17 ...

Метки: материал, электрохромный

...материала сполъзуют тонкие пленки окисла вольфрама, молибде-. на 111Однако технология ипленок достаточно слоиа. 30 из указанных материалов твить электрохромные усщик размеров. Для изготовления тов применялось сте вес,И тР О О 12-46 22-766,5-46 оО, К 0 кя - упрощены лектрохроиныхения операц злектрохромно где тт 0Цель изо техно"усти вакуо матеетения эисклочння логик ройст умног риала путем напил азанного соста" е электрохрсеастановктся трокрсиных уста изготавливаютпри температуДля этого стекло уква применяют в качествного материала, которыйактивной средой в элекройствах, причем стеклпо известной технологиире варки 900-1100 С.Конкретные составы.риалов для электрохроиприведены в таблице. олучения этих Кроме того,рудно изгототройства...